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吸附态物种表面迁移对程序升温脱附的影响
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作者 郭向云 钟炳 彭少逸 《燃料化学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期193-196,共4页
利用MonteCarlo(MC)方法研究了吸附态物种表面迁移对程序升温脱附谱图的影响。在MC模型中,催化剂表面用一个二维的方格网络表示,网络格点表示吸附活性位。两种不同的活性位完全随机地分布在表面上。模拟结果表明,两... 利用MonteCarlo(MC)方法研究了吸附态物种表面迁移对程序升温脱附谱图的影响。在MC模型中,催化剂表面用一个二维的方格网络表示,网络格点表示吸附活性位。两种不同的活性位完全随机地分布在表面上。模拟结果表明,两种吸附位的脱附活化能相差不太大时,表面迁移会使高温峰和低温峰发生重叠。而当两种脱附活化能相差比较大时,表面迁移会使高温峰提前出现,但峰位置不会发生明显的变化。 展开更多
关键词 表面迁移 程序升温脱附谱 模拟 tpd MC法
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