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负电子亲和势氮化镓光电阴极
被引量：
7
1
作者
李慧蕊
申屠军
+1 位作者
戴丽英
马建一
《光电子技术》
CAS
2007年第2期73-77,共5页
负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在...
负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活。
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关键词
超高真空
激活
负电子亲和势
gan
光电阴极
紫外敏感
光电探测
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职称材料
题名
负电子亲和势氮化镓光电阴极
被引量：
7
1
作者
李慧蕊
申屠军
戴丽英
马建一
机构
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出处
《光电子技术》
CAS
2007年第2期73-77,共5页
文摘
负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活。
关键词
超高真空
激活
负电子亲和势
gan
光电阴极
紫外敏感
光电探测
Keywords
ultra high vacuum activation negative electron affinity gan photocathode
ultra
violet sensitive photo detection
分类号
O462.3 [理学—电子物理学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
负电子亲和势氮化镓光电阴极
李慧蕊
申屠军
戴丽英
马建一
《光电子技术》
CAS
2007
7
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