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基于肖特基势垒二极管三维电磁模型的220GHz三倍频器
被引量：
9
1
作者
张勇
卢秋全
+2 位作者
刘伟
李理
徐锐敏
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期405-411,共7页
采用阻性肖特基势垒二极管UMS DBES105a设计了一个太赫兹三倍频器.为了提高功率容量和倍频效率,该倍频器采用反向并联二极管对结构实现平衡式倍频.根据S参数测试曲线建立了该二极管的等效电路模型并提取了模型参数.由于在太赫兹频段二...
采用阻性肖特基势垒二极管UMS DBES105a设计了一个太赫兹三倍频器.为了提高功率容量和倍频效率,该倍频器采用反向并联二极管对结构实现平衡式倍频.根据S参数测试曲线建立了该二极管的等效电路模型并提取了模型参数.由于在太赫兹频段二极管的封装影响到电路的场分布,将传统的二极管SPICE参数直接应用于太赫兹频段的电路设计存在一定缺陷,因此还建立了二极管的三维电磁模型.基于该模型研制出的220 GHz三倍频器最大输出功率为1.7 mW,最小倍频损耗为17.5 dB,在223.5 GHz^237 GHz输出频率范围内,倍频损耗小于22 dB.
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关键词
太赫兹
平衡式倍频
肖特基势垒二极管
谐波平衡法
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职称材料
250GHz太赫兹谐波混频器设计
被引量：
8
2
作者
何月
黄昆
+2 位作者
缪丽
邓贤进
钟伟
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015年第S1期69-72,共4页
太赫兹变频组件是实现太赫兹成像和通信应用的关键器件。本文中介绍了基于hammer-head滤波器紧凑结构,结合肖特结二极管的三维模型和电气模型,设计低变频损耗250GHz太赫兹谐波混频器的方法。在高倍光学显微镜的精准测量下,建立尺寸可以...
太赫兹变频组件是实现太赫兹成像和通信应用的关键器件。本文中介绍了基于hammer-head滤波器紧凑结构,结合肖特结二极管的三维模型和电气模型,设计低变频损耗250GHz太赫兹谐波混频器的方法。在高倍光学显微镜的精准测量下,建立尺寸可以跟信号波长相比拟的二极管三维模型,准确模拟二极管的高频特性以提高电磁仿真精度。为了进一步降低太赫兹混频器的变频损耗,文中除了采用紧凑型的hammer-head滤波器结构外,同时通过波导探针直接实现与二极管阻抗的匹配,简化了混频器的结构降低谐波信号传输线损,从而降低太赫兹谐波混频器的变频损耗。最终仿真结果表明,250GHz谐波混频器在3d Bm的本振功率驱动下,在230~270GHz射频范围内,变频损耗(SSB)均小于6.8d B,最低变频小于6.2d B,中频带宽大于20GHz。
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关键词
太赫兹
谐波分析
肖特基二极管
器件建模
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职称材料
基于肖特基阻性二极管的140 GHz二倍频器
被引量：
1
3
作者
王成
蒋均
+1 位作者
缪丽
邓贤进
《太赫兹科学与电子信息学报》
2013年第6期842-846,852,共6页
介绍了一种基于肖特基阻性二极管的140 GHz二倍频器,该倍频器采用矩形波导内嵌石英基片微带电路,通过四肖特基结正向并联结构提高驱动功率承受能力。倍频设计中应用了自建精确二极管三维电磁模型、宽带电磁耦合结构和宽带阻抗匹配结构,...
介绍了一种基于肖特基阻性二极管的140 GHz二倍频器,该倍频器采用矩形波导内嵌石英基片微带电路,通过四肖特基结正向并联结构提高驱动功率承受能力。倍频设计中应用了自建精确二极管三维电磁模型、宽带电磁耦合结构和宽带阻抗匹配结构,以提高仿真结果和实际器件的吻合度。测试结果表明:在频率为65 GHz^75 GHz,功率为20 dBm的驱动信号激励下,二倍频器输出频率为130 GHz^150 GHz,输出功率为3.3 dBm^8.0 dBm,倍频损耗为11.7 dB^16.3 dB。在23 dBm^24 dBm的最大驱动功率激励下,倍频器最大输出功率达11.2 dBm/136 GHz,基本达到了成像雷达的应用性能指标。
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关键词
太赫兹
二倍频器
肖特基二极管
阻性管
器件建模
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职称材料
题名
基于肖特基势垒二极管三维电磁模型的220GHz三倍频器
被引量：
9
1
作者
张勇
卢秋全
刘伟
李理
徐锐敏
机构
电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期405-411,共7页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA010203
2011AA8124018A)
中央高校基本科研业务费(ZYGX2011X002)~~
文摘
采用阻性肖特基势垒二极管UMS DBES105a设计了一个太赫兹三倍频器.为了提高功率容量和倍频效率,该倍频器采用反向并联二极管对结构实现平衡式倍频.根据S参数测试曲线建立了该二极管的等效电路模型并提取了模型参数.由于在太赫兹频段二极管的封装影响到电路的场分布,将传统的二极管SPICE参数直接应用于太赫兹频段的电路设计存在一定缺陷,因此还建立了二极管的三维电磁模型.基于该模型研制出的220 GHz三倍频器最大输出功率为1.7 mW,最小倍频损耗为17.5 dB,在223.5 GHz^237 GHz输出频率范围内,倍频损耗小于22 dB.
关键词
太赫兹
平衡式倍频
肖特基势垒二极管
谐波平衡法
Keywords
terahertz
, balanced multiplier structure,
schottky
barrier
diode
,
harmonic
balance
analysis
分类号
TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
250GHz太赫兹谐波混频器设计
被引量：
8
2
作者
何月
黄昆
缪丽
邓贤进
钟伟
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
中国工程物理研究院太赫兹研究中心
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015年第S1期69-72,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划("973"计划)(2015CB755406)
文摘
太赫兹变频组件是实现太赫兹成像和通信应用的关键器件。本文中介绍了基于hammer-head滤波器紧凑结构,结合肖特结二极管的三维模型和电气模型,设计低变频损耗250GHz太赫兹谐波混频器的方法。在高倍光学显微镜的精准测量下,建立尺寸可以跟信号波长相比拟的二极管三维模型,准确模拟二极管的高频特性以提高电磁仿真精度。为了进一步降低太赫兹混频器的变频损耗,文中除了采用紧凑型的hammer-head滤波器结构外,同时通过波导探针直接实现与二极管阻抗的匹配,简化了混频器的结构降低谐波信号传输线损,从而降低太赫兹谐波混频器的变频损耗。最终仿真结果表明,250GHz谐波混频器在3d Bm的本振功率驱动下,在230~270GHz射频范围内,变频损耗(SSB)均小于6.8d B,最低变频小于6.2d B,中频带宽大于20GHz。
关键词
太赫兹
谐波分析
肖特基二极管
器件建模
Keywords
terahertz
,
harmonic analysis
,
schottky diode
,
device modeling
分类号
TN773 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于肖特基阻性二极管的140 GHz二倍频器
被引量：
1
3
作者
王成
蒋均
缪丽
邓贤进
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
中国工程物理研究院太赫兹研究中心
出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2013年第6期842-846,852,共6页
文摘
介绍了一种基于肖特基阻性二极管的140 GHz二倍频器,该倍频器采用矩形波导内嵌石英基片微带电路,通过四肖特基结正向并联结构提高驱动功率承受能力。倍频设计中应用了自建精确二极管三维电磁模型、宽带电磁耦合结构和宽带阻抗匹配结构,以提高仿真结果和实际器件的吻合度。测试结果表明:在频率为65 GHz^75 GHz,功率为20 dBm的驱动信号激励下,二倍频器输出频率为130 GHz^150 GHz,输出功率为3.3 dBm^8.0 dBm,倍频损耗为11.7 dB^16.3 dB。在23 dBm^24 dBm的最大驱动功率激励下,倍频器最大输出功率达11.2 dBm/136 GHz,基本达到了成像雷达的应用性能指标。
关键词
太赫兹
二倍频器
肖特基二极管
阻性管
器件建模
Keywords
terahertz
doubler
schottky diode
varistor
device modeling
分类号
TN771 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于肖特基势垒二极管三维电磁模型的220GHz三倍频器
张勇
卢秋全
刘伟
李理
徐锐敏
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
9
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下载PDF
职称材料
2
250GHz太赫兹谐波混频器设计
何月
黄昆
缪丽
邓贤进
钟伟
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015
8
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职称材料
3
基于肖特基阻性二极管的140 GHz二倍频器
王成
蒋均
缪丽
邓贤进
《太赫兹科学与电子信息学报》
2013
1
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职称材料
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