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Fe/GaAs中自旋注入效率的研究: 1; 作者张余洋刘之景《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期58-61,共4页; 自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注。文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁... 展开更多; 关键词自旋电子学自旋的漂移-扩散方程自旋注入效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

完全自旋极化电子器件TiCl3/RhCl3/TiCl3的量子输运性质的第一性原理研究被引量：1: 2; 作者张珍黄强 +1 位作者胜献雷郑庆荣《中国科学院大学学报（中英文）》 CSCD 北大核心 2020年第4期458-464,共7页; 基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结。分别计算小偏压范围(0~20 mV)和大偏压范围(0~0.6 V)下的自旋极化... 展开更多; 关键词隧穿磁电阻自旋过滤 I-V曲线自旋注入效率(sie); 在线阅读下载PDF 职称材料

基于γ-石墨炔分子磁隧道结对称性依赖的输运性质: 3; 作者杨贻顺周敏邢燕霞《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第4期84-91,共8页; 利用非平衡格林函数和密度泛函理论,研究不同类型γ-石墨炔分子磁隧道结(MMTJ)自旋极化输运特性的影响。磁隧道结以铁磁性的锯齿形石墨烯纳米带作电极。随着纳米带宽度变化,考虑γ-石墨炔的两种接触点,我们构造了8种有代表性的且具有不... 展开更多; 关键词非平衡格林函数密度泛函理论石墨烯纳米带 γ-石墨炔纳米点自旋极化效率隧穿磁阻自旋极化输运性质; 在线阅读下载PDF 职称材料

磁性半导体隧道结中自旋注入效率的温度效应: 4; 作者马军《科学技术与工程》北大核心 2012年第3期482-485,共4页; 利用了隧道哈密顿方法研究了稀磁性半导体(DMS)到非磁性半导体(SM)隧道结中自旋注入效率与温度的关系。计算表明,随着温度的升高,自旋注入效率逐渐降低。这主要是由两方面的原因引起的,其一温度升高稀磁半导体的极化率降低;其二温度升... 展开更多; 关键词稀磁半导体自旋注入效率隧道哈密顿线性响应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Fe/GaAs中自旋注入效率的研究: 1; 作者张余洋刘之景; 机构中国科学技术大学近代物理系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期58-61,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60377004); 文摘自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注。文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁磁性金属/半导体结构(FM/SC)进行了简单分析。如果选取参数适当,可以在Fe/GaAs结中获得较大的自旋注入效率。; 关键词自旋电子学自旋的漂移-扩散方程自旋注入效率; Keywords spintronics spin drift-diffusion equation spin injection efficiency; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名完全自旋极化电子器件TiCl3/RhCl3/TiCl3的量子输运性质的第一性原理研究被引量：1: 2; 作者张珍黄强胜献雷郑庆荣; 机构中国科学院大学物理科学学院北京航空航天大学物理科学与核能工程学院; 出处《中国科学院大学学报（中英文）》 CSCD 北大核心 2020年第4期458-464,共7页; 基金国家自然科学基金(11574309,11504013) 国家重点研发计划(2018YFA0305800)资助。; 文摘基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结。分别计算小偏压范围(0~20 mV)和大偏压范围(0~0.6 V)下的自旋极化电流曲线。发现在小偏压范围内,器件的隧穿磁电阻(tunneling magnetoresistance,TMR)高达100%,并在这一偏压范围内维持稳定;在电极极化方向平行构型(parallel configuration,PC)下的自旋注入效率也高达100%,具有很强的稳定性。在大偏压范围内,随着偏压的增加TMR逐渐减小,PC构型下的自旋注入效率一直保持100%不变。最后,通过对器件投影态密度图的分析,解释上述物理现象。; 关键词隧穿磁电阻自旋过滤 I-V曲线自旋注入效率(sie); Keywords tunneling magnetoresistance(TMR) spin filter I-V curves spin injection efficiency(sie); 分类号 TN304.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于γ-石墨炔分子磁隧道结对称性依赖的输运性质: 3; 作者杨贻顺周敏邢燕霞; 机构北京理工大学教育部高级光电量子结构与测量重点实验室北京理工大学纳米光子学和超细光电系统重点实验室; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第4期84-91,共8页; 基金国家自然科学基金(11674024)资助项目; 文摘利用非平衡格林函数和密度泛函理论,研究不同类型γ-石墨炔分子磁隧道结(MMTJ)自旋极化输运特性的影响。磁隧道结以铁磁性的锯齿形石墨烯纳米带作电极。随着纳米带宽度变化,考虑γ-石墨炔的两种接触点,我们构造了8种有代表性的且具有不同对称性的隧道结。通过计算我们发现,对称性对磁隧道结的自旋输运起决定性作用。对于偶数碳链的锯齿形石墨烯纳米带,石墨炔的接触点位居于正中,这种结构的自旋极化输运性质远优于其它结构。比如在非常宽的偏压范围内都能达到100%的自旋极化率,且隧穿磁阻(TMR)高达3.7×10^(5),这表明该结构在自旋滤波器和自旋阀器件方面的应用潜力最大。与之形成对比的是,当耦合位置偏离锯齿形石墨烯纳米带的中心时,输运性质迅速变为普通电输运,相应的巨磁阻效应比最优对称结构约小4个数量级。; 关键词非平衡格林函数密度泛函理论石墨烯纳米带 γ-石墨炔纳米点自旋极化效率隧穿磁阻自旋极化输运性质; Keywords Non-equilibrium Green’s function Density functional theory Zigzag graphene nanoribbon γ-Graphyne nanodot spin injection efficiency Tunneling magnetoresistance spin-polarized transport property; 分类号 O649 [理学—物理化学] O488 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名磁性半导体隧道结中自旋注入效率的温度效应: 4; 作者马军; 机构中国药科大学基础部; 出处《科学技术与工程》北大核心 2012年第3期482-485,共4页; 文摘利用了隧道哈密顿方法研究了稀磁性半导体(DMS)到非磁性半导体(SM)隧道结中自旋注入效率与温度的关系。计算表明,随着温度的升高,自旋注入效率逐渐降低。这主要是由两方面的原因引起的,其一温度升高稀磁半导体的极化率降低;其二温度升高自旋反转隧穿增加。; 关键词稀磁半导体自旋注入效率隧道哈密顿线性响应; Keywords diluted magnetic semiconductor spin injection efficiency tunneling hamilton linear response; 分类号 O472.7 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Fe/GaAs中自旋注入效率的研究	张余洋刘之景	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	完全自旋极化电子器件TiCl3/RhCl3/TiCl3的量子输运性质的第一性原理研究	张珍黄强胜献雷郑庆荣	《中国科学院大学学报（中英文）》 CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于γ-石墨炔分子磁隧道结对称性依赖的输运性质	杨贻顺周敏邢燕霞	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	磁性半导体隧道结中自旋注入效率的温度效应	马军	《科学技术与工程》北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料