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碘化铅(PbI_2)单晶体的生长研究 被引量:7
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作者 朱兴华 赵北君 +3 位作者 朱世富 金应荣 赵欣 杨晓龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期25-28,共4页
本文以高纯Pb、I2 单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2 多晶原料,避免了安瓿的爆炸。以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为15mm×30mm的PbI2 单晶锭。该晶锭外观完整、呈橙黄色、... 本文以高纯Pb、I2 单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2 多晶原料,避免了安瓿的爆炸。以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为15mm×30mm的PbI2 单晶锭。该晶锭外观完整、呈橙黄色、半透明状,其电阻率为 1010Ω·cm量级,X射线衍射分析获得了 (001)面的四级衍射谱,表明该晶体是结构完整的单晶体,可用于探测器的制作。 展开更多
关键词 碘化铅 单晶体 BRIDGMAN法 衍射谱 X射线衍射分析 气相 单质 原料 多晶 安瓿
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gGaS_2单晶生长与完整性研究 被引量:6
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作者 朱兴华 赵北君 +5 位作者 朱世富 于丰亮 邵双运 宋芳 高德友 蔡力 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期63-66,共4页
采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2 多晶 ,计算出晶格常数a=5.7535nm ,c =10 .30 0 8nm ,以及S原子位置x =0 .2 79,与PDF值相差很小 ,表明其是高质量的多晶原料。以此为原料用改进Bridgman法生长出直径 15mm长... 采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2 多晶 ,计算出晶格常数a=5.7535nm ,c =10 .30 0 8nm ,以及S原子位置x =0 .2 79,与PDF值相差很小 ,表明其是高质量的多晶原料。以此为原料用改进Bridgman法生长出直径 15mm长度 30mm的单晶体 ,经外形观测、解理试验和X射线衍射分析表明其是结晶完整的单晶体。 展开更多
关键词 AGGAS2 多晶合成 单晶生长 二温区气相输运温度振荡方法 改进Bridgman法 结晶完整性
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改进两温区气相输运法合成磷锗锌多晶材料
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作者 赵欣 朱世富 吴小娟 《人工晶体学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第12期3473-3478,共6页
按富P 0.5%配料工艺,采用改进的两温区气相输运法合成ZnGeP_2多晶原料,既简化了传统两温区法的装料工艺,又有效避免了合成安瓿爆炸,提高了合成产量。经XRD,SEM,EDS分析结果表明:新方法合成的ZnGeP_2多晶原料纯度高,具有黄铜矿结构,空间... 按富P 0.5%配料工艺,采用改进的两温区气相输运法合成ZnGeP_2多晶原料,既简化了传统两温区法的装料工艺,又有效避免了合成安瓿爆炸,提高了合成产量。经XRD,SEM,EDS分析结果表明:新方法合成的ZnGeP_2多晶原料纯度高,具有黄铜矿结构,空间群为42m,晶格常数a=b=0.5456 nm,c=1.0691 nm,多晶料的组成元素原子比Zn∶Ge∶P=1∶0.95∶2.06,接近ZnGeP_2的理想化学配比Zn∶Ge∶P=1∶1∶2。以此为原料,用坩埚下降法生长出等径尺寸约为Φ25 mm×50 mm的ZnGeP_2单晶体。 展开更多
关键词 磷锗锌 多晶合成 双层安瓿 两温区气相输运法
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室温核辐射探测材料碘化铟多晶合成及结构分析
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作者 徐朝鹏 王倩 +3 位作者 张磊 陈飞鸿 王永贞 纪亮亮 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1460-1464,共5页
以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了In I多晶料,研究了高纯In I多晶合成工艺。用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的In I多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEMEDS)对其成分进行分析,用等离子体原... 以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了In I多晶料,研究了高纯In I多晶合成工艺。用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的In I多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEMEDS)对其成分进行分析,用等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)对其组成的元素进行痕量测定。研究结果表明:合成的In I多晶料晶格结构完整,纯度高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c=0.491 nm,且碘和铟比例接近1∶1。 展开更多
关键词 碘化铟 多晶合成 两温区气相输运法 结构分析
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