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Transmitting oscillation suppression of low-Tc SQUID TEM system based on RC serial and multi-parallel capacity snubber circuit 被引量:1
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作者 JI Yan-ju LI Zong-wei +5 位作者 RONG Liang-liang XIE Li-jun XIE Xiao-ming DU Shang-yu LIN Jun WANG Yuan 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第9期2076-2084,共9页
A low-temperature superconducting quantum interference device(low-Tc SQUID)can improve the depth of exploration.However,a low-Tc SQUID may lose its lock owing to oscillations in the current or the occurrence of spikes... A low-temperature superconducting quantum interference device(low-Tc SQUID)can improve the depth of exploration.However,a low-Tc SQUID may lose its lock owing to oscillations in the current or the occurrence of spikes when the transmitter is switched off.If a low-Tc SQUID loses its lock,it becomes impossible for the low-Tc SQUID TEM system to function normally and stably for a long period of time.This hinders the practical use of the system.In field experiments,the transmitting current is accurately measured,the voltage overshoot and current spike data are recorded,and the gradient of the primary magnetic field at the center of the transmitting loop is calculated.After analyzing the results of field experiments,it was found that when the gradient of the primary magnetic field far exceeds the slew rate of a low-Tc SQUID,the low-Tc SQUID loses its lock.Based on the mechanisms of the transmitting oscillation,an RC serial and multi-parallel capacity snubber circuit used to suppress such oscillation is proposed.The results of simulation and field experiments show that,when using a 100 m×100 m transmitting loop,the gradient of the primary magnetic field is suppressed from 101.4 to 2.4 mT/s with a transmitting current of 40 A,and from 29.6 to 1.4 mT/s with a transmitting current of 20 A.Therefore,it can be concluded that the gradient of the primary magnetic field is below the slew rate of a low-Tc SQUID after adopting the proposed RC serial and multi-parallel capacity snubber circuit.In conclusion,the technique proposed in this paper solves the problem of a lost lock of a low-Tc SQUID,ensuring that the low-Tc SQUID TEM system functions stably for a long period of time,and providing technical assurance for ground TEM exploration at an additional depth. 展开更多
关键词 low-Tc SQUID TRANSMITTER OSCILLATION snubber circuit
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基于逆阻型IGCT器件的固态式直流断路器设计及研制 被引量:4
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作者 严鑫 余占清 +3 位作者 屈鲁 甘之正 任春频 曾嵘 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期551-560,共10页
直流系统是支撑高比例新能源接入与灵活高效用能的重要技术方向。固态式直流断路器(solid state DC circuit breaker,SSCB)具有开断速度极快、无电弧、寿命长等优点,在中低压直流系统的故障保护中得到广泛应用。随着电力电子器件的发展... 直流系统是支撑高比例新能源接入与灵活高效用能的重要技术方向。固态式直流断路器(solid state DC circuit breaker,SSCB)具有开断速度极快、无电弧、寿命长等优点,在中低压直流系统的故障保护中得到广泛应用。随着电力电子器件的发展,固态式直流断路器的拓扑结构、工作性能也在不断进步。为此基于逆阻型集成门极换流晶闸管(intergated gate commutate thyristor,IGCT),提出了一种新型的固态式直流断路器结构及设计方法,通流支路采用逆阻IGCT反并联结构实现双向通流,缓冲支路采用金属氧化物避雷器(metal oxide varistor,MOV)-电容结构来抑制过电压,吸能支路采用MOV吸收系统能量。进一步地,给出了关键元器件的参数设计方法,并验证了有效性;设计了性能良好的重力热管散热器,单个模块散热功率可达700 W;提出了主被动结合的控保策略,提高断路器的保护性能。最后,研制了固态式直流断路器样机,可用于750 V以内的低压直流系统,额定通流可达2 kA,可在百微秒内开断10 kA故障电流,成本低、体积小、高可靠,具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 直流输配电 固态式直流断路器 逆阻型IGCT 反并联结构 缓冲设计
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基于光伏充电的低压混合式断路器设计及仿真 被引量:2
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作者 孔令哲 何柏娜 +5 位作者 李辉 刘雨佳 边晨曦 娄辉 戴雪婷 刘洋 《南方电网技术》 CSCD 北大核心 2024年第4期10-18,40,共10页
直流断路器是实现直流系统电流故障清除和隔离的关键设备。基于人工过零点的直流断路器熄弧时刻具有不确定性,且换流电容需要更换辅助电源,降低断路器可靠性,增加维护成本。为此,在传统直流断路器基础上,提出了一种基于光伏充电的混合... 直流断路器是实现直流系统电流故障清除和隔离的关键设备。基于人工过零点的直流断路器熄弧时刻具有不确定性,且换流电容需要更换辅助电源,降低断路器可靠性,增加维护成本。为此,在传统直流断路器基础上,提出了一种基于光伏充电的混合式直流断路器拓扑结构设计方案。该方案在断路器过零点未熄弧时闭锁IGBT开关,加速电弧熄灭,并设计光伏储能供电系统为换流电容预充电能,以保障断路器持续运行。同时对所提断路器的拓扑结构、开断时序、拓扑参数进行了设计,基于MATLAB/Simulink实验平台建立了150 V混合式直流断路器模型,讨论IGBT开关器件闭锁时刻及电阻电容二极管(resistance-capacitance diode,RCD)缓冲电路对断路器开断的影响。在此基础上,通过仿真实验分析了正常和短路工况下断路器开断过程,验证了所提方案的可行性。 展开更多
关键词 混合式直流断路器 人工过零点 拓扑结构 IGBT开关 RCD缓冲电路 光伏供电系统
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基于常通型SiC JFET器件的中低压直流固态断路器研究综述 被引量:1
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作者 何东 蒋磊 +2 位作者 兰征 王伟 沈征 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第22期7213-7227,共15页
直流固态断路器(SSCB)作为直流配电网中关键的故障保护装置,是快速无弧隔离短路、过电流故障的重要手段。随着宽禁带半导体材料技术的飞速发展,常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)因其具有通态损耗低、零电压开通等优点,已成为SSC... 直流固态断路器(SSCB)作为直流配电网中关键的故障保护装置,是快速无弧隔离短路、过电流故障的重要手段。随着宽禁带半导体材料技术的飞速发展,常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)因其具有通态损耗低、零电压开通等优点,已成为SSCB主开关应用的理想器件之一。该文主要论述了直流SSCB的发展现状,针对国内外提出的基于常通型SiC JFET器件的SSCB拓扑结构进行归纳总结。在此基础上,详细论述基于常通型SiC JFET器件的单向、双向低压SSCB在过载、短路保护方面的研究现状及串联、并联型中压SSCB的拓扑结构、工作原理及应用特点,讨论了可应用于SSCB的缓冲电路及其性能特点。最后,展望了基于常通型SiC JFET器件的中低压直流SSCB发展前景。 展开更多
关键词 直流配电网 固态断路器 SiC JFET拓扑 缓冲电路
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基于空间布局和杂散电感优化的直流断路器并联IGBT动态均流法 被引量:2
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作者 温伟杰 靳鹤志 +2 位作者 范晶涵 杨赫 李斌 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2024年第15期131-140,共10页
与压接式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)相比,模块式IGBT具有成本低、不需要单独压装结构、安装方便、故障后呈开路等特点,是750 V/1500 V混合式直流断路器中的核心元件。然而,受限于单个模块式IGBT器件的标称开断能力,多个模块式IGBT的并联... 与压接式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)相比,模块式IGBT具有成本低、不需要单独压装结构、安装方便、故障后呈开路等特点,是750 V/1500 V混合式直流断路器中的核心元件。然而,受限于单个模块式IGBT器件的标称开断能力,多个模块式IGBT的并联均流技术是实现10 kA级直流开断的关键。文中从理论上分析了IGBT器件、缓冲电路和快速真空开关的空间排布位置对换流速度、动态均流、关断过电压等性能的影响。分析表明,从减少换流难度角度考虑,快速真空开关应与IGBT就近并联;从降低关断过电压角度考虑,各并联IGBT应采用分布式缓冲电路结构。进一步,考虑空间磁场耦合作用,建立了并联IGBT的动态开断电路模型,分析了并联IGBT动态开断性能的影响因素,发现增大子模块支路杂散电感、降低避雷器残压可有效提高并联IGBT的动态均流性能;子模块间负耦合电感可有效抑制IGBT关断过电压。最后,为兼顾换流速度、动态均流、关断过电压抑制等,提出了缓冲电路、IGBT、快速真空开关就近并联构成子模块,子模块再经电感并联的混合式直流断路器拓扑方案,并进行了仿真验证和1.5 kV/3 kA试验验证。 展开更多
关键词 混合式直流断路器 绝缘栅双极型晶体管 缓冲电路 均流 过电压抑制 暂态换流 电磁耦合
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PSPICE和Matlab在IGBT动态仿真中应用 被引量:15
6
作者 苏麟 梅军 +3 位作者 郑建勇 丁祖军 柴继涛 吴恒荣 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2004年第6期58-61,共4页
简要分析了目前常用的电力电子仿真软件PSPICE(SimulationProgramwithICEmphasis)和Matlab的主要性能特点及在电力电子仿真中的适用程度。绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)开关回路在关断瞬间由于感性负载的作... 简要分析了目前常用的电力电子仿真软件PSPICE(SimulationProgramwithICEmphasis)和Matlab的主要性能特点及在电力电子仿真中的适用程度。绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)开关回路在关断瞬间由于感性负载的作用常会伴随着擎住效应,对IGBT器件本身会造成严重的损伤,因此必须在IGBT器件两端并联缓冲电路,以实现对器件的过压保护。缓冲电路的拓扑结构有多种,过压保护的效果也不一样。应用以上两种仿真软件对IGBT开关回路进行动态仿真研究,比较并分析了两种缓冲电路在IGBT关断瞬间的不同过压保护效果,并且说明了PSPICE和Matlab仿真结果的差异及其原因。 展开更多
关键词 仿真 PSPICE MATLAB 绝缘栅双极型晶体管 缓冲电路
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基于新型混合式断路器的IGBT缓冲电路研究 被引量:16
7
作者 刘顺炮 郑建勇 +3 位作者 查申森 梅军 吴恒荣 陈军 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2006年第3期31-34,共4页
分析了新型混合式断路器的IGBT开关特性,在总结3种传统IGBT缓冲电路的基础上,提出一种优化的适合于新型混合式断路器的IGBT缓冲电路。该电路能在不降低吸收过电压效果的基础上,改变充、放电回路的电容,使放电时间跟随电容改变而改变,满... 分析了新型混合式断路器的IGBT开关特性,在总结3种传统IGBT缓冲电路的基础上,提出一种优化的适合于新型混合式断路器的IGBT缓冲电路。该电路能在不降低吸收过电压效果的基础上,改变充、放电回路的电容,使放电时间跟随电容改变而改变,满足具体主电路对IGBT导通时间变化的要求和满足不同IGBT开关频率的要求。通过仿真和理论分析证明了该优化缓冲电路的有效性和适用性。 展开更多
关键词 缓冲电路 IGBT 混合式断路器
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用晶闸管宏模型分析换流阀内电压分布特性 被引量:28
8
作者 赵中原 邱毓昌 +1 位作者 于永明 王建生 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第9期33-36,共4页
晶闸管器件性能和缓冲电路参数会影响换流阀内电压分布特性。在晶闸管断态情况下进行换流阀电路参数选择,其结果明显具有局限性。用考虑二次效应、温度特性和反向恢复过程的晶闸管宏模型,对换流阀内的一个晶闸管模块与饱和电抗器的串联... 晶闸管器件性能和缓冲电路参数会影响换流阀内电压分布特性。在晶闸管断态情况下进行换流阀电路参数选择,其结果明显具有局限性。用考虑二次效应、温度特性和反向恢复过程的晶闸管宏模型,对换流阀内的一个晶闸管模块与饱和电抗器的串联电路进行了动态仿真,分析了晶闸管器件参数分散性和缓冲电路参数对换流阀内电压分布特性的影响;同时还考虑了换流器换流时换流阀内电压振荡特性。 展开更多
关键词 换流阀 内电压分布特性 晶闸管 宏模型 缓冲电路 高压直流输电
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适用于复杂电路分析的IGBT模型 被引量:48
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作者 邓夷 赵争鸣 +2 位作者 袁立强 胡斯登 王雪松 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第9期1-7,共7页
推出一种适用于复杂电路仿真分析的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型。模型分阶段模拟IGBT的开关瞬态过程,并采用曲线拟合的方式实现对IGBT稳态特性的建模。模型具有计算速度快、参数提取容易、物理概... 推出一种适用于复杂电路仿真分析的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型。模型分阶段模拟IGBT的开关瞬态过程,并采用曲线拟合的方式实现对IGBT稳态特性的建模。模型具有计算速度快、参数提取容易、物理概念明确的特点。描述模型的等效原理、构成和参数提取过程,并在PSIM软件包下建立其等效电路。以FF300R12ME3型IGBT为例给出了模型参数,并将模型应用于IGBT的开关特性分析、缓冲吸收电路设计以及IGBT的并联运行分析。仿真和实验结果对比证明了该模型的有效性。 展开更多
关键词 绝缘栅双极性晶体管 模型 PSIM 开关特性 缓冲吸收电路 并联运行
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大功率绝缘栅双极晶体管模块缓冲电路的多目标优化设计 被引量:20
10
作者 唐欣 罗安 李刚 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第11期144-147,共4页
针对目前根据工程经验来设计缓冲电路所存在的问题,提出了一种缓冲电路的多目标设计方法。该方法在分析关断尖峰电压产生的原因和缓冲电路工作原理的基础上,考虑了市场上可选取的快速二极管的容量限制等因素,以缓冲电路的成本和抑制关... 针对目前根据工程经验来设计缓冲电路所存在的问题,提出了一种缓冲电路的多目标设计方法。该方法在分析关断尖峰电压产生的原因和缓冲电路工作原理的基础上,考虑了市场上可选取的快速二极管的容量限制等因素,以缓冲电路的成本和抑制关断尖峰能力作为目标,利用模糊寻优算法对缓冲电路进行了优化设计。最后,在大功率混合有源滤波系统中,采用该文方法对逆变器的缓冲电路参数进行了设计。实践表明,设计出的缓冲电路具有良好的综合性能。 展开更多
关键词 缓冲电路 关断 逆变器 大功率 绝缘栅双极晶体管 尖峰 有源滤波系统 二极管 模块 算法
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混合式转换开关换流电路设计与性能研究 被引量:6
11
作者 郑建勇 梅军 +2 位作者 顾东亮 饶莹 吴恒荣 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期158-162,共5页
机械开关技术是电力系统进一步向用户提供高质量电能的瓶颈,为此,在介绍混合式转换开关的工作原理及其动作过程的基础上,重点介绍了其中关键的换流电路,包括缓冲电路、吸收电路及放电复位电路的设计及相关参数的计算。仿真及样机实验的... 机械开关技术是电力系统进一步向用户提供高质量电能的瓶颈,为此,在介绍混合式转换开关的工作原理及其动作过程的基础上,重点介绍了其中关键的换流电路,包括缓冲电路、吸收电路及放电复位电路的设计及相关参数的计算。仿真及样机实验的结果表明:混合式转换开关比传统机械式转换开关特性更好:快速导通,快速分断及限压等,故混合式技术在转换开关的设计与应用中具有重要的意义与广阔前景。 展开更多
关键词 混合式转换开关 混合式转换开关单元 换流回路 缓冲回路 吸收回路 IGBT
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换流阀内可控硅端电压特性分析和缓冲电路参数优化 被引量:7
12
作者 赵中原 邱毓昌 +1 位作者 于永明 王建生 《中国电力》 CSCD 北大核心 2003年第1期52-54,共3页
换流阀内可控硅端电压分布特性取决于可控硅器件性能和相应的缓冲电路参数。用一个较实际的可控硅宏模型,对换流阀内的一个可控硅模块与饱和电抗器的串联电路进行动态仿真,分析可控硅并联的缓冲电路参数对换流阀内电压分布特性的影响及... 换流阀内可控硅端电压分布特性取决于可控硅器件性能和相应的缓冲电路参数。用一个较实际的可控硅宏模型,对换流阀内的一个可控硅模块与饱和电抗器的串联电路进行动态仿真,分析可控硅并联的缓冲电路参数对换流阀内电压分布特性的影响及换流时换流阀内电压振荡特性;给出缓冲电路参数优化的趋势。 展开更多
关键词 换流阀 可控硅 电压特性分析 缓冲电路 参数优化 直流输电系统
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集成门极换向晶闸管开关特性 被引量:6
13
作者 兰志明 李崇坚 +2 位作者 绳伟辉 王成胜 朱春毅 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第7期93-97,共5页
新型开关器件集成门极换向晶闸管(IGCT)由于其优越的性能在中高压大功率多电平变流器系统中逐渐得到广泛应用。在电力电子仿真软件PSIM中实现的一种适用于高压大功率变流仿真的IGCT功能模型的基础上,建立了IGCT单管实验的仿真模型,分析... 新型开关器件集成门极换向晶闸管(IGCT)由于其优越的性能在中高压大功率多电平变流器系统中逐渐得到广泛应用。在电力电子仿真软件PSIM中实现的一种适用于高压大功率变流仿真的IGCT功能模型的基础上,建立了IGCT单管实验的仿真模型,分析了IGCT开关特性,特别是该电路中各种杂散参数和缓冲吸收电路中各元件参数对IGCT关断过程的影响,为实际的基于IGCT器件的大功率多电平变流器系统的结构设计和控制提供了重要的理论根据和指导。 展开更多
关键词 IGCT 功能模型 PSIM 杂散电感 缓冲吸收电路
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一般缓冲电路的模型及三电平IGBT变流器内外元件电压不平衡机理 被引量:23
14
作者 赵正毅 魏念荣 +1 位作者 赵良炳 韩英铎 《中国电机工程学报》 CSCD 北大核心 2000年第6期30-34,共5页
通过对斩波器中缓冲电路工作过程的分析 ,提出了一般缓冲电路的模型。根据这个模型 ,分析了中点箝位式(NPC)三电平变流器中内外绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)电压不平衡的原因。并指出电压不平衡是由于NPC三电平的特殊结构和电路中的杂散... 通过对斩波器中缓冲电路工作过程的分析 ,提出了一般缓冲电路的模型。根据这个模型 ,分析了中点箝位式(NPC)三电平变流器中内外绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)电压不平衡的原因。并指出电压不平衡是由于NPC三电平的特殊结构和电路中的杂散电感造成的。实验波形证明了模型的正确性和分析的有效性。 展开更多
关键词 三电平变流器 IGBT 缓冲电路 电压不平衡 元件
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双耦合电感二次型高升压增益DC-DC变换器 被引量:28
15
作者 曹太强 刘威 +5 位作者 郭筱瑛 陈章勇 王军 孙章 游芳 罗谦 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第8期104-112,共9页
提出一种双耦合电感单开关二次型高增益变换器。在传统单开关二次型Boost变换器拓扑的基础上,在前级Boost电路单元引入耦合电感,输出端叠加以提升变换器的升压增益特性;同时,通过在后级Boost电路单元引入耦合电感,进一步减小开关管的电... 提出一种双耦合电感单开关二次型高增益变换器。在传统单开关二次型Boost变换器拓扑的基础上,在前级Boost电路单元引入耦合电感,输出端叠加以提升变换器的升压增益特性;同时,通过在后级Boost电路单元引入耦合电感,进一步减小开关管的电压应力。此外,采用无源无损吸收电路抑制了开关管两端的电压尖峰,从而可选取低导通电阻、低电压等级的MOSFET以降低开关管的导通损耗,提高了变换器的效率。文中详细分析了变换器的工作原理及工作特性,最后通过搭建一台200W、18V/200V的实验样机,验证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 新能源 二次型Boost变换器 耦合电感 高升压增益 无源无损吸收电路
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双耦合电感零输入纹波高增益QBC-VMU集成变换器 被引量:10
16
作者 杨杰 于东升 +2 位作者 朱虹 王龙 侯圣 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第23期6501-6510,6617,共10页
低输入电流纹波高增益DC-DC变换器是光伏、燃料电池等低电压输入分布式发电系统的重要组成部分,对推广应用可再生能源发电起着重要作用。该文基于二次型升压变换器和倍压单元,提出一种双耦合电感零输入电流纹波高增益QBC-VMU集成变换器... 低输入电流纹波高增益DC-DC变换器是光伏、燃料电池等低电压输入分布式发电系统的重要组成部分,对推广应用可再生能源发电起着重要作用。该文基于二次型升压变换器和倍压单元,提出一种双耦合电感零输入电流纹波高增益QBC-VMU集成变换器。通过二次型升压变换器输入电感和储能电感的耦合,合理地配置匝比和耦合系数,可近似实现输入电流的零纹波。倍压电路中的储能电感由一对耦合电感代替,可获取高升压增益,且避免出现极限占空比。由箝位二极管和储能电容组成的吸收电路,可降低由漏感造成的开关管两端的电压尖峰;倍压电路中的续流二极管和储能电容组成的漏感能量回收电路,可降低能量损耗,提高变换器效率。该文在分析变换器工作原理及切换模式的基础上,搭建一台输入/输出电压为18V/200V的实验样机,样机测试结果验证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 二次型升压变换器 电流纹波 耦合电感 高增益 吸收电路 能量回收电路
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一种新型电容缓冲式混合高压直流断路器的设计与仿真 被引量:9
17
作者 赵文婷 袁召 +6 位作者 方帅 喻新林 邵敏 何俊佳 潘垣 张宁 单云海 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期41-46,共6页
研发能够快速开断大电流,可靠性和经济性好的高压直流断路器成为构建多端直流电网的主要技术瓶颈。文中提出了一种新型电容缓冲式混合高压直流断路器的两种不同开断模式,分析了相对高压直流断路器主流拓扑方案所做的改进;通过PSCAD仿真... 研发能够快速开断大电流,可靠性和经济性好的高压直流断路器成为构建多端直流电网的主要技术瓶颈。文中提出了一种新型电容缓冲式混合高压直流断路器的两种不同开断模式,分析了相对高压直流断路器主流拓扑方案所做的改进;通过PSCAD仿真模型,对比了无弧开断模式和燃弧开断模式的优缺点;最后指出了该种高压直流断路器仍需研究的问题。 展开更多
关键词 混合直流断路器 缓冲电容 燃弧开断 无弧开断 PSCAD
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移相全桥变换器中RC缓冲电路对系统影响机理与优化研究 被引量:6
18
作者 朱国荣 陈铭 +3 位作者 徐小薇 杨志 王婷婷 黄华芳 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第3期71-77,共7页
移相全桥ZVS变换器副边整流二极管电压应力较高,需要设计缓冲电路来保证系统性能。然而,加入RC缓冲电路的变换器在某种工作模式下近似为LCL三阶谐振系统,导致接近开关频率的谐振甚至在整流二极管两侧产生更高的电压应力。通过建立移相全... 移相全桥ZVS变换器副边整流二极管电压应力较高,需要设计缓冲电路来保证系统性能。然而,加入RC缓冲电路的变换器在某种工作模式下近似为LCL三阶谐振系统,导致接近开关频率的谐振甚至在整流二极管两侧产生更高的电压应力。通过建立移相全桥ZVS变换器在能量传输模式期间的等效电路模型,揭示RC缓冲电路对系统稳定性产生影响机理及电路参数对振荡的影响规律,通过分析选取合理的RC缓冲电路参数,不仅有效降低整流二极管电压应力,同时抑制由缓冲电路带来的振荡问题,进而提高系统的效率。设计了一个3.2 k W(10 A,320 V)的实验样机,验证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 移相全桥 等效模型 RC缓冲电路 电压振荡
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IGCT变流器吸收箝位电路的参数设计 被引量:15
19
作者 谢路耀 金新民 童亦斌 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期67-74,共8页
近年来对风机容量的要求出现了爆发式增长,已达3~7 MW。此外,并网谐波控制、低电压过渡等风机并网标准越来越严苛。以集成门极换流晶闸管(integrated gatecommutated thyristor,IGCT)为核心的中压直驱全功率变流装置既可满足风机的大... 近年来对风机容量的要求出现了爆发式增长,已达3~7 MW。此外,并网谐波控制、低电压过渡等风机并网标准越来越严苛。以集成门极换流晶闸管(integrated gatecommutated thyristor,IGCT)为核心的中压直驱全功率变流装置既可满足风机的大容量要求,又能灵活实现电网故障过渡、电网无功支撑等要求,成为大容量风机的最优选择。在IGCT变流器中,箝位电路的参数将直接影响器件SOA、最小脉宽与并网电流质量,是风机功率模块设计中十分重要的部分。提出一套IGCT变流器吸收箝位电路的优化设计方法,显著简化了箝位电路的设计过程。在对箝位电路换流工况进行详细分析的基础上,提出了箝位电路的等效电路。根据等效电路进行了响应分析,综合考虑箝位电路的设计原则,找到了优化参数的选取方法,从而降低了最小脉宽限制,提高了动态恢复速度。给出了设计实例,并进行了仿真与实验验证。 展开更多
关键词 集成门极换流晶闸管 箝位电路 吸收电路 最小脉宽 IGCT变流器
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串联IGBT的一种复合均压方法 被引量:14
20
作者 同向前 宁大龙 +1 位作者 夏伟 申明 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第3期153-158,共6页
针对IGBT串联应用时的集射极电压均衡问题,提出并研究了一种门极平衡核与无源RCD缓冲电路相结合的复合均压方案。分析了门极平衡核的均压原理,借助门极驱动等效电路模型,导出了门极平衡核的参数设计方法。在IGBT门极与发射极之间引入瞬... 针对IGBT串联应用时的集射极电压均衡问题,提出并研究了一种门极平衡核与无源RCD缓冲电路相结合的复合均压方案。分析了门极平衡核的均压原理,借助门极驱动等效电路模型,导出了门极平衡核的参数设计方法。在IGBT门极与发射极之间引入瞬态电压抑制器,有效减缓了平衡核变压器的漏感与IGBT输入电容引发的门极信号振荡幅度,同时有效保护了IGBT门极过电压。建立了复合均压方案的仿真与实验系统,实验结果表明,复合均压方案对由于IGBT特性参数差异和门极驱动信号不同步而引起的IGBT集射极电压不均问题具有显著的平衡效果。 展开更多
关键词 串联IGBT RCD缓冲电路 门极平衡核 复合均压
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