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环境热释光剂量计测量比对及其方法的研究
被引量：
3
1
作者
侯雪莉
戴军
陈宝维
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期976-980,共5页
介绍了参加“环境热释光剂量计测量比对”的测量结果。从参比单位给出的测量结果看出,天然环境辐射比释动能测量的评定值与标准电离室测量的平均值比较,其偏差好于±10.1%,实验室γ射线照射组两组热释光剂量计(TLD)测量评定值与标...
介绍了参加“环境热释光剂量计测量比对”的测量结果。从参比单位给出的测量结果看出,天然环境辐射比释动能测量的评定值与标准电离室测量的平均值比较,其偏差好于±10.1%,实验室γ射线照射组两组热释光剂量计(TLD)测量评定值与标准辐射约定真值偏差好于±16.2%。为了提高环境累积比释动能的测量准确度,特别介绍了环境剂量计的衰退修正及其计算方法。
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关键词
热释光
天然辐射
累积剂量
比对
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职称材料
SiC材料辐照性能的热释光表征分析研究
被引量：
1
2
作者
刘海生
刘马林
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期1356-1363,共8页
碳化硅(Si C)在航空航天、核裂变和核聚变反应堆等高辐照环境中有着广泛应用。由3c-SiC包覆层构成的TRISO燃料颗粒已商业化并应用于先进的高温气冷堆。其中35μm厚的3c-SiC包覆层是承受内压、阻挡裂变产物释放和高效导出核芯热能的关键...
碳化硅(Si C)在航空航天、核裂变和核聚变反应堆等高辐照环境中有着广泛应用。由3c-SiC包覆层构成的TRISO燃料颗粒已商业化并应用于先进的高温气冷堆。其中35μm厚的3c-SiC包覆层是承受内压、阻挡裂变产物释放和高效导出核芯热能的关键层,是保证高温气冷堆安全的关键屏障之一。本文利用热释光(TL)分析对3c-SiC材料展开研究,实验证明SiC材料的发光峰强度随辐照剂量升高而增加。辐照后的发光峰随剂量增加向低温方向移动,遵循TL二阶动力学方程。在辐照环境下载能粒子使Si、C原子偏离晶体格点位置产生过饱和空位、间隙离子、错位原子等点缺陷,新增加了约194.5℃处的发光峰。晶体在生长过程中固有缺陷的浓度依赖于Gibbs自由能、结晶温度的变化,其固有缺陷浓度可以用TL的390℃发光峰表征。这两部分缺陷浓度的增加会使SiC层的包覆性能降低。本文还讨论了SiC材料的TL与Gibbs自由能、结晶温度和固有缺陷浓度的关系,SiC材料的缺陷浓度随结晶温度的增加而降低。本文研究结果对SiC包覆层的缺陷和性能分析有很好的参考价值,对辐照前后SiC包覆层的性能表征有一定的参考意义。
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关键词
3C-SIC
热释光
缺陷
晶体
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职称材料
题名
环境热释光剂量计测量比对及其方法的研究
被引量：
3
1
作者
侯雪莉
戴军
陈宝维
机构
中国辐射防护研究院
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期976-980,共5页
文摘
介绍了参加“环境热释光剂量计测量比对”的测量结果。从参比单位给出的测量结果看出,天然环境辐射比释动能测量的评定值与标准电离室测量的平均值比较,其偏差好于±10.1%,实验室γ射线照射组两组热释光剂量计(TLD)测量评定值与标准辐射约定真值偏差好于±16.2%。为了提高环境累积比释动能的测量准确度,特别介绍了环境剂量计的衰退修正及其计算方法。
关键词
热释光
天然辐射
累积剂量
比对
Keywords
thermoluminescenc
nature radiation
cumulate dose
comparison
分类号
TL816.7 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
SiC材料辐照性能的热释光表征分析研究
被引量：
1
2
作者
刘海生
刘马林
机构
清华大学核能与新能源技术研究院
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期1356-1363,共8页
基金
国家万人计划青年拔尖人才项目(20224723061)
国家自然科学基金(10875067,40306017)。
文摘
碳化硅(Si C)在航空航天、核裂变和核聚变反应堆等高辐照环境中有着广泛应用。由3c-SiC包覆层构成的TRISO燃料颗粒已商业化并应用于先进的高温气冷堆。其中35μm厚的3c-SiC包覆层是承受内压、阻挡裂变产物释放和高效导出核芯热能的关键层,是保证高温气冷堆安全的关键屏障之一。本文利用热释光(TL)分析对3c-SiC材料展开研究,实验证明SiC材料的发光峰强度随辐照剂量升高而增加。辐照后的发光峰随剂量增加向低温方向移动,遵循TL二阶动力学方程。在辐照环境下载能粒子使Si、C原子偏离晶体格点位置产生过饱和空位、间隙离子、错位原子等点缺陷,新增加了约194.5℃处的发光峰。晶体在生长过程中固有缺陷的浓度依赖于Gibbs自由能、结晶温度的变化,其固有缺陷浓度可以用TL的390℃发光峰表征。这两部分缺陷浓度的增加会使SiC层的包覆性能降低。本文还讨论了SiC材料的TL与Gibbs自由能、结晶温度和固有缺陷浓度的关系,SiC材料的缺陷浓度随结晶温度的增加而降低。本文研究结果对SiC包覆层的缺陷和性能分析有很好的参考价值,对辐照前后SiC包覆层的性能表征有一定的参考意义。
关键词
3C-SIC
热释光
缺陷
晶体
Keywords
3c-SiC
thermoluminescenc
defect
crystal
分类号
TL818.4 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
环境热释光剂量计测量比对及其方法的研究
侯雪莉
戴军
陈宝维
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
SiC材料辐照性能的热释光表征分析研究
刘海生
刘马林
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
1
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职称材料
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