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一种用于5G终端的毫米波收发器前端芯片的研制
被引量：
3
1
作者
王美兰
陈炎桂
胡楠
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020年第4期86-89,94,共5页
用0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率电子管(EPHEMT)工艺研制了一款集功率放大器、低噪声放大器、单刀双掷开关为一体的、可用于5G宽带无线移动通信系统终端的毫米波收发器前端芯片。其中,功率放大器采用电抗匹配技术的两级放大拓扑结...
用0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率电子管(EPHEMT)工艺研制了一款集功率放大器、低噪声放大器、单刀双掷开关为一体的、可用于5G宽带无线移动通信系统终端的毫米波收发器前端芯片。其中,功率放大器采用电抗匹配技术的两级放大拓扑结构,单刀双掷开关采用正电压控制的对称器件结构,低噪声放大器采用两级最佳噪声兼顾增益的拓扑结构。测试结果表明,24.25~27.5 GHz频带内,芯片发射支路饱和输出功率>22 dBm,附加效率>28%;芯片接收支路噪声系数<3.0 dB,线性增益>13 dB;芯片收发隔离度优于-20 dB。该芯片面积为2.2 mm×1.8 mm。
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关键词
砷化镓
微波单片集成电路
功率放大器
收发
第五代宽带无线移动通信系统
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职称材料
题名
一种用于5G终端的毫米波收发器前端芯片的研制
被引量：
3
1
作者
王美兰
陈炎桂
胡楠
机构
紫光展锐科技有限公司
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020年第4期86-89,94,共5页
文摘
用0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率电子管(EPHEMT)工艺研制了一款集功率放大器、低噪声放大器、单刀双掷开关为一体的、可用于5G宽带无线移动通信系统终端的毫米波收发器前端芯片。其中,功率放大器采用电抗匹配技术的两级放大拓扑结构,单刀双掷开关采用正电压控制的对称器件结构,低噪声放大器采用两级最佳噪声兼顾增益的拓扑结构。测试结果表明,24.25~27.5 GHz频带内,芯片发射支路饱和输出功率>22 dBm,附加效率>28%;芯片接收支路噪声系数<3.0 dB,线性增益>13 dB;芯片收发隔离度优于-20 dB。该芯片面积为2.2 mm×1.8 mm。
关键词
砷化镓
微波单片集成电路
功率放大器
收发
第五代宽带无线移动通信系统
Keywords
GaAs
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
power amplifier(PA)
T/R
the fifth generation broadband wireless mobile communication system
分类号
TN929.5 [电子电信—通信与信息系统]
TN859 [电子电信—信息与通信工程]
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作者
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1
一种用于5G终端的毫米波收发器前端芯片的研制
王美兰
陈炎桂
胡楠
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020
3
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