期刊文献+
共找到12篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Atomic layer deposition enabling higher efficiency solar cells:A review 被引量:3
1
作者 MdAnower Hossain Kean Thong Khoo +5 位作者 Xin Cui Geedhika K Poduval Tian Zhang Xiang Li Wei Min Li Bram Hoex 《Nano Materials Science》 CAS 2020年第3期204-226,共23页
Atomic layer deposition(ALD)can synthesise materials with atomic-scale precision.The ability to tune the material composition,film thickness with excellent conformality,allow low-temperature processing,and in-situ rea... Atomic layer deposition(ALD)can synthesise materials with atomic-scale precision.The ability to tune the material composition,film thickness with excellent conformality,allow low-temperature processing,and in-situ real-time monitoring makes this technique very appealing for a wide range of applications.In this review,we focus on the application of ALD layers in a wide range of solar cells.We focus on industrial silicon,thin film,organic and quantum dot solar cells.It is shown that the merits of ALD have already been exploited in a wide range of solar cells at the lab scale and that ALD is already applied in high-volume manufacturing of silicon solar cells. 展开更多
关键词 Atomic layer deposition Transition metal oxides solar cells contact resistivity Surface passivation Carrier selectivity
在线阅读 下载PDF
背表面掺杂对n型TOPCon电池特性的影响研究 被引量:9
2
作者 吕欣 林涛 董鹏 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期41-45,共5页
为系统研究n型TOPCon电池的背表面掺杂特性,设计专门的材料结构并进行掺杂浓度分布及背表面暗饱和电流密度值的测试。结果表明,当多晶硅(Poly-Si)层的设计厚度为100 nm,掺杂浓度为(2~3)×10^(20)/cm^(3),且当激活的磷掺杂源穿透SiO_... 为系统研究n型TOPCon电池的背表面掺杂特性,设计专门的材料结构并进行掺杂浓度分布及背表面暗饱和电流密度值的测试。结果表明,当多晶硅(Poly-Si)层的设计厚度为100 nm,掺杂浓度为(2~3)×10^(20)/cm^(3),且当激活的磷掺杂源穿透SiO_(x)层并在Cz-Si基体中具有一定的"穿透扩散"剖面时,电池背表面的钝化效果达到最优值,使得背表面暗饱和电流密度值J;小于2.5 fA/cm^(2),达到目前行业的先进水平,同时基于最优的背表面钝化结果进行电池制作,电池平均转换效率超过22.43%。 展开更多
关键词 多晶硅 硅基太阳电池 topcon 钝化 隧穿氧化层
在线阅读 下载PDF
n型双面TOPCon太阳电池钝化技术 被引量:4
3
作者 于波 史金超 +3 位作者 李锋 庞龙 刘克铭 于威 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期368-373,共6页
隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了... 隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了全面积SiO_2/多晶硅钝化层结构;为避免多晶硅层对太阳光的寄生吸收,仅将SiO_2/多晶硅钝化层应用于前表面金属接触的底部。J-V特性和少子寿命等分析显示,双面TOPCon结构设计显著提升了太阳电池的表面钝化接触性能,其开路电压和短路电流密度显著增加。所制备的面积为239 cm^2的双面TOPCon太阳电池的平均正面转换效率可达20.33%,相对正面无SiO_2/多晶硅钝化层的常规钝化发射极及背表面全扩散(PERT)结构的太阳电池转换效率提升了0.29%。 展开更多
关键词 隧穿氧化物钝化接触(topcon)太阳电池 选择性钝化接触 隧穿氧化层 多晶硅 双面太阳电池
在线阅读 下载PDF
PEALD制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n-TOPCon太阳电池上的钝化性能 被引量:1
4
作者 于波 史金超 +4 位作者 李锋 王红芳 陈俊玉 刘克铭 于威 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期370-375,共6页
对采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)法制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n型单晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池正表面的钝化性能进行了研究。采用少数载流子寿命、X射线电子能谱(XPS)及J-V特性的测试分析,重点研究了Al_(2)O_(3)沉积温... 对采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)法制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n型单晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池正表面的钝化性能进行了研究。采用少数载流子寿命、X射线电子能谱(XPS)及J-V特性的测试分析,重点研究了Al_(2)O_(3)沉积温度、薄膜厚度及薄膜形成后不同退火条件对钝化性能的影响,实现了低表面复合速率、良好钝化效果的产业化制备的Al_(2)O_(3)薄膜工艺。研究结果表明,在沉积温度为150℃、膜厚为5 nm、退火温度为450℃时,测试计算得出薄膜中O和Al的原子数之比为2.08,电池发射极正表面复合速率较低,达到了Al_(2)O_(3)钝化的最优效果,并且分析了Al_(2)O_(3)薄膜的化学态和形成机理。利用其Al_(2)O_(3)薄膜工艺制备的n型单晶硅TOPCon太阳电池开路电压提升了8 mV,电池的平均光电转换效率达到了23.30%。 展开更多
关键词 隧穿氧化层钝化接触(topcon)太阳电池 表面复合速率 钝化 退火 Al_(2)O_(3)
在线阅读 下载PDF
21.5%以上效率Panda-TOPCon双面电池技术研究 被引量:10
5
作者 翟金叶 张伟 +3 位作者 王子谦 刘大伟 李锋 Ingrid Romijn 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期1029-1033,共5页
主要研究可应用于规模化生产的TOPCon(tunnel oxide passivated contact)电池技术,该技术既可改善电池表面钝化又可促进多数载流子传输,进而提升电池的开路电压和填充因子。Panda-TOPCon电池是在英利熊猫(Panda)电池基础上引入TOPCon技... 主要研究可应用于规模化生产的TOPCon(tunnel oxide passivated contact)电池技术,该技术既可改善电池表面钝化又可促进多数载流子传输,进而提升电池的开路电压和填充因子。Panda-TOPCon电池是在英利熊猫(Panda)电池基础上引入TOPCon技术,在研究中对氧化硅/多晶硅叠层(SiO_2/polySi)的表面钝化效果在n型硅片上进行验证,通过优化该结构中SiO_2/polySi掺杂、SiO_2成膜方式以及polySi厚度等,最终制备的Panda-TOPCon电池的开路电压达到676 mV,填充因子达到80%,实现了21.54%的光电转换效率。 展开更多
关键词 双面电池 钝化接触 topcon 隧穿氧化层 polySi层
在线阅读 下载PDF
射频磁控溅射ITO薄膜对TOPCon太阳电池光电性能的影响 被引量:1
6
作者 郭永刚 王冬冬 +3 位作者 陈丹 石惠君 张敏 李得银 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第1期19-24,83,共7页
通过射频(RF)磁控溅射分别在光学玻璃基底上和多晶硅薄膜层上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,采用Hall效应测试仪测试了ITO薄膜的电阻率和载流子浓度等参数,研究溅射功率和溅射时间等参数对ITO薄膜的光电特性影响。测试多晶Si对称结构沉积ITO... 通过射频(RF)磁控溅射分别在光学玻璃基底上和多晶硅薄膜层上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,采用Hall效应测试仪测试了ITO薄膜的电阻率和载流子浓度等参数,研究溅射功率和溅射时间等参数对ITO薄膜的光电特性影响。测试多晶Si对称结构沉积ITO薄膜前后及退火后的隐开路电压和反向饱和电流密度等参数,研究ITO薄膜对n型晶硅太阳电池钝化接触的影响。研究结果表明:在纯氩气氛围下、溅射功率为200 W、溅射时间为15 min、转速为10 r/min、工作气压为1 Pa,在250℃退火10 min条件下,ITO薄膜光电性能最佳,退火后的电阻率为2.863×10^(-4)Ω·cm,退火后的隐开路电压为721 mV,n型隧道氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池平均光电转换效率为23.6%。 展开更多
关键词 隧道氧化物钝化接触(topcon)太阳电池 射频(RF)磁控溅射 氧化铟锡(ITO)薄膜 多晶Si 退火
在线阅读 下载PDF
n型TOPCon光伏电池标准化研究 被引量:2
7
作者 陈晓达 庄天奇 +3 位作者 李小娟 张曼 倪建雄 姜倩 《信息技术与标准化》 2023年第4期46-54,共9页
为推动n型TOPCon光伏电池标准化,基于n型电池技术发展现状,对n型TOPCon电池标准指标展开理论分析,并开展弯曲度与电极抗拉强度、可靠性、初始光致衰减等标准指标的试验验证,最后提出n型TOPCon电池标准化的建议。
关键词 光伏电池 n型topcon电池 光伏标准
在线阅读 下载PDF
TOPCon电池低压硼扩散设备的发展趋势分析 被引量:1
8
作者 刘建华 龙辉 +2 位作者 李程 梁浩 李楠 《电子工业专用设备》 2023年第1期1-6,59,共7页
随着太阳能光伏发电对晶体硅电池高转化效率需求的不断增加,对晶体硅电池技术关键设备投资性价比和发电性能的要求更高。对晶硅电池发展工艺技术进行了阐述,分析讨论了国内外隧穿氧化层钝化接触电池(简称“TOPCon”)低压硼扩散炉的发展... 随着太阳能光伏发电对晶体硅电池高转化效率需求的不断增加,对晶体硅电池技术关键设备投资性价比和发电性能的要求更高。对晶硅电池发展工艺技术进行了阐述,分析讨论了国内外隧穿氧化层钝化接触电池(简称“TOPCon”)低压硼扩散炉的发展现状,探讨了硼扩散设备技术难点和未来研究方向。 展开更多
关键词 太阳能 光伏发电 隧穿氧化层钝化接触电池 高转化效率 硼扩散
在线阅读 下载PDF
TOPCon-n-PERT太阳电池结构关键参数对其电性能影响的研究
9
作者 吕欣 王旭花 刘国能 《太阳能》 2021年第10期26-33,共8页
本文利用Quokka3软件研究了采用TOPCon技术的n型PERT太阳电池(下文简称“TOPCon-n-PERT太阳电池”)发射极的饱和电流密度、发射极-金属接触电阻率、背表面隧穿氧化层厚度及背表面饱和电流密度对其电性能的影响,并设计了相关实验对模拟... 本文利用Quokka3软件研究了采用TOPCon技术的n型PERT太阳电池(下文简称“TOPCon-n-PERT太阳电池”)发射极的饱和电流密度、发射极-金属接触电阻率、背表面隧穿氧化层厚度及背表面饱和电流密度对其电性能的影响,并设计了相关实验对模拟结果进行了验证。验证结果表明:发射极和背表面的饱和电流密度值的增加均会使电池的光电转换效率和开路电压值逐渐减小;发射极-金属接触电阻率值的增加会导致电池填充因子的值降低;对于背表面的隧穿氧化层与掺杂多晶硅薄膜的叠层结构而言,随着背表面隧穿氧化层厚度逐渐增加,背表面的隐开路电压i-Voc值呈先增加后减小的趋势,且当背表面的隧穿氧化层厚度为1.2 nm时,背表面的钝化特性达到最优值,实验得到的i-Voc值可达735 mV。同时,结合实验结果与理论模拟结果可知:当背表面隧穿氧化层厚度为1.2 nm时电池获得最优的电性能参数。该研究结果对于TOPCon-n-PERT太阳电池的产业化推广具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 topcon N型 PERT 太阳电池 隧穿氧化层 电性能 模拟
在线阅读 下载PDF
IBC太阳电池技术的研究进展 被引量:8
10
作者 席珍珍 吴翔 +1 位作者 屈小勇 郭永刚 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第5期371-378,415,共9页
对叉指背接触(IBC)太阳电池在光伏领域的结构优势和发展进程进行了简单的阐述。重点介绍了IBC太阳电池前表面场、背面p+和n+区结构、金属化电极的制备方法,并从工业化角度评述了各制备方法的优缺点与发展。总结了IBC电池产业化进程中的... 对叉指背接触(IBC)太阳电池在光伏领域的结构优势和发展进程进行了简单的阐述。重点介绍了IBC太阳电池前表面场、背面p+和n+区结构、金属化电极的制备方法,并从工业化角度评述了各制备方法的优缺点与发展。总结了IBC电池产业化进程中的几种工艺优化方向,包括p+和n+区结构设计、正面陷光技术及表面钝化等。除此之外,从IBC太阳电池技术与效率提升方面详细介绍了三种基于IBC太阳电池技术的新型太阳电池技术,包括叉指背接触异质结(HBC)太阳电池、多晶硅氧化物叉指背接触(POLO-IBC)太阳电池以及钙钛矿IBC叠层太阳电池(PSC IBC),并总结了近年来上述三种新型太阳电池技术的研究进展。最后,对IBC电池未来面临的挑战与技术提升进行了展望。 展开更多
关键词 叉指背接触(IBC)太阳电池 背接触异质结(HBC)太阳电池 多晶硅氧化物叉指背接触(POLO-IBC)太阳电池 钙钛矿叠层 钝化技术
在线阅读 下载PDF
具有选择性前表面场的p型背结太阳电池 被引量:1
11
作者 李得银 马岩青 +3 位作者 石惠君 杨超 王冬冬 陈丹 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第11期1119-1125,共7页
隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)结构由掺杂多晶硅及隧穿氧化层构成,具有出色的钝化及接触特性。将n型TOPCon太阳电池制备理念应用到p型硅片中,利用背面原位掺杂磷多晶硅层充当pn结,并利用印刷纳米硼浆的方法完成选择性前表面场(FSF)的制备... 隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)结构由掺杂多晶硅及隧穿氧化层构成,具有出色的钝化及接触特性。将n型TOPCon太阳电池制备理念应用到p型硅片中,利用背面原位掺杂磷多晶硅层充当pn结,并利用印刷纳米硼浆的方法完成选择性前表面场(FSF)的制备。这种具有选择性前表面场的p型背结电池的优势是背面TOPCon发射极的全面积金属接触避免了发射极内的横向电流传输损耗,有助于空穴(主要载流子)向前端的局部前表面场传输,另外正面选择性前表面场的设计形成高低结,极大地减小了表面复合及金属栅线接触电阻。结果表明,相比同结构的n型TOPCon太阳电池,此种结构的p型背结太阳电池光电转换效率高0.34%,填充因子约高1%,说明该结构的背结太阳电池具有一定的电性能优越性和发展潜力。 展开更多
关键词 背结太阳电池 隧穿氧化物钝化接触(topcon) 原位掺杂 选择性前场 纳米硼浆
在线阅读 下载PDF
n型隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池发射极激光硼掺杂工艺 被引量:1
12
作者 孟庆平 武春青 杨建宁 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第12期2052-2058,共7页
在n型隧穿氧化层钝化背接触(TBC)太阳能电池发射极制程中引入激光掺杂可快速实现发射极图案化制作,简化电池制作流程。通过激光将硼硅玻璃(BSG)中的硼掺入多晶硅层中,形成图案化的掺硼多晶硅层。研究了不同激光参数及掺杂次数对TBC太阳... 在n型隧穿氧化层钝化背接触(TBC)太阳能电池发射极制程中引入激光掺杂可快速实现发射极图案化制作,简化电池制作流程。通过激光将硼硅玻璃(BSG)中的硼掺入多晶硅层中,形成图案化的掺硼多晶硅层。研究了不同激光参数及掺杂次数对TBC太阳能电池发射极钝化性能和方块电阻的影响,实验结果表明,当激光功率为70 W、掺杂次数为2次时,太阳能电池发射极可获得良好的钝化效果和合适方阻,其中掺杂浓度达到8.1×10^(19)cm^(-3),隐开路电压>723 mV,方块电阻约为150Ω/□。制备的TBC太阳能电池的平均光电转换效率可达24.691%,短路电流密度为42.31 mA/cm^(2),开路电压为718.7 mV,填充因子为81.2%。 展开更多
关键词 隧穿氧化层钝化背接触(TBC)太阳能电池 钝化接触 激光掺杂 硼掺杂 光电转换效率
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部