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CdTe／ZnTe多量子阱光双稳器件的研究
1
作者
黄培中
张俊
潘光启
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第6期127-131,共5页
介绍了由分子束外延技术生长的ＣｄＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱光双稳器件的工作原理以及制作、结构、测试方法及测试结果，在５３２ｎｍｎ波长下两个样品都观察到了典型的光双稳态现象．
关键词
超晶格
多量子阱
光双稳态器件
半导体
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职称材料
题名
CdTe／ZnTe多量子阱光双稳器件的研究
1
作者
黄培中
张俊
潘光启
机构
"区域光纤通信网与新型光通信系统"国家重点实验室光纤技术研究所
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第6期127-131,共5页
文摘
介绍了由分子束外延技术生长的ＣｄＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱光双稳器件的工作原理以及制作、结构、测试方法及测试结果，在５３２ｎｍｎ波长下两个样品都观察到了典型的光双稳态现象．
关键词
超晶格
多量子阱
光双稳态器件
半导体
Keywords
superlattice
,
multiquantum well
,
optical bistable device
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
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作者
出处
发文年
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1
CdTe／ZnTe多量子阱光双稳器件的研究
黄培中
张俊
潘光启
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
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