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基于SMD模型预测全/多氟烷基化合物的正辛醇-水分配系数
1
作者
江波
陈景文
+1 位作者
肖子君
苏利浩
《环境化学》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期1107-1117,共11页
全/多氟烷基化合物(PFASs)是备受关注的新污染物.正辛醇-水分配系数(K_(OW))是评价化学品在环境中分配、迁移和归趋的重要参数,但大多数PFASs缺少K_(OW)的实测值.发展可靠的K_(OW)预测方法,对填补PFASs的K_(OW)数据缺失具有重要意义.本...
全/多氟烷基化合物(PFASs)是备受关注的新污染物.正辛醇-水分配系数(K_(OW))是评价化学品在环境中分配、迁移和归趋的重要参数,但大多数PFASs缺少K_(OW)的实测值.发展可靠的K_(OW)预测方法,对填补PFASs的K_(OW)数据缺失具有重要意义.本研究通过基于溶质电子密度的溶剂化模型(SMD)描述溶剂化效应,以19种PFASs的lgK_(OW)实测值为参照,从哈特里-福克自洽场和密度泛函理论与不同基组的组合中,筛选适于预测PFASs的lgK_(OW)方法.比较lgK_(OW)实测值与不同方法所得预测值之间的相关系数(r)和均方根误差(RMSE),发现当用B3LYP泛函结合6-31+G(d,p)基组优化几何结构,B3LYP泛函结合MIDI!6D基组计算能量时,预测效果最好(r=0.980,P<0.001,RMSE=0.273).发现溶剂形成空穴、溶质-溶剂色散作用和溶剂局部结构变化,为PFASs的K_(OW)值的主要影响因素.本研究为预测PFASs的K_(OW)提供了一种可行的方法.
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关键词
全/多氟烷基化合物
正辛醇-水分配系数
哈特里-福克自洽场
密度泛函理论
基于溶质电子密度的溶剂化模型
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职称材料
一种基于LEO卫星信标的电离层层析成像新算法
被引量：
4
2
作者
欧明
甄卫民
+3 位作者
刘裔文
邓忠新
熊雯
徐继生
《地球物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期3469-3480,共12页
LEO卫星信标是电离层监测的重要手段之一.利用电离层层析成像算法,LEO卫星信标能够实现区域电离层电子密度的快速重构.针对LEO卫星信标的特点,本文提出了一种函数基模型与像素基模型组合的电离层层析成像新算法.选择差分相对电离层总电...
LEO卫星信标是电离层监测的重要手段之一.利用电离层层析成像算法,LEO卫星信标能够实现区域电离层电子密度的快速重构.针对LEO卫星信标的特点,本文提出了一种函数基模型与像素基模型组合的电离层层析成像新算法.选择差分相对电离层总电子含量作为输入数据源,先通过函数基模型法获取电离层电子密度初始分布,再利用像素基模型法对初始分布进行二次迭代重构,该方法可有效降低电离层层析成像对背景电离层模型的依赖,同时能够实现电离层小尺度扰动结构的有效反演.利用数值仿真方法及低纬度电离层层析成像网的实测数据的反演结果验证了本文提出的新算法的可行性和可靠性.
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关键词
LEO卫星信标
电离层层析成像
电子密度
函数基模型
像素基模型
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职称材料
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
被引量：
5
3
作者
董启明
郭小伟
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期558-564,共7页
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻...
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持.
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关键词
干涉光刻
表面等离子体激元
克莱舒曼结构
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职称材料
题名
基于SMD模型预测全/多氟烷基化合物的正辛醇-水分配系数
1
作者
江波
陈景文
肖子君
苏利浩
机构
工业生态与环境工程教育部重点实验室
出处
《环境化学》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期1107-1117,共11页
基金
国家自然科学基金(22136001)
国家重点研发计划项目(2022YFC3902100)资助.
文摘
全/多氟烷基化合物(PFASs)是备受关注的新污染物.正辛醇-水分配系数(K_(OW))是评价化学品在环境中分配、迁移和归趋的重要参数,但大多数PFASs缺少K_(OW)的实测值.发展可靠的K_(OW)预测方法,对填补PFASs的K_(OW)数据缺失具有重要意义.本研究通过基于溶质电子密度的溶剂化模型(SMD)描述溶剂化效应,以19种PFASs的lgK_(OW)实测值为参照,从哈特里-福克自洽场和密度泛函理论与不同基组的组合中,筛选适于预测PFASs的lgK_(OW)方法.比较lgK_(OW)实测值与不同方法所得预测值之间的相关系数(r)和均方根误差(RMSE),发现当用B3LYP泛函结合6-31+G(d,p)基组优化几何结构,B3LYP泛函结合MIDI!6D基组计算能量时,预测效果最好(r=0.980,P<0.001,RMSE=0.273).发现溶剂形成空穴、溶质-溶剂色散作用和溶剂局部结构变化,为PFASs的K_(OW)值的主要影响因素.本研究为预测PFASs的K_(OW)提供了一种可行的方法.
关键词
全/多氟烷基化合物
正辛醇-水分配系数
哈特里-福克自洽场
密度泛函理论
基于溶质电子密度的溶剂化模型
Keywords
per-and polyfluoroalkyl substances
octanol-water partiti
on
coefficients
Hartree-Fock self-c
on
sistent field
density
functi
on
al theory
solvation model based on solute electron density
分类号
X50 [环境科学与工程—环境工程]
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职称材料
题名
一种基于LEO卫星信标的电离层层析成像新算法
被引量：
4
2
作者
欧明
甄卫民
刘裔文
邓忠新
熊雯
徐继生
机构
武汉大学电子信息学院
中国电波传播研究所青岛分所
出处
《地球物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期3469-3480,共12页
基金
科技部国际科技合作专项(2011DFA-22270
2014DFR-21280)联合资助
文摘
LEO卫星信标是电离层监测的重要手段之一.利用电离层层析成像算法,LEO卫星信标能够实现区域电离层电子密度的快速重构.针对LEO卫星信标的特点,本文提出了一种函数基模型与像素基模型组合的电离层层析成像新算法.选择差分相对电离层总电子含量作为输入数据源,先通过函数基模型法获取电离层电子密度初始分布,再利用像素基模型法对初始分布进行二次迭代重构,该方法可有效降低电离层层析成像对背景电离层模型的依赖,同时能够实现电离层小尺度扰动结构的有效反演.利用数值仿真方法及低纬度电离层层析成像网的实测数据的反演结果验证了本文提出的新算法的可行性和可靠性.
关键词
LEO卫星信标
电离层层析成像
电子密度
函数基模型
像素基模型
Keywords
LEO beac
on
I
on
ospheric tomography
electron
density
Functi
on
-
based
model
Voxel-
based
model
分类号
P351 [天文地球—空间物理学]
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职称材料
题名
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
被引量：
5
3
作者
董启明
郭小伟
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期558-564,共7页
基金
The National Natural Science Foundation of China(No.60906052)
文摘
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持.
关键词
干涉光刻
表面等离子体激元
克莱舒曼结构
Keywords
Interference lithography
Surface plasm
on
plortit
on
Kretschmann structureCLCN: TN305.7 Document Code:A Article ID:1004-4213(2012)05-0558-70 Introducti
on
There is a growing interest in exploring new nanolithography techniques with high efficiency,low cost and large-area fabricati
on
to fabricate nanoscale devices for nanotechnology applicati
on
s.C
on
venti
on
al photolithography has remained a useful microfabricati
on
technology because of its ease of repetiti
on
and suitability for large-area fabricati
on
[1].The diffracti
on
limit,however,restricts the fabricati
on
scale of photolithography[2].Potential soluti
on
s that have actually been pursued require increasingly shorter illuminati
on
wavelengths for replicating smaller structures.It is becoming more difficult and complicated to use the short optical wavelengths to reach the desired feature sizes.Other methods such as
electron
beam lithography[3],i
on
beam lithography[4],scanning probe lithography[5],nanoimprint lithography(NIL)[6],and evanescent near-field optical lithography(ENFOL)[7] have been developed in order to achieve nanometer-scale features.As we know,the former three techniques need scanning and accordingly are highly inefficient.In NIL,the leveling of the imprint template and the substrate during the printing process,which determines the uniformity of the imprint result,is a challenging issue of this method.ENFOL have the potential to produce subwavelength structures with high efficiency,but it encounters the fact that the evanescent field decays rapidly through the aperture,thus attenuating the transmissi
on
intensity at the exit plane and limiting the exposure distance to the scale of a few tens of nanometers from the mask.In recent years,the use of surface-plasm
on
polarit
on
s(SPPs) instead of phot
on
s as an exposure source was rapidly developed to fabricate nanoscale structures.SPPs are characterized by its near field enhancement so that SPP-
based
lithography can greatly extend exposure depth and improve pattern c
on
trast.Grating-assisted SPP interference,such as SPP res
on
ant interference nanolithography[8] and SPP-assisted interference nanolithography[9],achieved a sub-100nm interference pattern.The techniques,however,are necessary to fabricate a metal grating with a very fine period and
on
ly suitable for small-area interference.To avoid the fabricati
on
of the metal grating,a prism-
based
SPP maskless interference lithography was proposed in 2006,which promises good lithography performance.The approach offers potential to achieve sub-65nm and even sub-32nm feature sizes.However,the structure parameters are always not ideal in a real system.
on
e wants to know how much influence the parameter variati
on
s have
on
the pattern resoluti
on
and what variati
on
s of the parameters are allowed to obtain an effective interference.Thus,it is necessary to explore the parameter spaces.1 SPP maskless interference lithography systemThe SPP maskless interference lithography system is shown in Fig.1.A p-polarized laser is divided into two beams by a grating splitter,and then goes into the prism-
based
multilayer system.Under a given c
on
diti
on
,the metal film can exhibit collective
electron
oscillati
on
s known as SPPs which are charge
density
waves that are characterized by intense electromagnetic fields c
on
fined to the metallic surface.If the metal layer Fig.1 Schematic for SPP maskless interference lithography systemis sufficiently thin,plasma waves at both metal interfaces are coupled,resulting in symmetric and antisymmetric SPPs.When the thickness h of metal film,dielectric c
on
stant ε1,ε2,ε3 of medium above,inside,below the metal film are specified,the coupling equati
on
is shown as followstanh(S2h)(ε1ε3S22+ε22S1S3)+(ε1ε2S2S3+ε2ε3S1S2)=0
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于SMD模型预测全/多氟烷基化合物的正辛醇-水分配系数
江波
陈景文
肖子君
苏利浩
《环境化学》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
2
一种基于LEO卫星信标的电离层层析成像新算法
欧明
甄卫民
刘裔文
邓忠新
熊雯
徐继生
《地球物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
董启明
郭小伟
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
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职称材料
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