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题名超低漏电流超快恢复SiGeC功率二极管研究
被引量：1
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作者
刘静
高勇
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机构
西安理工大学电子工程系
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期2525-2529,共5页
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基金
国家自然科学基金(No.50477012)
高等学校博士学科点专向科研基金(No.20050700006)
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文摘
提出一种超低漏电流超快恢复SiGeC p-i-n二极管结构.基于异质结电流输运机制,该SiGeC二极管实现了低通态压降下高电流密度的传输,改善了二极管的反向恢复特性,同时具有较低的反向漏电流.与少子寿命控制技术相比,该器件有效协调了降低通态电压、减小反向漏电流、缩短反向恢复时间三者之间的矛盾.对不同温度下器件反向恢复特性研究结果表明,SiGeC二极管的反向恢复时间与同结构SiGe二极管相比,350K时缩短了1/3,400K时缩短了40%以上,器件的热稳定性显著提高,降低了对器件后续制作工艺的限制,有益于功率集成.
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关键词
硅锗碳
超低漏电流超快恢复
热稳定性
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Keywords
SiGeC
ultra-low leakage current and ultra-fast recovery characteristics
thermal stability
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分类号
TN313.4
[电子电信—物理电子学]
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