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题名45nmCMOS工艺下的低泄漏多米诺电路研究
被引量：1
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作者
杨松
王宏
杨志家
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机构
中国科学院沈阳自动化研究所
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2008年第2期89-92,共4页
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文摘
在研究了45nm CMOS工艺下晶体管泄漏电流特性的基础上,提出了一种可以同时减小多米诺逻辑电路亚阈值和栅极氧化层泄漏功耗,带有NMOS睡眠开关并使用双阈值电压、双栅极氧化层厚度的电路技术。该电路技术与标准的双阈值电压多米诺逻辑电路相比,待机模式时消耗的总泄漏功耗在110℃时最高可以减小65.7%,在25℃时最高可以节省达94.1%。
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关键词
多米诺逻辑
阈值电压
亚阈值泄漏
栅极氧化层
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Keywords
domino logic
threshold voltage
subthreshold leakage
gate oxide
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种超低功耗微控制器片上系统设计
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作者
屈宝丽
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机构
西安交通工程学院
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出处
《电子设计工程》
2022年第13期91-95,共5页
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文摘
针对微控制器片上系统的超低功耗需求,设计了一种集成DC/DC电源管理和自适应动态电压控制(ADVC)机制的超低功耗单片机片上系统。该系统包括完整的Synopsys ARC EM5D核心MCU,具有全套DSP指令,并可在312 kHz~80 MHz的宽频率范围内最大限度地降低能耗。使用许多独特的低压数字库,包括大约300个逻辑单元和时序元件,用于超低功耗单片机片上系统设计。芯片上的硅传感器用于在给定的频率和环境条件下连续改变工作电压,以优化功率和性能,并解决在低电压下工作时的产量和寿命问题。可以通过最多8位数字和线性控制的首次故障(FFail)电路检测给定频率下的故障SoC电压。磁芯在0.45~1.1 V的电压范围之间工作,通过电池直接连接,输入电压范围为1.6~3.6 V。测量结果表明,FFail电路能够精确地跟踪核心频率,满足低功耗要求。
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关键词
亚阈值逻辑
低压单片机
自适应动态电压控制
故障电路
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Keywords
subthreshold logic
low-voltage single-chip microcomputer
adaptive dynamic voltage control
fault circuit
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分类号
TN9
[电子电信—信息与通信工程]
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