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Influence of soaking time on semi-conductivity and nonlinear electrical properties of TiO_2-based varistor ceramics 被引量:4
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作者 孟凡明 《Journal of Chongqing University》 CAS 2008年第4期297-301,共5页
We investigated the influence of soaking time on the semi-conductivity and nonlinear electrical properties of TiO2- based varistor ceramic samples. We used a single sintering process and fabricated six disk samples of... We investigated the influence of soaking time on the semi-conductivity and nonlinear electrical properties of TiO2- based varistor ceramic samples. We used a single sintering process and fabricated six disk samples of (Sr, Bi, Si, Ta)-doped TiO2- based varistor ceramics sintered at 1 250℃ for 0.5 h, 1.0 h, 2.0 h, 3.0 h, 4.0 h, and 5.0 h, respectively. The samples were characterized by X-ray diffraction, breakdown voltage, and complex impedance. The results show that as the soaking time increases from 0.5 h to 5.0 h, the breakdown voltage drops before rising while the nonlinear coefficient increases and then decreases. We suggest that, considering both grain semi-conductivity and nonlinear electrical properties of the TiO2-based varistor ceramics, the optimal soaking time is between 2.0 h and 3.0 h. 展开更多
关键词 TiO2-based varistor ceramics nonlinear electrical properties semi-conductivity soaking time
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Improvement of sintering,nonlinear electrical,and dielectric properties of ZnO-based varistors doped with TiO2 被引量:1
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作者 Osama A Desouky K E Rady 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第6期575-580,共6页
The effects of TiO2 on sintering and nonlinear electrical properties of(98.5-x)ZnO–0.5MnO2–0.5Co2O3-0.5Bi2O3–xTiO2(x = 0.3,0.5,0.7,0.9 mol%) ceramic varistors prepared by the ceramic technique are investigated ... The effects of TiO2 on sintering and nonlinear electrical properties of(98.5-x)ZnO–0.5MnO2–0.5Co2O3-0.5Bi2O3–xTiO2(x = 0.3,0.5,0.7,0.9 mol%) ceramic varistors prepared by the ceramic technique are investigated in this work.The optimum sintering temperature of the prepared samples is deduced by determining the firing shrinkage and water absorption percentages.The optimum sintering temperature is found to be 1200℃,at which each of the samples shows a maximum firing shrinkage and minimum water absorption.Also minimum water absorption appears in a sample of x = 0.9 mol%.Higher sintering temperature and longer sintering time give rise to a reduction in bulk density due to the increased amount of porosity between the large grains of ZnO resulting from the rapid grain growth induced by the liquid phase sintering.The crystal size of ZnO decreases with increasing TiO2 doping.The addition of TiO2 improves the nonlinear coefficient and attains its maximum value at x = 0.7 mol% of TiO2,further addition negatively affects it.A decrease in capacitance consequently in the dielectric constant is recorded with increasing the frequency in a range of 30 kHz–200 kHz.The temperature and composition dependences of the dielectric constant and AC conductivity are also studied.The increase of temperature raises the dielectric constant because it increases ionic response to the field at any particular frequency. 展开更多
关键词 ZnO varistors water absorption nonlinear electrical properties dielectric constant
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Mechanism and Development of TiO_2-Doped ZnO-Bi_2O_3-Based Varistors
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作者 FU Jing XU Zheng(Department of Material Science&Engineering,Tongji University Shanghai 200092) 《Journal of Electronic Science and Technology of China》 2003年第1期80-86,共7页
This paper reviews the history of ZnO varistor,discribes its properties and recenttechnological status and forecasts its evolution.The future development trend is to produce the low-voltage high-energy multi-layer ZnO... This paper reviews the history of ZnO varistor,discribes its properties and recenttechnological status and forecasts its evolution.The future development trend is to produce the low-voltage high-energy multi-layer ZnO varistors.After the two additives are classified by their functions,the effect mechanism of Bi_2O_3 and TiO_2 additives are researched theoretically.TiO_2 will make ZnO graingrow bigger and V_ImA/mm be depressed down.Especially the colloid TiO_2 additive in the scale ofnanometer brings about a new method to realize the low voltage of ZnO varistor,which resolves theproblem of how to disturb nanometer powder evenly.Moreover the sintering temperature has prominenteffect on the electrical properties of ZnO varistors.Generally,the appropriate sintering temperature forlow-voltage ZnO varistor ceramics should not be more than 1 250℃.These provide an effective methodand rationale for studying low-voltage ZnO varistors. 展开更多
关键词 ZnO varistors PROPERTIES DEVELOPMENT ADDITIVES grain growth
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钆掺杂的高非线性和低漏流SnO_(2)基压敏电阻材料
4
作者 孙斐 赵洪峰 缪奎 《材料导报》 北大核心 2025年第2期31-34,共4页
本工作通过在SnO_(2)-Co_(3)O_(4)-Cr_(2)O_(3)-Ta_(2)O_(5)体系中引入Gd,制备了兼具高非线性系数和低泄漏电流的SnO_(2)压敏陶瓷材料。结果表明:Gd的掺杂能够促进晶粒生长,降低样品气孔率,并在掺杂量为0.25%(如无特殊说明均为摩尔分数... 本工作通过在SnO_(2)-Co_(3)O_(4)-Cr_(2)O_(3)-Ta_(2)O_(5)体系中引入Gd,制备了兼具高非线性系数和低泄漏电流的SnO_(2)压敏陶瓷材料。结果表明:Gd的掺杂能够促进晶粒生长,降低样品气孔率,并在掺杂量为0.25%(如无特殊说明均为摩尔分数)时获得了最佳的电气性能,非线性系数达到55,泄漏电流低至7.74 mA/cm^(2),同时电压梯度高达568 V/mm,在50 Hz频率下介电常数高达213,显示出其潜在的应用前景。但过饱和的掺杂会恶化压敏陶瓷的电气性能。本工作将非线性系数的变化归因于晶界势垒的提升,认为泄漏电流减小是晶界电阻升高,电子迁移率下降导致的,并从点缺陷的角度分析了晶界势垒升高的原因,系统地阐述了Gd的掺杂对SnO_(2)压敏电阻陶瓷电气性能和微观结构的影响机理。 展开更多
关键词 SnO_(2)压敏电阻 非线性 泄漏电流 晶界电阻 势垒 点缺陷
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基于经验傅里叶分解的混合式高压直流断路器耗能支路故障检测方法研究 被引量:1
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作者 彭兆伟 宋鹏 +3 位作者 高杰 黄诗洋 杨爱军 徐党国 《全球能源互联网》 CSCD 北大核心 2024年第1期79-91,共13页
为实现更强的能量耗散能力,混合式高压直流断路器的耗能支路需串并联大量金属氧化物压敏电阻(metal oxidevaristor,MOV),耗能支路的可靠性将直接影响混合式高压直流断路器的可靠性。但是,现有的耗能支路故障检测方法并不能适应整个能量... 为实现更强的能量耗散能力,混合式高压直流断路器的耗能支路需串并联大量金属氧化物压敏电阻(metal oxidevaristor,MOV),耗能支路的可靠性将直接影响混合式高压直流断路器的可靠性。但是,现有的耗能支路故障检测方法并不能适应整个能量耗散阶段。为此,提出一种基于经验傅里叶分解的混合式高压直流断路器耗能支路故障检测方法,具体为:首先是信号预处理,对耗能支路每个子模块的分支电流进行归一化和一阶差分计算来获取分析电流;然后是故障特征提取,利用经验傅里叶分解(empirical Fourier decomposition,EFD)对分析电流进行分解,提取最高频时频分量作为故障特征分量;最后是检测判据,通过故障特征分量构造突变峰值量化指标,进而通过突变峰值实现耗能支路故障检测。大量实验表明,该检测方法可在能量耗散阶段末期实现可靠地故障检测,且具备一定的抗干扰能力。 展开更多
关键词 混合式高压直流断路器 耗能支路 金属氧化物压敏电阻 经验傅里叶分解 故障特征分量 突变峰值
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ZnVMnCoTiBiO压敏陶瓷的低温烧结及性能
6
作者 孙婷婷 赵鸣 +3 位作者 蔺心宇 崔文正 刘卓承 邓磊波 《材料科学与工程学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期931-936,共6页
ZnVMnCoTiBiO基压敏陶瓷因其极低的烧结温度(<800℃)而备受瞩目,然而其低温烧结机理尚未完全被揭示。因此,本研究首先采用固相法合成了ZnVMnCoTiBiO基压敏陶瓷,并采用DSC、XRD、SEM、STEM和EEEls及标准电压-电流等测试方法探究该材... ZnVMnCoTiBiO基压敏陶瓷因其极低的烧结温度(<800℃)而备受瞩目,然而其低温烧结机理尚未完全被揭示。因此,本研究首先采用固相法合成了ZnVMnCoTiBiO基压敏陶瓷,并采用DSC、XRD、SEM、STEM和EEEls及标准电压-电流等测试方法探究该材料的低温烧结机理,以及烧结温度在750~850℃范围内变化对其性能的影响。结果表明,含Ti富钒液相与ZnO晶粒表面间的界面反应传质机理从约612℃起成为控制ZnVMnCoTiBiO压敏烧结的主要机理。在733℃左右,Zn_(2)TiO_(4)尖晶石颗粒大量形成,并被富钒液相包裹,因而对烧结影响不大。因此,ZnVMnCoTiBiO基压敏陶瓷可在750℃的较低温度下即可烧结。经测定750℃烧结的样品性能最佳:其非线性系数为37.3,压敏电压为2919 V/mm,漏电流密度为0.33 mA/cm^(2)。随着烧结温度升高至850℃,其非线性系数和压敏电压逐渐降低。 展开更多
关键词 ZnVMnCoBiTiO压敏陶瓷 低温 烧结
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硅基MEMS梁-复合膜-岛压阻式压力传感器设计研究 被引量:1
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作者 江浩 黄晶 +3 位作者 袁宇鹏 李春洋 苗晋威 李光贤 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期118-123,共6页
针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度与非线性度难以兼顾的问题,提出了一种梁-复合膜-岛压力传感结构,运用有限元仿真软件优化整体结构尺寸以得到最大纵横应力差、挠度,并设计压阻条压敏电阻掺杂类型、掺杂浓度、结构尺寸及分布位置... 针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度与非线性度难以兼顾的问题,提出了一种梁-复合膜-岛压力传感结构,运用有限元仿真软件优化整体结构尺寸以得到最大纵横应力差、挠度,并设计压阻条压敏电阻掺杂类型、掺杂浓度、结构尺寸及分布位置。将梁-复合膜-岛结构与传统结构的输出进行仿真对比,由仿真结果可知,梁-复合膜-岛结构在0~60 kPa压力范围内灵敏度较相关结构提升7%以上,较E型结构提升2倍,非线性度为0.029%FSS,满足MEMS微压压力传感器的高灵敏度、高线性度等要求,可支撑医疗领域相关应用研究。 展开更多
关键词 压阻式压力传感器 压敏电阻 高灵敏度 微压
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微观晶界特性对氧化锌压敏电阻宏观电气性能的影响机制
8
作者 孟鹏飞 郭敬科 +4 位作者 雷潇 王磊 张兵兵 缪奎 胡军 《工程科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期98-105,共8页
ZnO压敏电阻具有优良的非线性伏安特性与良好的通流能力,可以在电力系统发生过电压时吸收冲击能量从而实现对电力设备的保护,在电力设备的过电压保护中得到广泛应用。ZnO压敏电阻的非线性特性起源与其晶界特殊的双肖特基势垒结构有关,... ZnO压敏电阻具有优良的非线性伏安特性与良好的通流能力,可以在电力系统发生过电压时吸收冲击能量从而实现对电力设备的保护,在电力设备的过电压保护中得到广泛应用。ZnO压敏电阻的非线性特性起源与其晶界特殊的双肖特基势垒结构有关,微观晶界参数对ZnO压敏电阻的宏观电气性能参数起到决定性作用,而目前对于微观晶界特性对ZnO压敏电阻宏观电气性能的影响机制研究较少。本文基于Voronoi网络及改进的晶界分区模型,通过材料计算的方法研究了ZnO压敏电阻晶粒施主密度、晶界表面态密度、晶界分区参数等微观晶界特性对其宏观电气性能的影响规律。本文将高性能ZnO压敏电阻的研制过程视为多变量、多目标问题,并依据任意优化变量对优化目标的影响是否相同、优化变量对两类优化目标的作用效果是否相同对优化目标和优化变量进行分类,揭示了微观晶界对电气性能的影响机制。通过优化变量、优化目标的合理分类,将复杂的多变量、多目标问题有效简化,并依据分类变量和分类目标的特征制定分步优化策略,从微观物理层面对ZnO压敏电阻性能进行改善,对高性能ZnO压敏电阻的研制有重要意义。 展开更多
关键词 ZNO压敏电阻 材料计算 双肖特基势垒 晶界分区 影响机制
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Cr_(2)O_(3)对ZnO-Bi_(2)O_(3)基高压压敏陶瓷性能的影响
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作者 桂阳海 涂远生 +3 位作者 田宽 郭会师 黄海 张心华 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期54-60,共7页
采用固相烧结法制备ZnO-Bi_(2)O_(3)-Co_(2)O_(3)-NiO-Mn_(3)O_(4)-SiO_(2)-Cr_(2)O_(3)压敏陶瓷,研究不同掺杂量的Cr_(2)O_(3)对ZnO压敏陶瓷的微观结构和电气性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及电化学... 采用固相烧结法制备ZnO-Bi_(2)O_(3)-Co_(2)O_(3)-NiO-Mn_(3)O_(4)-SiO_(2)-Cr_(2)O_(3)压敏陶瓷,研究不同掺杂量的Cr_(2)O_(3)对ZnO压敏陶瓷的微观结构和电气性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及电化学工作站分别对样品的物相、微观形貌及电性能进行表征。结果表明:Cr_(2)O_(3)的加入不仅具有抑制ZnO晶粒异常生长和提升晶粒均匀分布的作用,而且能显著降低ZnO晶粒电阻,增加晶界电阻。在Cr_(2)O_(3)添加量为0%~0.21%(摩尔分数,下同)范围内,随着添加量的增大,压敏陶瓷的非线性系数表现为先增加后减小。当Cr_(2)O_(3)掺杂量为0.14%时,ZnO压敏陶瓷具有优异的电气性能:电位梯度E_(1 mA)=216 V·mm^(-1)、泄漏电流J_L=0.36μA·cm^(-2)、非线性系数α=25、残压比K=1.815、老化系数K_(ct)=0.647。此外,该压敏陶瓷在4/10μs波形下100 kA脉冲电流冲击2次后U_(1 mA)仍保持为初始的96.75%,表现出良好的冲击稳定性,在配电系统避雷器中具有巨大的应用潜力。 展开更多
关键词 ZNO压敏陶瓷 Cr_(2)O_(3)掺杂 微观结构 电气性能 阻抗性能
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一种高性能电源电涌保护器的设计
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作者 黄克俭 邳莹 +2 位作者 戴争鸣 刘克稳 黄丁诚 《电子设计工程》 2024年第4期52-55,60,共5页
以金属氧化物压敏电阻为主要保护元件的电涌保护器(SPD)广泛应用于低压配电系统,为提高狭窄或孤立区域的低压配电线路雷电防护能力,设计了一种高性能电源SPD。该产品利用现行各非线性元件的特点,采用多器件、多通道组合成的一体化拓朴电... 以金属氧化物压敏电阻为主要保护元件的电涌保护器(SPD)广泛应用于低压配电系统,为提高狭窄或孤立区域的低压配电线路雷电防护能力,设计了一种高性能电源SPD。该产品利用现行各非线性元件的特点,采用多器件、多通道组合成的一体化拓朴电路,分别对雷电进行有序吸收与释放,以达到工作稳定、通流量大、残压低的性能。该产品残压与通流能力的试验结果表明,相比于Uc为385、420 V的SPD,其残压分别下降百分之三十以上和百分之四十以上,最大通流能力可达110 kA。 展开更多
关键词 电涌保护器 金属氧化物压敏电阻 低残压 有序吸收与释放
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TiO_2压敏电阻的现状与展望 被引量:12
11
作者 张小文 甘国友 +2 位作者 严继康 季惠明 陈朝霞 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第8期41-43,50,共4页
概括了TiO_2压敏电阻的发展与现状,详细讨论了微观结构、掺杂及工艺对TiO_2压敏陶瓷电学性能的影响。根据目前国內外市场状况及其发展趋势,发展多学科交叉研究、优选组分、改进工艺是进一步改善材料性能的关键。在新形势下,开发高质量... 概括了TiO_2压敏电阻的发展与现状,详细讨论了微观结构、掺杂及工艺对TiO_2压敏陶瓷电学性能的影响。根据目前国內外市场状况及其发展趋势,发展多学科交叉研究、优选组分、改进工艺是进一步改善材料性能的关键。在新形势下,开发高质量、多功能TiO_2压敏电阻器,将极具市场前景和经济效益。 展开更多
关键词 TiO2压敏电阻 微观结构 电学性能 二氧化钛 半导体
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SiO_2对TiO_2系压敏陶瓷电性能的影响 被引量:15
12
作者 许毓春 李慧峰 +1 位作者 王士良 王礼琼 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1994年第5期41-43,共3页
本文主要讨论SiO_2对TiO_2系压敏陶瓷电性能的影响,并从理论上作了深入分析。
关键词 二氧化钛 压敏陶瓷 非线性 二氧化硅
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掺钽的二氧化钛电容-压敏陶瓷电学性能研究 被引量:13
13
作者 李长鹏 王矜奉 +3 位作者 陈洪存 苏文斌 钟维烈 张沛霖 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第2期113-115,123,共4页
通过对样品 I- V特性和势垒高度等参数的测定 ,研究了钽对二氧化钛压敏电阻电学性能的影响。研究中发现掺入的 x(Ta2 O5 ) 0 .2 5 %为的样品显示出最低的反转电压 (Eb=6 V/m m)、最高的非线性常数 (α=8.8)以及最高的相对介电常数 (εr=... 通过对样品 I- V特性和势垒高度等参数的测定 ,研究了钽对二氧化钛压敏电阻电学性能的影响。研究中发现掺入的 x(Ta2 O5 ) 0 .2 5 %为的样品显示出最低的反转电压 (Eb=6 V/m m)、最高的非线性常数 (α=8.8)以及最高的相对介电常数 (εr=6 .2× 10 4)这与该样品最高且最窄的晶界缺陷势垒相一致。样品的电学性能变化可用Ta5 +对 Ti4+的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释。相应的缺陷势垒模型用来解释势垒的形成。 展开更多
关键词 压敏材料 二氧化钛 电学性能 掺钽
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Co_3O_4在压敏陶瓷中的作用和影响 被引量:21
14
作者 曹全喜 周晓华 +2 位作者 蔡式东 徐毓龙 牛苏彦 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第4期260-263,共4页
研究了Co3O4在ZnO压敏陶瓷中的作用,以及它对电性能和微观结构的影响。X光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子探针(EPMA)分析结果表明,在ZnO压敏陶瓷中Co离子以Co2+的形式存在,多数Co离子已溶入Z... 研究了Co3O4在ZnO压敏陶瓷中的作用,以及它对电性能和微观结构的影响。X光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子探针(EPMA)分析结果表明,在ZnO压敏陶瓷中Co离子以Co2+的形式存在,多数Co离子已溶入ZnO晶粒中,形成替位或填隙缺陷,但它基本上不影响ZnO晶粒的生长。电性能测试结果表明,适当的氧化钻含量能提高ZnO压敏陶瓷的非线性系数和通流能力,并能降低漏电流和限制电压,然而过多的氧化钻则会对回升区大电流特性带来损害.此论点至今在国内外尚未见到类似的报道。 展开更多
关键词 压敏陶瓷 回升区 氧化钴
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La_2O_3 掺杂的 TiO_2 电容-压敏电阻器特性研究 被引量:14
15
作者 罗建军 方湘怡 武明堂 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第9期62-66,共5页
为改善TiO2电容-压敏电阻器的非线性,文章通过添加少量La2O3,使其非线性系数得到提高,并对其原因进行了分析.结果表明,La2O3添加剂可提高材料晶界势垒高度,从而提高了其非线性系数.
关键词 电容 压敏电阻器 非线性 氧化镧 二氧化钛 掺杂
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ZnO压敏电阻器复合添加剂制备技术 被引量:6
16
作者 曹全喜 籍聪麟 +2 位作者 梁燕萍 陈立军 周晓华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第4期316-318,322,共4页
论述了利用化学共沉淀法制备 Zn O压敏电阻器复合添加剂的原理和方法 ,讨论了氨水、碳酸氢铵等 8种试剂作为沉淀剂的可行性。实验结果证明 ,合理地选择复合沉淀剂和沉淀条件 ,可以显著地提高压敏电阻器的通流能力、降低残压比 ,并可降... 论述了利用化学共沉淀法制备 Zn O压敏电阻器复合添加剂的原理和方法 ,讨论了氨水、碳酸氢铵等 8种试剂作为沉淀剂的可行性。实验结果证明 ,合理地选择复合沉淀剂和沉淀条件 ,可以显著地提高压敏电阻器的通流能力、降低残压比 ,并可降低烧结温度和成本 ,有广阔的推广应用价值。 展开更多
关键词 压敏电阻器 添加剂 氧化锌 制备技术
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SnO_2压敏材料势垒电压的测量 被引量:17
17
作者 王勇军 王矜奉 +4 位作者 陈洪存 董火民 张沛霖 钟维烈 赵连义 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第3期197-199,共3页
依照缺陷势垒模型 ,将压敏电阻器视为双向导通的二极管 ,应用半导体理论对低电压情况下的电流 -电压关系数据进行了处理 ,得到了 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5压敏材料的势垒电压。选取的 4个测量温度得到的结果是相同的 ,保证了实验结果的正... 依照缺陷势垒模型 ,将压敏电阻器视为双向导通的二极管 ,应用半导体理论对低电压情况下的电流 -电压关系数据进行了处理 ,得到了 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5压敏材料的势垒电压。选取的 4个测量温度得到的结果是相同的 ,保证了实验结果的正确性。 展开更多
关键词 压敏电阻 势垒电压 氧化锡
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烧结温度对TiO_2压敏陶瓷性能的影响 被引量:7
18
作者 陈海芳 甘国友 +1 位作者 严继康 张小文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期135-136,142,共3页
Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结... Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结温度的升高,Ti O2压敏陶瓷有压敏电压降低、非线性系数升高的趋势。在1400℃烧结时显示出较低的压敏电压V1mA=5.12V·mm-1,较好的非线性系数a=5.2,和较高的介电常数εr=3.7×104。 展开更多
关键词 二氧化钛 压敏陶瓷 烧结温度 TIO2压敏陶瓷 陶瓷性能 非线性系数 压敏电压 介电常数 过电压保护 功能元件
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MEMS压阻式加速度传感器的优化设计 被引量:10
19
作者 杜春晖 何常德 +3 位作者 葛晓洋 于佳琪 熊继军 张文栋 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第6期848-852,共5页
提出了一种新型的MEMS压阻式加速度传感器,该传感器采用"四悬臂梁-质量块"结构,16个压敏电阻完全对称布放于悬臂梁上应力变化的线性区,既提高了传感器的灵敏度,又降低了轴间耦合度和非线性度。通过与八悬臂梁结构的仿真对比,... 提出了一种新型的MEMS压阻式加速度传感器,该传感器采用"四悬臂梁-质量块"结构,16个压敏电阻完全对称布放于悬臂梁上应力变化的线性区,既提高了传感器的灵敏度,又降低了轴间耦合度和非线性度。通过与八悬臂梁结构的仿真对比,得出该传感器具有更高的抗横向耦合性,约为八悬臂梁结构的30倍。 展开更多
关键词 电阻对称分布 抗耦合性 压阻式 三维 加速度传感器
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Nb掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响 被引量:7
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作者 臧国忠 王矜奉 +4 位作者 陈洪存 苏文斌 王文新 王春明 亓鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第6期457-459,共3页
研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响。当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209V/mm降至0.70V/mm,40Hz时,样品电阻从0.21MΩ降至48.3Ω,1kHz时的相对介电常数从831增大到42200。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Nb... 研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响。当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209V/mm降至0.70V/mm,40Hz时,样品电阻从0.21MΩ降至48.3Ω,1kHz时的相对介电常数从831增大到42200。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Nb对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变大是压敏电压急剧降低和介电常数增大的主要原因。对Nb掺杂量的增加引起样品阻抗减小的根源进行了解释。 展开更多
关键词 ZNO 压敏材料 势垒 晶界
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