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透射式GaAs光阴极的静电键合粘结被引量：1: 1; 作者高斐郭晖 +5 位作者胡仓陆向世明石峰彭岔霞冯驰徐晓兵《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1549-1552,共4页; 提出了用于GaAs光阴极粘结的静电键合方法．相比于传统的热粘结方法，该方法温度低（350℃），时间短（5min），在空气中进行．所制得的GaAs光阴极在激活台内的峰值灵敏度为68．8mA／w（峰值波长为830nm）．以此制作的三代微光管的积分... 展开更多; 关键词微光像增强器 gaas光阴极静电键合灵敏度; 在线阅读下载PDF 职称材料

透射式GaAs光电阴极荧光谱特性研究被引量：1: 2; 作者李晓峰石峰冯刘《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第6期319-324,共6页; 测量了透射式GaAs光电阴极四层、二层结构组件和三代像增强器光电阴极的荧光谱。激发光的波长分别为514.5 nm和785 nm。测量结果表明,GaAs外延层荧光谱的峰值波长较GaAs衬底荧光峰值波长长。当GaAs阴极四层结构组件变为二层结构组件时,G... 展开更多; 关键词像增强器 gaas光电阴极荧光谱晶格应变应力; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs光阴极像增强器的选通特性: 3; 作者李冬杨凯翔 +3 位作者盛亮李阳段宝军张美《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第17期2505-2514,共10页; 针对GaAs光阴极像增强器在ns级选通成像中的时空特性,通过引入传输线阻抗完善了光阴极径向RLC传输模型,更准确地描述了选通过程中光快门的变化趋势,实验证实去除防离子反馈膜有利于改善光快门,使得光快门与电快门更为一致,在驱动电脉冲... 展开更多; 关键词 gaas光阴极选通特性动态空间分辨像增强器; 在线阅读下载PDF 职称材料

三代像增强器用微通道板的改进与发展被引量：6: 4; 作者潘京生《应用光学》 CAS CSCD 2006年第3期211-215,共5页; 简要说明了三代像增强器的特点,分析了微通道板的离子反馈形成机理,给出有效抑制离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法,即一种是减少和清除微通道板的吸附气体,另一种是阻止反馈离子反馈到光阴极上。介绍了国外最新的三代像增强器,以及使... 展开更多; 关键词三代像增强器砷化镓光阴极微通道板离子反馈无膜选通砷化镓光阴极像增强器; 在线阅读下载PDF 职称材料

三代像增强器夜视系统的实际性能: 5; 作者李景生《应用光学》 CAS CSCD 1999年第4期16-18,共3页; 采用ＧａＡｓ阴极的第三代夜视器件具有灵敏度高和红外响应好的优点，为系统充分利用夜天光辐射创造了有利条件。本文从这一特点出发分析三代微光夜视系统的潜在能力，并指出影响潜在性能发挥的因素。; 关键词像增强器光谱响应砷化镓阴极夜视系统; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透射式GaAs光阴极的静电键合粘结被引量：1: 1; 作者高斐郭晖胡仓陆向世明石峰彭岔霞冯驰徐晓兵; 机构西安应用光学研究所微光夜视技术国防科技重点实验室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1549-1552,共4页; 文摘提出了用于GaAs光阴极粘结的静电键合方法．相比于传统的热粘结方法，该方法温度低（350℃），时间短（5min），在空气中进行．所制得的GaAs光阴极在激活台内的峰值灵敏度为68．8mA／w（峰值波长为830nm）．以此制作的三代微光管的积分灵敏度为1311uA／lm，优于传统的热粘结工艺制作的微光管的灵敏度（～1200uA／lm）．; 关键词微光像增强器 gaas光阴极静电键合灵敏度; Keywords image intensifier gaas photocathode Electrostatic bonding Sensitivity; 分类号 O462.3 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透射式GaAs光电阴极荧光谱特性研究被引量：1: 2; 作者李晓峰石峰冯刘; 机构微光夜视技术重点实验室北方夜视技术股份有限公司; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第6期319-324,共6页; 基金微光夜视技术重点实验室基金编号:J2011016; 文摘测量了透射式GaAs光电阴极四层、二层结构组件和三代像增强器光电阴极的荧光谱。激发光的波长分别为514.5 nm和785 nm。测量结果表明,GaAs外延层荧光谱的峰值波长较GaAs衬底荧光峰值波长长。当GaAs阴极四层结构组件变为二层结构组件时,GaAs发射层的荧光谱峰值波长向长波方向移动。将GaAs阴极二层结构组件减薄激活之后,GaAs阴极发射层的荧光谱峰值波长向短波方向移动。三代像增强器GaAs阴极组件在制作过程中荧光谱峰值波长变化的原因主要是GaAs发射层内部晶格存在应变,因此当四层GaAs阴极组件变为二层GaAs阴极组件之后,由于GaAs发射层内部晶格应变状态的变化,致使荧光谱的峰值波长向长波方向移动。当二层GaAs阴极组件经过减薄、热清洗和激活之后,由于GaAs发射层内部应力的释放,应变在一定程度上得到消除,因此GaAs发射层的荧光谱峰值波长又向短波方向移动。通常情况下,GaAs材料的荧光谱是一条高斯型的曲线,但对三代管GaAs阴极组件而言,当GaAs发射层中存在不均匀的晶格应变时,其荧光谱曲线在峰值附近会出现不规则的形状,而当不均匀的晶格应变消除后,荧光谱曲线会恢复到正常的形状。所以GaAs发射层中存在的应变会通过荧光谱反映出来,这样在GaAs光电阴极的制作过程中,除了通过测量积分光荧光来评价GaAs光电阴极的制作过程之外,还可以通过测量GaAs光电阴极荧光谱的峰值波长变化来监控GaAs光电阴极的制作过程。; 关键词像增强器 gaas光电阴极荧光谱晶格应变应力; Keywords image intensifier gaas photocathode fluorescence spectrum lattice strain stress; 分类号 O462.3 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs光阴极像增强器的选通特性: 3; 作者李冬杨凯翔盛亮李阳段宝军张美; 机构强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所); 出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第17期2505-2514,共10页; 基金卓越青年基金资助项目(No.JQZQ021901) 国家自然科学基金资助项目(No.12175183)。; 文摘针对GaAs光阴极像增强器在ns级选通成像中的时空特性,通过引入传输线阻抗完善了光阴极径向RLC传输模型,更准确地描述了选通过程中光快门的变化趋势,实验证实去除防离子反馈膜有利于改善光快门,使得光快门与电快门更为一致,在驱动电脉冲宽度为17.7 ns时,光快门宽度与电快门宽度的差异仅为1.1 ns;基于蒙特卡罗模拟方法,建立了光电子在分段线性快门脉冲电压驱动下经过第一近贴后的空间弥散模型,模拟结果表明:GaAs光阴极相较于S20光阴极在选通成像中的空间分辨下降更小。在20 lp/mm时,GaAs的动态空间分辨是静态空间分辨的80%,而S20光阴极不足70%,理论模拟与实验结果相一致,所建立的模型可用来分析和优化像增强器结构参数,为优化选通成像性能提供理论依据。; 关键词 gaas光阴极选通特性动态空间分辨像增强器; Keywords gaas photocathode gating characteristics dynamic spatial resolution image intensifier; 分类号 O462.3 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名三代像增强器用微通道板的改进与发展被引量：6: 4; 作者潘京生; 机构北方夜视技术股份有限公司南京分公司; 出处《应用光学》 CAS CSCD 2006年第3期211-215,共5页; 文摘简要说明了三代像增强器的特点,分析了微通道板的离子反馈形成机理,给出有效抑制离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法,即一种是减少和清除微通道板的吸附气体,另一种是阻止反馈离子反馈到光阴极上。介绍了国外最新的三代像增强器,以及使用优化改进的高性能微通道板显著减薄甚至彻底去除微通道板离子反馈膜的方法,该方法能维持砷化镓光阴极足够长的工作寿命,还介绍了最新发展的体导电微通道板和硅微通道板。指出高可靠性无膜选通砷化镓像增强器技术的实现,不仅需要微通道板在抑制离子反馈方面取得突破,还需要砷化镓光阴极在耐受离子反馈能力上进一步提高,同时还要结合和拓展选通电源的应用。; 关键词三代像增强器砷化镓光阴极微通道板离子反馈无膜选通砷化镓光阴极像增强器; Keywords Gen Ⅲ image intensifier gaas photocathode microchannel plate ion feedback unfilmed auto-gating gaas photocathode image intensifier; 分类号 TN223 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名三代像增强器夜视系统的实际性能: 5; 作者李景生; 机构西安应用光学研究所; 出处《应用光学》 CAS CSCD 1999年第4期16-18,共3页; 文摘采用ＧａＡｓ阴极的第三代夜视器件具有灵敏度高和红外响应好的优点，为系统充分利用夜天光辐射创造了有利条件。本文从这一特点出发分析三代微光夜视系统的潜在能力，并指出影响潜在性能发挥的因素。; 关键词像增强器光谱响应砷化镓阴极夜视系统; Keywords Generation Ⅲ image intensifier gaas photocathod spectral response MTF; 分类号 TN144 [电子电信—物理电子学] TN223 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	透射式GaAs光阴极的静电键合粘结	高斐郭晖胡仓陆向世明石峰彭岔霞冯驰徐晓兵	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	透射式GaAs光电阴极荧光谱特性研究	李晓峰石峰冯刘	《红外技术》 CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	GaAs光阴极像增强器的选通特性	李冬杨凯翔盛亮李阳段宝军张美	《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	三代像增强器用微通道板的改进与发展	潘京生	《应用光学》 CAS CSCD	2006	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	三代像增强器夜视系统的实际性能	李景生	《应用光学》 CAS CSCD	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料