期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到83篇文章
< 1 2 … 5 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
一种CMOS超宽带LNA的优化设计方法 被引量：11
1
作者 刘萌萌 张盛 +2 位作者 王硕 张建良 周润德 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1082-1086,共5页
为实现性能更优的超宽带(UWB)射频前端低噪声放大器(LNA),本文提出了一种通用的基于CMOS工艺的超宽带LNA优化设计方法.基于源端电感负反馈的LNA电路模型,本文提出利用最优化的数学方法分别确定晶体管尺寸、输入匹配网络和负载网络各元... 为实现性能更优的超宽带(UWB)射频前端低噪声放大器(LNA),本文提出了一种通用的基于CMOS工艺的超宽带LNA优化设计方法.基于源端电感负反馈的LNA电路模型,本文提出利用最优化的数学方法分别确定晶体管尺寸、输入匹配网络和负载网络各元件参数的方法,实现了较好的输入阻抗匹配,达到了较高的增益、较好的增益平坦度以及优秀的噪声系数,并具有较低的功耗;本设计方法所用无源元件不但适宜CMOS集成,而且对工艺偏差具有一定的忍耐力.仿真结果说明用上述方法设计的超宽带LNA在工作频带内能够达到预期的各项性能要求. 展开更多
关键词 射频前端低噪声放大器 超宽带 优化设计方法 CMOS
在线阅读 下载PDF
一种具有0.5dB噪声系数的450～470MHz单片集成LNA 被引量：1
2
作者 曾健平 戴志伟 +2 位作者 杨浩 张海英 郑新年 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期91-94,共4页
基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，设计制造了一款工作于450-470MHz频段的单片集成低噪声放大器（LNA），该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配，减小了无源元件占有的芯片面积，达到了单片集成的目的，同时降低... 基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，设计制造了一款工作于450-470MHz频段的单片集成低噪声放大器（LNA），该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配，减小了无源元件占有的芯片面积，达到了单片集成的目的，同时降低了使用成本,测试结果表明，该单片集成LNA具有40dB左右的增益和约0．5dB的噪声系数，其低噪声性能十分优秀，这得益于pHEMT管不引入高损耗的片上电感所带来的好处及其本身优异的低噪声特性． 展开更多
关键词 低噪声放大器 阻容负反馈 单片集成 低频段 PHEMT
在线阅读 下载PDF
低功耗高增益CMOS LNA的设计
3
作者 伊廷荣 成立 +2 位作者 王玲 范汉华 植万江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期726-729,共4页
设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA)。所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50Ω的输入阻抗匹配。文中设计的放大器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试。结果表... 设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA)。所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50Ω的输入阻抗匹配。文中设计的放大器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试。结果表明,所设计的低噪声放大器结构简单,极限尺寸为0.18μm,当中心频率f0为2.4GHz、电源电压VDD为1.8V时其功率增益S21为16.5dB,但功耗Pd只有2.9mW,噪声系数NF为2.4dB,反向隔离度S12为-58dB。由此验证了所设计的CMOSRF放大器可以在满足低噪声、低功耗、高增益的前提下向100nm级的研发方向发展。 展开更多
关键词 低噪声放大器 CMOS射频电路 低功耗 高增益
在线阅读 下载PDF
兼顾群延时与宽带匹配的SiGe HBT LNA设计
4
作者 黄璐 张万荣 +3 位作者 谢红云 沈珮 黄毅文 胡宁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1118-1121,1126,共5页
选用SiGe HBT作为电路的有源器件,利用基极串联电感LB与反馈支路、晶体管Miller效应所产生的寄生电容形成的T型匹配网络取得了输入阻抗的良好匹配,并就基极串联电感值对系统群延时的影响进行了讨论,优化LB以满足兼容群延时与宽带匹配的... 选用SiGe HBT作为电路的有源器件,利用基极串联电感LB与反馈支路、晶体管Miller效应所产生的寄生电容形成的T型匹配网络取得了输入阻抗的良好匹配,并就基极串联电感值对系统群延时的影响进行了讨论,优化LB以满足兼容群延时与宽带匹配的要求。该放大器在3.1-10.6 GHz的带宽内增益达到12.7 dB,增益变化小于等于1.8 dB,噪声小于3.85 dB,群延时小于24 ps,静态功耗仅为6.3 mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 超宽带 宽带匹配 群延时
在线阅读 下载PDF
基于ADS的滤波低噪声放大器功能融合电路仿真设计教学案例
5
作者 蔡奇 谢清林 《实验室研究与探索》 北大核心 2025年第6期82-86,共5页
以低噪声放大器为切入点,基于先进设计系统,设计了融合滤波器功能的低噪声放大器。设计基于高增益、高线性度和低噪声E-pHEMT芯片,结合改良的切比雪夫带通架构,将抽象的射频理论融入具体电路设计实例。设计的低噪声放大器性能优越,噪声... 以低噪声放大器为切入点,基于先进设计系统,设计了融合滤波器功能的低噪声放大器。设计基于高增益、高线性度和低噪声E-pHEMT芯片,结合改良的切比雪夫带通架构,将抽象的射频理论融入具体电路设计实例。设计的低噪声放大器性能优越,噪声系数≤1 dB,带内增益高,在3~4 GHz范围内无条件稳定等特性,并兼具良好的带通滤波功能。这种基于实例的教学方式,有效解决传统教学中理论抽象、难以理解的问题,提升课堂互动性,促进学生实践应用与创新思维能力的培养。研究对完善课程教学体系具有理论支持和实践指导意义,为同类课程提供了从理论讲授到实践操作的完整教学路径,有力提升课程教学质量。 展开更多
关键词 功能融合电路 低噪声放大器 滤波器 教学方法
在线阅读 下载PDF
一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA 被引量：5
6
作者 谌斐华 多新中 孙晓玮 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第11期2772-2775,共4页
高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6... 高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13μm RF CMOS工艺流片,芯片面积为0.76mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8GHz,最大增益为21.8dB、最小增益8.2dB,共7种增益模式。最小噪声系数为2.7dB,典型的IIP3为-7dBm。 展开更多
关键词 RFCMOS 低噪声放大器(lna) 噪声消除 宽带 可变增益
在线阅读 下载PDF
L波段0.9mW CMOS LNA的分析与设计 被引量：2
7
作者 康成斌 杜占坤 阎跃鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1003-1006,共4页
给出了一种采用Г型输入匹配网络的源简并共源低噪声放大器电路结构,分析了在低功耗情况下,高频寄生效应对低噪声放大器(LNA)输入阻抗及噪声特性的影响,并采用此结构设计了一款工作于L波段的低功耗低噪声放大器。采用CMOS 0.18μm工艺,... 给出了一种采用Г型输入匹配网络的源简并共源低噪声放大器电路结构,分析了在低功耗情况下,高频寄生效应对低噪声放大器(LNA)输入阻抗及噪声特性的影响,并采用此结构设计了一款工作于L波段的低功耗低噪声放大器。采用CMOS 0.18μm工艺,设计了完整的ESD保护电路,并进行了QFN封装。测试结果表明,在1.57 GHz工作频率下,该低噪声放大器的输入回波损耗小于-30 dB,输出回波损耗小于-14 dB,增益为15.5 dB,噪声系数(NF)为2.4 dB,输入三阶交调点(IIP3)约为-8 dBm。当工作电压为1.5 V时,功耗仅为0.9 mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 低功耗 阻抗匹配 互补型金属氧化物半导体 寄生效应
在线阅读 下载PDF
基于0.13μm CMOS工艺的毫米波宽带LNA设计 被引量：2
8
作者 陶路 王军 《传感器与微系统》 CSCD 2020年第5期110-112,121,共4页
针对5G通信技术在毫米波频段的应用,设计了一种25~30 GHz的低噪声放大器(LNA)。为了在毫米波频段实现高增益,采用了三级电路级联结构,第一级采用共源结构,第二、三级采用共源共栅(cascode)结构,在共源管和共栅管之间加入级间电感,消除... 针对5G通信技术在毫米波频段的应用,设计了一种25~30 GHz的低噪声放大器(LNA)。为了在毫米波频段实现高增益,采用了三级电路级联结构,第一级采用共源结构,第二、三级采用共源共栅(cascode)结构,在共源管和共栅管之间加入级间电感,消除级间寄生电容和抑制共栅管的输出噪声。添加反馈网络来优化电路,利用En-In噪声模型对反馈网络进行噪声分析,优化LNA噪声性能。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,采用ADS软件平台对LNA进行仿真。实验结果表明:在25~30 GHz频段内性能良好,S11小于-12.6 dB,S22小于-13.4 dB,S 21为(25.6±0.3)dB,NF为(2.27~2.77)dB。 展开更多
关键词 毫米波 低噪声放大器 En-In噪声模型 反馈
在线阅读 下载PDF
两路合成式LNA的噪声系数分析与设计 被引量：1
9
作者 汪玉平 《电讯技术》 北大核心 2010年第1期103-106,共4页
两路合成式接收系统的噪声系数对各路增益的一致性要求很高。为保证测试和实际使用中噪声系数误差控制在合理范围内,结合理论计算和ADS软件仿真,得出两路增益差控制在±5%左右,噪声系数误差在±0.1dB左右。将此结论应用于工程... 两路合成式接收系统的噪声系数对各路增益的一致性要求很高。为保证测试和实际使用中噪声系数误差控制在合理范围内,结合理论计算和ADS软件仿真,得出两路增益差控制在±5%左右,噪声系数误差在±0.1dB左右。将此结论应用于工程设计中,取得了较好的效果。 展开更多
关键词 接收机前端 低噪声放大器 两路合成 噪声系数 ADS仿真
在线阅读 下载PDF
基于多重反馈环路技术的0.8～5.2GHz CMOS宽带LNA设计
10
作者 万求真 吴潇婷 +1 位作者 徐蒙 徐丹丹 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期124-130,共7页
在传统共栅放大器结构基础上,基于0.18μm CMOS工艺,提出一种带多重反馈环路技术的0.8~5.2GHz宽带低噪声放大器(LNA).该电路采用的负反馈结构在改善噪声系数和输入阻抗匹配的同时并不需要消耗额外的功耗;采用的双重正反馈结构增加了输入... 在传统共栅放大器结构基础上,基于0.18μm CMOS工艺,提出一种带多重反馈环路技术的0.8~5.2GHz宽带低噪声放大器(LNA).该电路采用的负反馈结构在改善噪声系数和输入阻抗匹配的同时并不需要消耗额外的功耗;采用的双重正反馈结构增加了输入级MOS管跨导设计的灵活性,并可通过输出负载阻抗反过来控制输入阻抗匹配,使得提出的LNA在宽频率范围内实现功率增益、输入阻抗与噪声系数的同时优化.后版图仿真结果显示,在0.8~5.2GHz频段内,该宽带LNA的功率增益范围为12.0~14.5dB,输入反射系数S_(11)为-8.0^-17.6dB,输出反射系数S_(22)为-10.0^-32.4dB,反向传输系数S12小于-45.6dB,噪声系数NF为3.7~4.1dB.在3GHz时的输入三阶交调点IIP3为-4.0dBm.芯片在1.5V电源电压下,消耗的功率仅为9.0mW,芯片总面积为0.7mm×0.8mm. 展开更多
关键词 CMOS 射频集成电路 低噪声放大器 宽带 多重反馈环路技术
在线阅读 下载PDF
一种采用双耦合等效跨导增强技术的94 GHz CMOS LNA
11
作者 张凯娟 石春琦 张润曦 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期306-310,共5页
采用55 nm CMOS工艺,设计了一款应用于毫米波成像系统的94 GHz低噪声放大器(LNA)。提出一种双耦合等效跨导增强技术,在提高增益的同时,实现良好的宽带输入匹配。使用中和电容技术和共栅管栅端短接技术,进一步提高增益,并保证放大器的高... 采用55 nm CMOS工艺,设计了一款应用于毫米波成像系统的94 GHz低噪声放大器(LNA)。提出一种双耦合等效跨导增强技术,在提高增益的同时,实现良好的宽带输入匹配。使用中和电容技术和共栅管栅端短接技术,进一步提高增益,并保证放大器的高频稳定性。芯片测试结果表明,LNA的小信号增益最大值达到14.2 dB,3 dB带宽为87.1~95 GHz,噪声系数为6.7dB,输入1 dB压缩点为-13dBm。 展开更多
关键词 双耦合等效跨导增强 低噪声放大器 毫米波 共栅管栅端短接
在线阅读 下载PDF
基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器
12
作者 李泽坤 陈继新 +1 位作者 郑司斗 洪伟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期187-191,共5页
本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现... 本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66~112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 宽带 W波段
在线阅读 下载PDF
噪声系数最小1.6 dB有高带外抑制的5~6 GHz射频接收前端芯片
13
作者 傅海鹏 程志强 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期2192-2198,共7页
为了满足射频通信前端接收部分对高线性与带外信号抑制能力的要求,基于130 nm绝缘体上硅工艺设计并实现工作在5~6 GHz的射频接收前端芯片.该前端芯片由带有旁路和带外抑制功能的低噪声放大器(LNA)、射频开关和带隙基准偏置电路等组成.... 为了满足射频通信前端接收部分对高线性与带外信号抑制能力的要求,基于130 nm绝缘体上硅工艺设计并实现工作在5~6 GHz的射频接收前端芯片.该前端芯片由带有旁路和带外抑制功能的低噪声放大器(LNA)、射频开关和带隙基准偏置电路等组成.基于共源共栅结构的LNA,在输入匹配中使用LC陷波实现带外抑制;在偏置电路中,使用带隙基准电流源对LNA的偏置进行温度补偿,屏蔽电源纹波影响.对该前端芯片进行流片加工并测试,结果表明,当工作频率为5~6 GHz时,芯片的接收增益为13.4~14.0 dB,输入与输出反射系数均小于-10 dB,频带内的最小噪声系数为1.6 dB,在工作频率内1 dB压缩点的输入功率大于-4 dBm,输入三阶交调点大于+7 dBm.低噪声放大器在整个工作频段内无条件稳定,在2 V供电电压下电路的直流功耗为30 mW,芯片面积为0.56 mm2. 展开更多
关键词 低噪声放大器(lna) 带外抑制 绝缘体上硅工艺 射频接收前端 有源偏置
在线阅读 下载PDF
集成Si基低噪声放大器的注入损伤研究 被引量：14
14
作者 柴常春 张冰 +1 位作者 任兴荣 冷鹏 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期898-903,共6页
Si基和GaAs基低噪声放大器(LNA)内部有源器件的基极/发射极间是注入能量作用下容易损伤的敏感部位,同时Si基LNA内部的无源电阻也是外界能量作用下的易损薄弱环节之一.为了研究注入损伤机理和对LNA性能参数的影响,进行了能量色散谱(EDS)... Si基和GaAs基低噪声放大器(LNA)内部有源器件的基极/发射极间是注入能量作用下容易损伤的敏感部位,同时Si基LNA内部的无源电阻也是外界能量作用下的易损薄弱环节之一.为了研究注入损伤机理和对LNA性能参数的影响,进行了能量色散谱(EDS)分析和表面形貌(SEM)分析.SEM分析表明,不同能量作用下的样品其内部无源电阻和晶体管基极分别出现了异常,而对比正常和异常区域的EDS谱表明电极异常区域的组分有明显变化.ADS2004A的仿真结果表明,能量作用后电阻损伤阻值增大引起LNA噪声系数和增益特性退化.实验结果表明,LNA噪声系数NF对能量的作用更敏感,能量注入对NF的影响远强于其对增益的影响,噪声系数NF的变化应作为Si基LNA能量作用损伤的判据之一. 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 能量注入 损伤效应 无源电阻
在线阅读 下载PDF
利用ADS软件设计X频段低噪声放大器 被引量：20
15
作者 唐海啸 张玉兴 +1 位作者 杨陈庆 杨玉梅 《电讯技术》 2006年第1期119-122,共4页
首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法，然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明，此放大器达到了预定的技术指标，性能良好。其... 首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法，然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明，此放大器达到了预定的技术指标，性能良好。其工作频段为8．6—9．5GHz，噪声系数≤1．8dB，增益为23dB，带内平坦度≤±0．5dB。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 增益 SMITH圆图 ADS仿真软件 优化
在线阅读 下载PDF
超宽带射频接收机的研制 被引量：10
16
作者 田玲 朱红兵 洪伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1838-1842,共5页
超宽带(UWB)短距离无线通信技术是当前国内外研究的热点,直接序列超宽带(DS-UWB)方案和多带-正交频分复用(MB-OFDM UWB)方案是两个主要候选方案,其中多带-正交频分复用方案是较受重视的方案.本文针对MB-OFDM UWB系统,提出了一种双载波-... 超宽带(UWB)短距离无线通信技术是当前国内外研究的热点,直接序列超宽带(DS-UWB)方案和多带-正交频分复用(MB-OFDM UWB)方案是两个主要候选方案,其中多带-正交频分复用方案是较受重视的方案.本文针对MB-OFDM UWB系统,提出了一种双载波-正交频分复用(DC-OFDM UWB)的射频解决方案.该方案采用了两个相邻的子载波实现宽带通信,两个子载波是在中频部分采用合路/分路的方式,以降低硬件实现难度和系统的复杂度.设计了UWB射频接收机中的低噪声放大器(LNA)、频率合成器和解调器等关键部件,并建立了DC-OFDM UWB接收机实验演示平台.测试结果表明,研制的射频接收机满足FCC规定的射频指标要求,该方案也适用于其它的宽带通信系统中. 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 频率合成器 解调器
在线阅读 下载PDF
1.5-6GHz增益和噪声系数稳定的两级超宽带CMOS低噪声放大器设计与性能模拟 被引量：11
17
作者 何小威 李晋文 张民选 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1668-1672,共5页
针对UWB应用设计实现了一个1.5-6GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA).通过引入共栅(CG)和共源(CS)结构以获得宽范围内的输入匹配,采用电流镜和峰化电感进行电流复用,所提出的LNA实现了非常平坦化的功率增益和噪声系数(NF).经标准0.18μm C... 针对UWB应用设计实现了一个1.5-6GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA).通过引入共栅(CG)和共源(CS)结构以获得宽范围内的输入匹配,采用电流镜和峰化电感进行电流复用,所提出的LNA实现了非常平坦化的功率增益和噪声系数(NF).经标准0.18μm CMOS工艺实现后,版图后模拟结果表明在1.5-5GHz频率范围内功率增益(S21)为11.45±0.05dB,在2-6GHz频率范围内噪声系数(NF)为5.15±0.05dB,输入损耗(S11)小于-18dB.在5GHz时,模拟得到的三阶交调点(IIP3)为-7dBm,1dB压缩点为-5dBm.在1.8V电源电压下,LNA消耗6mA的电流,版图实现面积仅为0.62mm2. 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 噪声系数 宽带 CMOS
在线阅读 下载PDF
2～4 GHz MMIC低噪声放大器 被引量：7
18
作者 孙艳玲 许春良 +1 位作者 樊渝 魏碧华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期733-736,共4页
采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器（MMIC LNA）。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联... 采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器（MMIC LNA）。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联负反馈和输入匹配电路,实现噪声匹配和输入匹配。第二级采用串联、并联负反馈,提高电路的增益平坦度和稳定性。每一级采用自偏电路设计,实现单电源供电。MMIC芯片测试结果为：工作频率为2~4 GHz,噪声系数小于1.0 dB,增益大于27.5 dB,1 dB压缩点输出功率大于18 dBm,输入、输出回波损耗小于-10 dB,芯片面积为2.2 mm×1.2 mm。 展开更多
关键词 低噪声放大器(lna) 微波单片集成电路(MMIC) 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 负反馈 宽带
在线阅读 下载PDF
点式声学多普勒海流计研究设计 被引量：6
19
作者 范寒柏 李瑞琪 +1 位作者 赵文成 陈绍权 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2015年第11期38-41,共4页
针对高精度测量海水流速问题,研究并设计了点式多普勒海流计,基于STM32F407和AVR微处理器进行硬件开发和软件设计,给出了硬件电路设计及软件流程图,对基于编码驱动的自相关算法进行了分析,对不同算法进行测试,测试结果表明基于编码驱动... 针对高精度测量海水流速问题,研究并设计了点式多普勒海流计,基于STM32F407和AVR微处理器进行硬件开发和软件设计,给出了硬件电路设计及软件流程图,对基于编码驱动的自相关算法进行了分析,对不同算法进行测试,测试结果表明基于编码驱动的自相关算法与传统的FFT相比分辨率更高。 展开更多
关键词 多普勒 频率响应 低噪声放大 频谱估计 自相关算法
在线阅读 下载PDF
基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计 被引量：4
20
作者 丁春宝 张万荣 +7 位作者 金冬月 谢红云 陈亮 沈佩 张东晖 刘波宇 周永强 郭振杰 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1070-1076,共7页
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准... 详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。 展开更多
关键词 低噪声放大器(lna) SiGe异质结双极晶体管(HBT) 电阻反馈 线性度 共射-共基放大器
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 5 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部