液-固相法合成LiMn_(0.6)Fe_(0.4)PO_(4)的性能 被引量：4

1

作者 李亨利 徐荣益 +1 位作者 王昭沛 李意能 《电池》 CAS 北大核心 2024年第2期205-208,共4页

磷酸锰锂(LiMnPO_(4))材料的电导率低且充放电过程易发生Jahn-Teller效应,导致电化学性能不理想。通过液-固相法合成磷酸锰铁锂(LiMn_(0.6)Fe_(0.4)PO_(4))正极材料,并对晶体结构、放电曲线特性、循环性能等进行分析。Fe均匀地掺入Mn位... 磷酸锰锂(LiMnPO_(4))材料的电导率低且充放电过程易发生Jahn-Teller效应,导致电化学性能不理想。通过液-固相法合成磷酸锰铁锂(LiMn_(0.6)Fe_(0.4)PO_(4))正极材料,并对晶体结构、放电曲线特性、循环性能等进行分析。Fe均匀地掺入Mn位形成固溶体,样品的常温电化学性能得到改善。在2.0~4.3 V循环,0.1 C倍率下的放电比容量为156.5 mAh/g;以1.0 C倍率循环2000次,容量保持率超过80%。容量衰减主要源于循环过程中正极材料颗粒产生裂纹及颗粒粉化。 展开更多

关键词 锂离子电池 正极材料 磷酸锰铁锂(LiMn_(0.6)Fe_(0.4)PO_(4)) 容量衰减 掺杂 液-固相法 固溶体

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稀土Nd掺杂纳米ZnO薄膜气敏特性 被引量：21

2

作者 李健 白素杰 通拉嘎 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2004年第5期9-11,14,共4页

研究了用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备掺稀土Nd的ZnO薄膜的气敏特性,实验给出,经温度为500℃,时间为45min的氧化、热处理的掺Nd的ZnO薄膜的晶粒尺寸、结构特性均发生变化。随掺Nd质量分数的增大,薄膜的晶粒尺寸从53nm减小至20nm。经... 研究了用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备掺稀土Nd的ZnO薄膜的气敏特性,实验给出,经温度为500℃,时间为45min的氧化、热处理的掺Nd的ZnO薄膜的晶粒尺寸、结构特性均发生变化。随掺Nd质量分数的增大,薄膜的晶粒尺寸从53nm减小至20nm。经掺Nd(质量分数为4.96×10-2)后纳米ZnO薄膜对乙醇气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善。在1.5×10-3体积分数的乙醇气体中最高灵敏度为34,相应的薄膜工作温度为200℃。 展开更多

关键词 真空气相沉积 稀土Nd掺杂 ZNO薄膜 气敏特性 气体传感器

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氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展 被引量：5

3

作者 张育民 王建峰 +5 位作者 蔡德敏 徐俞 王明月 胡晓剑 徐琳 徐科 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期1970-1983,共14页

氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景。目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy,... 氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景。目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)方法生长制备的,在市场需求的推动下,近年来HVPE生长技术获得了快速的发展。本论文综述了近年来HVPE方法生长GaN单晶衬底的主要进展,主要内容包含HVPE生长GaN材料的基本原理、GaN单晶中的掺杂与光电性能调控、GaN单晶中的缺陷及其演变规律和GaN单晶衬底在器件中的应用。最后对HVPE生长方法的发展趋势进行了展望。 展开更多

关键词 氢化物气相外延生长 氮化镓 晶体生长 掺杂 光电性能 缺陷

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高温气相掺杂法制备高掺铥石英光纤 被引量：4

4

作者 衣永青 王东波 +2 位作者 梁小红 段云峰 宁鼎 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期264-267,共4页

介绍了用高温气相掺杂技术制备高掺铥双包层光纤的原理及制备工艺。通过料路温度与掺杂浓度的对比实验,以及对该新制备工艺的研究完善,找到了合适的料路温度,提高了铥的掺杂浓度和掺杂浓度的均匀性,新工艺有效消除了预制棒芯部的凹陷,... 介绍了用高温气相掺杂技术制备高掺铥双包层光纤的原理及制备工艺。通过料路温度与掺杂浓度的对比实验,以及对该新制备工艺的研究完善,找到了合适的料路温度,提高了铥的掺杂浓度和掺杂浓度的均匀性,新工艺有效消除了预制棒芯部的凹陷,降低了光纤的本底损耗,最终制作出掺杂浓度高(≥0.6%)、内包层形状为D形的高性能的掺铥双包层光纤。 展开更多

关键词 Tm3+掺杂 双包层光纤 高温气相掺杂 光纤激光器

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蒸气氧化法制备掺锑氧化锌纳米颗粒的研究 被引量：2

5

作者 祝柏林 曾大文 +2 位作者 谢长生 胡木林 宋武林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1255-1260,共6页

以不同摩尔比的Zn～Sb合金为原料,采用加热蒸发氧化-冷凝的方法在相同的试验条件下获得了纯的和Sb掺杂的ZnO纳米颗粒.纳米颗粒的形貌、结构和化学状态分别通过TEM、HRTEM、XRD和XPS进行了表征.通过TEM观察发现:随原料中Sb量的增加,颗粒... 以不同摩尔比的Zn～Sb合金为原料,采用加热蒸发氧化-冷凝的方法在相同的试验条件下获得了纯的和Sb掺杂的ZnO纳米颗粒.纳米颗粒的形貌、结构和化学状态分别通过TEM、HRTEM、XRD和XPS进行了表征.通过TEM观察发现:随原料中Sb量的增加,颗粒形貌由纯ZnO的四针状纳米晶须逐渐变化为棒状、四方形和六方形的颗粒状.六方形纳米颗粒的HRTEM分析表明:颗粒是结晶完好的纤锌矿结构的单晶,(1100)晶面间距比文献报道的纯ZnO的数值大.XRD没有检测到Sb掺杂ZnO纳米颗粒除ZnO外的其它物相,但XPS分析确定了Sb元素存在于纳米颗粒中.讨论了四针状纳米ZnO的形成及Sb的存在对颗粒形态的影响. 展开更多

关键词 蒸气氧化 Sb掺杂 ZNO 四针状纳米晶须

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真空气相沉积碲化镉薄膜特性研究 被引量：1

6

作者 季秉厚 孟凡英 +1 位作者 李健 其其格 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期41-44,共4页

用一种简便的制备CdTe薄膜的方法———真空气相沉积法 ,在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜。在真空度为133μPa真空室中 ,同时蒸发Cd +Te材料 ,形成CdTe薄膜。为改善其性能 ,采用改变Cd∶Te的原子配比和在Cd +Te材料中掺杂In ,用N2 作保护气体 ... 用一种简便的制备CdTe薄膜的方法———真空气相沉积法 ,在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜。在真空度为133μPa真空室中 ,同时蒸发Cd +Te材料 ,形成CdTe薄膜。为改善其性能 ,采用改变Cd∶Te的原子配比和在Cd +Te材料中掺杂In ,用N2 作保护气体 ,要不同温度下对薄膜进行热处理。通过SEM ,XRD ,SAM和AES等测试分析 ,分别研究了热处理前后CdTe薄膜的结构。 展开更多

关键词 CDTE薄膜 真空气相沉积 掺杂 in 热处理 测试 碲化镉薄膜 太阳能电池

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掺In纳米ZnO、CdS薄膜结构、光学特性分析 被引量：2

7

作者 吉雅图 李健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期191-194,共4页

采用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备纳米级ZnO和CdS薄膜。研究掺In和热处理对ZnO、CdS薄膜结构、光学特性的影响。实验给出 ,适当掺杂能够明显改善纳米ZnO、CdS薄膜的物相结构 ,ZnO薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小 ,CdS薄膜晶粒... 采用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备纳米级ZnO和CdS薄膜。研究掺In和热处理对ZnO、CdS薄膜结构、光学特性的影响。实验给出 ,适当掺杂能够明显改善纳米ZnO、CdS薄膜的物相结构 ,ZnO薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小 ,CdS薄膜晶粒尺寸随掺杂含量的增加而变大 ,但薄膜的光透射性有所降低。在短波范围内 ,ZnO薄膜的光透率好于CdS薄膜 ;在 5 0 0nm～ 1 0 0 0nm范围内 ,CdS薄膜的光透率好。掺In后ZnO薄膜的光学带宽从 3 2eV减小至 2 85eV ;掺In后CdS薄膜光学带宽从 2 4 2eV减小至 2 35eV。 展开更多

关键词 薄膜太阳电池 真空气相沉积 物相结构 光学特性 纳米薄膜 ZNO CDS 铟 掺杂

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测定二元物系共沸数据新方法的研究 被引量：1

8

作者 金仕夷 姜涛 +2 位作者 王秀珍 赵松钧 陈尊庆 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期85-92,共8页

提出了用惰性气流带出气相色谱法测定二元物系共沸数据的新方法。该方法只需测定恒温下平衡气相的组成y,即可求得总压力p。并由所提出的拟合p-y关系的方法确定共沸数据。验证、测定了4种具有最高共沸点和最低共沸点在不同温度下的共沸... 提出了用惰性气流带出气相色谱法测定二元物系共沸数据的新方法。该方法只需测定恒温下平衡气相的组成y,即可求得总压力p。并由所提出的拟合p-y关系的方法确定共沸数据。验证、测定了4种具有最高共沸点和最低共沸点在不同温度下的共沸数据。测定结果与文献值比较相符合。同时对文献中一系列有关相平衡数据的计算结果进一步表明,该方法是可靠的。 展开更多

关键词 二元物 测定 沸点 共沸 气-液平衡

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国产30/600μm掺镱光纤实现4.1kW激光输出

9

作者 庞璐 王标 +4 位作者 衣永青 潘蓉 刘君 耿鹏程 宁鼎 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期3-5,共3页

采用化学气相沉积结合气相/液相复合掺杂方式制备30/600μm掺镱双包层光纤,石英纤芯中的掺杂组分为Yb_2O_3,Al_2O_3,P_2O_5。基于976nm发光二极管反向抽运方式,构建全光纤化的主控振荡器功率放大器结构对增益光纤进行测试。实验中,种子... 采用化学气相沉积结合气相/液相复合掺杂方式制备30/600μm掺镱双包层光纤,石英纤芯中的掺杂组分为Yb_2O_3,Al_2O_3,P_2O_5。基于976nm发光二极管反向抽运方式,构建全光纤化的主控振荡器功率放大器结构对增益光纤进行测试。实验中,种子源功率为189W,当泵浦总功率为4747W时,激光输出功率为4120W,放大级光光效率为85%,3dB带宽为1.6nm。激光器连续工作1h,激光功率稳定在4100W,未发生明显的功率衰退现象。 展开更多

关键词 气相/液相复合掺杂 双包层掺镱光纤 光纤激光器

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掺铥光纤纤芯掺杂浓度与吸收系数实验研究

10

作者 衣永青 梁小红 +2 位作者 段云峰 王东波 宁鼎 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2010年第2期27-29,共3页

以掺铥双包层光纤为例,主要介绍了用高温气相掺杂工艺制备高掺铥双包层光纤的工艺原理和工艺过程,对不同料路温度下铥的掺杂浓度进行了研究,重点研究了纤芯掺杂浓度与吸收系数的关系,通过研究找到了相关规律,为采用高温气相掺杂工艺制... 以掺铥双包层光纤为例,主要介绍了用高温气相掺杂工艺制备高掺铥双包层光纤的工艺原理和工艺过程,对不同料路温度下铥的掺杂浓度进行了研究,重点研究了纤芯掺杂浓度与吸收系数的关系,通过研究找到了相关规律,为采用高温气相掺杂工艺制备高掺铥双包层光纤提供了依据。 展开更多

关键词 高温气相掺杂 Tm3+掺杂 吸收系数 双包层光纤

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Fe_2O_3掺杂FeVO_4光催化剂降解甲基橙研究

11

作者 王敏 周丽娜 张文杰 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2010年第3期10-13,共4页

采用液相沉淀法制备了Fe2O3掺杂FeVO4光催化剂,采用X-射线衍射仪和扫描电子显微镜对其物相进行表征。在20 W紫外灯(主波长λ=253.7 nm)照射一定质量浓度的甲基橙溶液,研究其对甲基橙溶液光催化脱色效果。研究了甲基橙溶液初始质量浓度... 采用液相沉淀法制备了Fe2O3掺杂FeVO4光催化剂,采用X-射线衍射仪和扫描电子显微镜对其物相进行表征。在20 W紫外灯(主波长λ=253.7 nm)照射一定质量浓度的甲基橙溶液,研究其对甲基橙溶液光催化脱色效果。研究了甲基橙溶液初始质量浓度、催化剂质量浓度、光照强度及pH对甲基橙溶液脱色的影响。研究结果表明,当ρ(甲基橙)为10mg/L时,ρ((光催化剂)为4g/L,d(光照)为14 cm,甲基橙溶液pH为5时对甲基橙溶液的脱色率达到最高,100min内达82%左右。 展开更多

关键词 液相沉积 Fe2O3掺杂FeVO4 光催化剂 甲基橙溶液

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铝掺杂对CdFe_2O_4体系物相、电导和气敏性能的影响

12

作者 唐玲 方必军 刘杏芹 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期61-66,共6页

按化学式Cd(AlxFe1-x)2O4进行化学计量配比,以化学共沉淀法制备了系列掺铝CdFe2O4固溶体粉料。XRD测量结果表明,掺铝Cd(AlxFe1-x)2O4固溶体的固溶x值范围为0<x≤0.15。研究了铝掺杂对CdFe2O4物相、电导和气敏性能的影响。结果表明:... 按化学式Cd(AlxFe1-x)2O4进行化学计量配比,以化学共沉淀法制备了系列掺铝CdFe2O4固溶体粉料。XRD测量结果表明,掺铝Cd(AlxFe1-x)2O4固溶体的固溶x值范围为0<x≤0.15。研究了铝掺杂对CdFe2O4物相、电导和气敏性能的影响。结果表明:铝掺杂能降低CdFe2O4的电阻,并有效地改善CdFe2O4的气敏性能。 展开更多

关键词 CdFe2O4固溶体 铝掺杂相组成 电导 气敏性能

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在Sr^(2+)：α-BBO单晶衬底上生长β-BBO薄膜的研究

13

作者 刘军芳 徐军 姚武 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1454-1460,共7页

采用液相外延法、脉冲激光沉积法以及气相传输平衡法在Sr^(2+)∶α-BBO(001)衬底上生长了质量优异的β-BBO薄膜,对薄膜进行了X射线衍射测试以及双晶摇摆曲线分析,结果表明,采用Sr^(2+)∶α-BBO单晶作为衬底制备的β-BBO薄膜具有高的择... 采用液相外延法、脉冲激光沉积法以及气相传输平衡法在Sr^(2+)∶α-BBO(001)衬底上生长了质量优异的β-BBO薄膜,对薄膜进行了X射线衍射测试以及双晶摇摆曲线分析,结果表明,采用Sr^(2+)∶α-BBO单晶作为衬底制备的β-BBO薄膜具有高的择优取向度和低的半峰宽值．同目前制备β-BBO薄膜所采用的其他衬底材料相比,Sr^(2+)∶α-BBO和β-BBO之间具有结构相似、透光范围匹配以及化学稳定性匹配的优点,表明Sr^(2+)∶α-BBO单晶将是生长β-BBO薄膜的优异衬底材料． 展开更多

关键词 Sr^2+:α-BBO衬底 β-BBO薄膜 液相外延 脉冲激光沉积 气相传输平衡

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气相羟醛缩合法制MA及MMA研究进展

14

作者 陈晓晖 许锡恩 《化工进展》 EI CAS CSCD 1998年第6期16-19,55,共5页

介绍了以丙酸或丙酸酯为原料，用气相羟醛缩合法制甲基丙烯酸（MA）及甲基丙烯酸甲酯（MMA）的研究进展，催化剂载体、负载离子形式、反应条件等对催化剂性能的影响，以及催化剂再生工艺的研究成果及动态，指出气相羟醛缩合法合成MA及MM... 介绍了以丙酸或丙酸酯为原料，用气相羟醛缩合法制甲基丙烯酸（MA）及甲基丙烯酸甲酯（MMA）的研究进展，催化剂载体、负载离子形式、反应条件等对催化剂性能的影响，以及催化剂再生工艺的研究成果及动态，指出气相羟醛缩合法合成MA及MMA是今后的发展方向。 展开更多

关键词 气相羟醛缩合 甲基丙烯酸 MA MMA

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二氧化硅掺杂对二氧化钛晶型转变机理的影响 被引量：9

15

作者 吴胜财 罗弦 +3 位作者 龙永富 张露 徐本军 黄润 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期99-107,共9页

不同物理混合SiO2掺杂量下,通过高温原位XRD,TEM,Rietveld全谱拟合晶胞常数及XPS分析二氧化钛相变过程中化学键的变化规律,以及硅对锐钛矿到金红石(A→R)二氧化钛转变机理的影响。结果表明:其影响机理为畸变能和晶核形成共同控制,SiO2... 不同物理混合SiO2掺杂量下,通过高温原位XRD,TEM,Rietveld全谱拟合晶胞常数及XPS分析二氧化钛相变过程中化学键的变化规律,以及硅对锐钛矿到金红石(A→R)二氧化钛转变机理的影响。结果表明:其影响机理为畸变能和晶核形成共同控制,SiO2掺杂量≤7.5%(质量分数,下同)时为抑制相变作用,此时,Si^4+会置换二氧化钛晶格中的Ti^4+,产生畸变,抑制二氧化钛的A→R型转变;SiO2掺杂量>7.5%时为促进作用,此时多余的SiO2会充当金红石型二氧化钛的晶核,从而促进二氧化钛的A→R型转变。 展开更多

关键词 掺杂 二氧化钛 固溶体 相变 二氧化硅

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固溶体MAX相(Ti_(0.5)V_(0.5))_3AlC_2的制备及其对MgH_2储氢性能的催化影响 被引量：3

16

作者 张欣 沈正阳 +4 位作者 简旎 姚建华 高明霞 潘洪革 刘永锋 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第1期101-108,共8页

通过无压烧结法制备了固溶体MAX相(Ti_(0.5)V_(0.5))_3AlC_2,研究了其添加对MgH_2储氢性能的影响。结果发现,固溶体MAX相(Ti_(0.5)V_(0.5))_3AlC_2中的Ti和V元素通过协同作用,呈现出更高的催化活性。添加质量分数10%(Ti_(0.5)V_(0.5))_3... 通过无压烧结法制备了固溶体MAX相(Ti_(0.5)V_(0.5))_3AlC_2,研究了其添加对MgH_2储氢性能的影响。结果发现,固溶体MAX相(Ti_(0.5)V_(0.5))_3AlC_2中的Ti和V元素通过协同作用,呈现出更高的催化活性。添加质量分数10%(Ti_(0.5)V_(0.5))_3AlC_2的MgH_2样品的起始放氢温度为230℃,较原始MgH_2降低了60℃。在275℃下等温放氢,(Ti_(0.5)V_(0.5))_3AlC_2添加样品的放氢速率可达0.35%·min^(-1),是原始MgH_2样品的4倍左右。此外,完全放氢后的MgH_2-10%(Ti_(0.5)V_(0.5))_3AlC_2样品在150℃、5 MPa氢压下,可在60 s内吸收4.7%的氢。计算显示,MgH_2-10%(Ti_(0.5)V_(0.5))_3AlC_2样品的表观活化能为79.6 kJ·mol^(-1),较原始MgH_2(153.8 kJ·mol^(-1))降低了48%,这是MgH_2放氢性能得到改善的主要原因。 展开更多

关键词 储氢材料 金属氢化物 MgH2 催化剂添加 固溶体MAX相

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一维硫化锌纳米材料的制备研究进展 被引量：2

17

作者 逯亚飞 胡如男 +3 位作者 孔祥荣 刘景荣 许立信 叶明富 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期4-6,共3页

硫化锌(ZnS)是一种重要的无毒半导体材料,具有较宽的禁带宽度及特殊的光电性质。一维纳米ZnS因其在科学研究和技术领域的重要应用价值,更是引起了广泛关注。综述了ZnS一维纳米材料的制备方法,并对其发展趋势和前景进行了展望。

关键词 硫化锌 一维纳米材料 液相法 气相法

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GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展 被引量：1

18

作者 齐占国 刘磊 +6 位作者 王守志 王国栋 俞娇仙 王忠新 段秀兰 徐现刚 张雷 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期243-255,共13页

相比于第一代和第二代半导体材料,第三代半导体材料具有更高的击穿场强、电子饱和速率、热导率以及更宽的带隙,更适用于制备高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀的电子器件、光电子器件和发光器件。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表之一... 相比于第一代和第二代半导体材料,第三代半导体材料具有更高的击穿场强、电子饱和速率、热导率以及更宽的带隙,更适用于制备高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀的电子器件、光电子器件和发光器件。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表之一,是制作蓝绿激光、射频微波器件和电力电子器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通信、相控阵雷达、航空航天等领域具有广阔的应用前景。氢化物气相外延(Hydride vapor phase epitaxy,HVPE)方法因生长设备简单、生长条件温和和生长速度快而成为制备GaN晶体的主流方法。由于普遍使用石英反应器,HVPE法生长获得的非故意掺杂GaN不可避免地存在施主型杂质Si和O,使其表现出n型半导体特性,但载流子浓度高和电导率低限制了其在高频大功率器件中的应用。掺杂是改善半导体材料电学性能最普遍的方法,通过掺杂不同掺杂剂可以获得不同类型的GaN单晶衬底,提高其电化学特性,从而满足市场应用的不同需求。本文介绍了GaN半导体晶体材料的基本结构和性质,综述了近年来采用HVPE法生长高质量GaN晶体的主要研究进展;对GaN的掺杂特性、掺杂剂类型、生长工艺以及掺杂原子对电学性能的影响进行了详细介绍。最后简述了HVPE法生长掺杂GaN单晶面临的挑战和机遇,并展望了GaN单晶的未来发展前景。 展开更多

关键词 氮化镓 氢化物气相外延 掺杂 晶体生长 综述

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稀土Nd掺杂纳米SnO_2薄膜气敏特性 被引量：1

19

作者 高燕 李健 +1 位作者 吉雅图 韩菲 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第6期29-31,共3页

用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备纯SnO2和掺稀土Nd的SnO2薄膜,在500℃氧气气氛条件下进行45min热处理,获得良好的纳米SnO2薄膜和掺稀土Nd的SnO2薄膜。结果显示掺Nd和热处理使纳米SnO2薄膜的结构、导电性能得到一定的改善。掺Nd5%的SnO... 用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备纯SnO2和掺稀土Nd的SnO2薄膜,在500℃氧气气氛条件下进行45min热处理,获得良好的纳米SnO2薄膜和掺稀土Nd的SnO2薄膜。结果显示掺Nd和热处理使纳米SnO2薄膜的结构、导电性能得到一定的改善。掺Nd5%的SnO2薄膜对气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善,其中,对丁烷的选择性、灵敏度最好,在体积分数为7.2×10-3时,灵敏度可达到340,但对乙醇、丙酮气体的敏感性较差。 展开更多

关键词 纳米 真空气相沉积 气敏特性 SNO2薄膜 ND掺杂

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Y掺杂的V基固溶体膜的结构和氢渗透性能 被引量：1

20

作者 陆永鑫 王凤 +5 位作者 龙乾新 杜勇 张艳丽 李家丞 吴晨曦 王仲民 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期2222-2233,共12页

V基固溶体合金具有较高的氢溶解度和氢渗透速率,但氢分离应用存在氢脆和高温内扩散问题。本研究制备了V_(92−x)Fe_(8)Y_(x)、V_(92−x)F_(e)4Pd_(4)Y_(x)(x=0,0.2)合金,探讨Y掺杂(0.2%)对V基固溶体合金结构和氢渗透性能的影响。结果表明:... V基固溶体合金具有较高的氢溶解度和氢渗透速率,但氢分离应用存在氢脆和高温内扩散问题。本研究制备了V_(92−x)Fe_(8)Y_(x)、V_(92−x)F_(e)4Pd_(4)Y_(x)(x=0,0.2)合金,探讨Y掺杂(0.2%)对V基固溶体合金结构和氢渗透性能的影响。结果表明:Y掺杂的V基固溶体偏析出第二相,V_(91.8)Fe_(8)Y_(0.2)合金偏析出富Y的Y-V化合物,V_(91.8)Fe_(4)Pd_(4)Y_(0.2)偏析出富Pd的Pd-Y-V化合物相。Y掺杂降低了合金的氢溶解度,提高了抗氢脆性能。V_(91.8)Fe_(4)Pd_(4)Y_(0.2)膜片氢渗透系数为5.93×10^(−8)mol∙m^(−1)∙s^(−1)∙Pa^(−0.5)(723 K),大约是纯Pd膜氢渗透系数的4倍。高温氢渗透持久性测试后(723 K,10 h),V_(92)Fe_(8)和V_(92)Fe_(4)Pd_(4)膜片氢通量均降到0,V91.8Fe4Pd4Y0.2膜片氢通量保持为8.28×10^(−6)mol∙m^(−1)∙s^(−1)。结构分析表明,微量Y掺杂(0.2%)在一定程度上能抑制渗氢过程中Pd膜与V基底互扩散现象,进而改善高温下膜片氢渗透稳定性。 展开更多

关键词 V基固溶体 Y掺杂 偏析相 互扩散 氢渗透系数

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