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FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析
被引量：
2
1
作者
王广甫
刘玉龙
+1 位作者
田人和
张荟星
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期608-611,共4页
用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80～ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 .
关键词
过滤阴极真空弧沉积
沉积能量
sp^
3
键所
占
比例
FCVAD
钽-碳薄膜
在线阅读
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职称材料
题名
FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析
被引量：
2
1
作者
王广甫
刘玉龙
田人和
张荟星
机构
北京师范大学分析测试中心
中国科学院物理研究所光物理开放实验室
北京师范大学低能核物理研究所
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期608-611,共4页
基金
国家"八六三"计划资助项目 ( 863 - 715 - 0 0 8- 0 0 4 0 )
中国科学院物理研究所光物理开放实验室资助项目
文摘
用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80～ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 .
关键词
过滤阴极真空弧沉积
沉积能量
sp^
3
键所
占
比例
FCVAD
钽-碳薄膜
Keywords
Ta-C films
filtered cathodic vacuum arc deposition
deposition energy
sp
3
content
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
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1
FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析
王广甫
刘玉龙
田人和
张荟星
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
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