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题名铟锡氢氧化物的煅烧温度对ITO靶材结构性能的影响
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作者
张倍维
陆映东
黄作
莫斌
方志杰
黄誓成
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机构
广西晶联光电材料有限责任公司
广西科技大学电子工程学院
中南大学材料科学与工程学院
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出处
《功能材料》
北大核心
2025年第1期1209-1216,共8页
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基金
国家自然科学基金项目(12364011)
广西重点研发项目(桂科AB23026146)。
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文摘
研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备的ITO靶材的烧结致密化的影响。XRD衍射分析表明铟锡氢氧化物的粉末煅烧温度和时间的增加均会导致ITO粉体晶粒尺寸变大;当煅烧温度为750℃时(2 h),ITO粉体有较高的比表面积,高的表面金属含量构成,制备的靶材具有高的相对密度,更低的电阻率,靶材断面结构紧凑,内部气孔相对较少。前驱粉体煅烧温度与ITO靶材的结构-性能关系,揭示了煅烧温度直接影响铟锡氢氧化物粉体的立方晶体的形成,改变了生成的ITO粉体结构(比表面积、表面元素构成、粒度等),影响成型的素胚密度,进而影响ITO靶材的烧结致密性及导电性能。
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关键词
铟锡氧化物
温度-结构-性能关系
锡(sn)掺杂氧化铟(in2o3)
ITO靶材
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Keywords
indium tin oxide
temperature-structure-performance relationship
tin(sn)doped indium oxide(in 2o 3)
ITO target
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分类号
TM283
[一般工业技术—材料科学与工程]
TB34
[一般工业技术—材料科学与工程]
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