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铸造多晶硅的吸杂
被引量：
6
1
作者
石湘波
许志强
+2 位作者
施正荣
朱拓
汪义川
《江南大学学报（自然科学版）》
CAS
2006年第6期749-752,共4页
吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3...
吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响;同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.
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关键词
磷吸杂
铝吸杂
磷铝共吸杂
太阳电池
多晶硅太阳电池
少子寿命
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职称材料
题名
铸造多晶硅的吸杂
被引量：
6
1
作者
石湘波
许志强
施正荣
朱拓
汪义川
机构
江南大学通信与控制工程学院
江南大学理学院
无锡尚德太阳能电力有限公司
出处
《江南大学学报（自然科学版）》
CAS
2006年第6期749-752,共4页
文摘
吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响;同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.
关键词
磷吸杂
铝吸杂
磷铝共吸杂
太阳电池
多晶硅太阳电池
少子寿命
Keywords
transition metal； phosphorus gettering； aluminium gettering； p/al-cogettering
multicrystalline silicon （mc-Si）solar cell； minority carrier lifetime
分类号
TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铸造多晶硅的吸杂
石湘波
许志强
施正荣
朱拓
汪义川
《江南大学学报（自然科学版）》
CAS
2006
6
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