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SiC MOSFET与Si IGBT器件温度敏感电参数对比研究
被引量：
4
1
作者
俞恒裕
王俊
+1 位作者
江希
陈建军
《电源学报》
CSCD
北大核心
2020年第4期28-37,共10页
功率半导体器件结温是反映器件健康状态的关键指标。目前被认为具有前景的在线实时结温提取方案是基于器件本身的温度敏感电参数TSEPs(temperature sensitive electrical parameters)法,对于Si IGBT器件温敏电参数的在线实时结温提取方...
功率半导体器件结温是反映器件健康状态的关键指标。目前被认为具有前景的在线实时结温提取方案是基于器件本身的温度敏感电参数TSEPs(temperature sensitive electrical parameters)法,对于Si IGBT器件温敏电参数的在线实时结温提取方法国内外已有大量文献报道,但对于宽禁带SiC器件研究甚少,且对于不同种温敏电参数的特性差异分析极为必要。因此,提出针对不同温敏电参数在SiC MOSFET和Si IGBT上的对比分析。首先对SiC MOSFET的静态和动态温敏电参数进行理论建模分析获取结温敏感依据,后续通过实验多维度对比分析温敏电参数在SiC MOSFET和Si IGBT的适用性。最后就各温敏电参数的提取电路设计进行分析对比。实验结果表明,通态电阻Ron和开通di/dt更适合于SiC MOSFET,而VTH、td-off和VGP更适合于Si IGBT。
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关键词
SiC
MOSFET
Si
IGBT
温度敏感电参数
结温提取
可靠性
在线阅读
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职称材料
SiC MOSFET的温度特性及结温评估研究进展
被引量：
3
2
作者
吴军科
李辉
+2 位作者
魏云鹏
魏向楠
闫海东
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第7期541-556,共16页
与Si器件相比,SiC器件具有更加优异的电气性能,新特性给其结温评估带来了新挑战,许多适用于Si器件的结温评估方法可能不再适用于SiC器件。首先对SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的温度特性进行了分析,阐述了本征载流子浓度、...
与Si器件相比,SiC器件具有更加优异的电气性能,新特性给其结温评估带来了新挑战,许多适用于Si器件的结温评估方法可能不再适用于SiC器件。首先对SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的温度特性进行了分析,阐述了本征载流子浓度、载流子迁移率等参数受温度的影响机理,分析了器件阻断特性、输出特性、转移特性等参量,以便找到能够表征结温特性的电气参量;然后研究分析了功率器件结温测量的各类方法,并重点阐述了温敏电参数(TSEP)法在SiC MOSFET结温评估领域的应用前景,从线性度、灵敏度等6个方面对比分析了各方法的优缺点,并指出阈值电压和体二极管压降作为TSEP具有显著优势;最后分析了TSEP法在目前工程应用中面临的挑战,并对未来的研究工作进行了展望。
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关键词
功率器件
SIC
温度特性
结温评估
温敏电参数(
tsep
)
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职称材料
题名
SiC MOSFET与Si IGBT器件温度敏感电参数对比研究
被引量：
4
1
作者
俞恒裕
王俊
江希
陈建军
机构
湖南大学电气与信息工程学院
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2020年第4期28-37,共10页
基金
国家自然科学基金资助项目(51977064)。
文摘
功率半导体器件结温是反映器件健康状态的关键指标。目前被认为具有前景的在线实时结温提取方案是基于器件本身的温度敏感电参数TSEPs(temperature sensitive electrical parameters)法,对于Si IGBT器件温敏电参数的在线实时结温提取方法国内外已有大量文献报道,但对于宽禁带SiC器件研究甚少,且对于不同种温敏电参数的特性差异分析极为必要。因此,提出针对不同温敏电参数在SiC MOSFET和Si IGBT上的对比分析。首先对SiC MOSFET的静态和动态温敏电参数进行理论建模分析获取结温敏感依据,后续通过实验多维度对比分析温敏电参数在SiC MOSFET和Si IGBT的适用性。最后就各温敏电参数的提取电路设计进行分析对比。实验结果表明,通态电阻Ron和开通di/dt更适合于SiC MOSFET,而VTH、td-off和VGP更适合于Si IGBT。
关键词
SiC
MOSFET
Si
IGBT
温度敏感电参数
结温提取
可靠性
Keywords
SiC MOSFET
Si IGBT
temperature-sensitive
electrical
parameters
(
tseps
)
junction temperature extraction
reliability
分类号
TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
SiC MOSFET的温度特性及结温评估研究进展
被引量：
3
2
作者
吴军科
李辉
魏云鹏
魏向楠
闫海东
机构
桂林电子科技大学机电工程学院
浙江大学杭州国际科创中心
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第7期541-556,共16页
基金
国家自然科学基金资助项目(51967005)
广西科技计划项目(桂科AD20297046)。
文摘
与Si器件相比,SiC器件具有更加优异的电气性能,新特性给其结温评估带来了新挑战,许多适用于Si器件的结温评估方法可能不再适用于SiC器件。首先对SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的温度特性进行了分析,阐述了本征载流子浓度、载流子迁移率等参数受温度的影响机理,分析了器件阻断特性、输出特性、转移特性等参量,以便找到能够表征结温特性的电气参量;然后研究分析了功率器件结温测量的各类方法,并重点阐述了温敏电参数(TSEP)法在SiC MOSFET结温评估领域的应用前景,从线性度、灵敏度等6个方面对比分析了各方法的优缺点,并指出阈值电压和体二极管压降作为TSEP具有显著优势;最后分析了TSEP法在目前工程应用中面临的挑战,并对未来的研究工作进行了展望。
关键词
功率器件
SIC
温度特性
结温评估
温敏电参数(
tsep
)
Keywords
power device
SiC
temperature characteristic
junction temperature evaluation
temperature-sensitive
electrical
paramet
er(
tsep
)
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiC MOSFET与Si IGBT器件温度敏感电参数对比研究
俞恒裕
王俊
江希
陈建军
《电源学报》
CSCD
北大核心
2020
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
SiC MOSFET的温度特性及结温评估研究进展
吴军科
李辉
魏云鹏
魏向楠
闫海东
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
3
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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