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重离子导致的SOI SiGe HBT的SET效应数值模拟研究
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作者 李府唐 郭刚 +4 位作者 张峥 孙浩瀚 刘翠翠 史慧琳 欧阳晓平 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期714-722,共9页
锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转... 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转移(LET)值对SiGe HBT单粒子瞬态(SET)效应的影响。研究结果表明,集电极/衬底结及其附近是器件的SET效应敏感区域,绝缘体上硅(SOI)工艺的引入有助于提高SiGe HBT的抗SEE能力。此外,载流子迁移率与自由载流子浓度是影响器件SET温度依赖性的最主要因素,随着温度进一步降低至极端低温,杂质不完全电离的影响也愈发凸显。随着LET值升高,SOI SiGe HBT的SET效应显著增强。尤其在低温与高LET耦合作用下,器件的SET电流峰值和电荷收集量远超在其他辐照条件下的。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT) 绝缘体上硅(SOI)工艺 单粒子瞬态(set) 单粒子效应(SEE) 计算机辅助设计技术(TCAD)
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数字中国建设背景下档案信息化研究热点分析述评
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作者 常金玲 荆诤 李傲 《档案管理》 北大核心 2025年第1期12-16,共5页
数字中国建设对档案事业提出了新的工作要求,本文结合定性分析与定量分析,对我国档案学核心期刊2015年以来发表档案信息化论文进行文献计量分析,并结合相关政策文本进行分析,从而得出我国档案信息化研究热点问题,并对其进行阐释和说明,... 数字中国建设对档案事业提出了新的工作要求,本文结合定性分析与定量分析,对我国档案学核心期刊2015年以来发表档案信息化论文进行文献计量分析,并结合相关政策文本进行分析,从而得出我国档案信息化研究热点问题,并对其进行阐释和说明,包括电子文件归档与管理、数字档案馆(室)建设、档案信息资源共享研究、档案数据治理以及档案数字资源安全管理等,最后提出研究展望,以期推进档案信息化深入服务数字中国发展战略。 展开更多
关键词 档案信息化 数字中国 电子文件 数字档案馆 数据治理 单套制 资源共享 信息安全
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基于R-SET结构的逻辑门电路和触发器设计 被引量:3
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作者 章专 魏齐良 申屠粟民 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2013年第3期272-275,284,共5页
提出一种基于单电子晶体管的新型电路结构——R-SET结构,并从R-SET结构的反相器着手对该结构电路的工作原理和性能进行了分析.构造出基于R-SET结构的或非门、一位数值比较器、SR锁存器和D触发器.通过对各电路进行SPICE仿真,验证了各电... 提出一种基于单电子晶体管的新型电路结构——R-SET结构,并从R-SET结构的反相器着手对该结构电路的工作原理和性能进行了分析.构造出基于R-SET结构的或非门、一位数值比较器、SR锁存器和D触发器.通过对各电路进行SPICE仿真,验证了各电路的正确性.最后对R-SET和互补型SET 2种结构的D触发器进行性能比较,得出R-SET结构的D触发器具有结构简单,功耗低,延时小的特点. 展开更多
关键词 单电子晶体管 R-set 反相器 或非门 触发器
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基于互补型SET的通用阈值逻辑门设计 被引量:3
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作者 应时彦 孔伟名 +1 位作者 肖林荣 王伦耀 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期424-428,共5页
与MOS管相比,单电子晶体管(SET)具有超低功耗、超高集成度等优点,被认为是可能取代MOS管的新一代量子器件的主要竞争者.在简要介绍SET特性及通用阈值逻辑门(UTLG)的基础上,沿用CMOS逻辑电路的设计思想,提出了功能强大的基于互补型SET的... 与MOS管相比,单电子晶体管(SET)具有超低功耗、超高集成度等优点,被认为是可能取代MOS管的新一代量子器件的主要竞争者.在简要介绍SET特性及通用阈值逻辑门(UTLG)的基础上,沿用CMOS逻辑电路的设计思想,提出了功能强大的基于互补型SET的三变量UTLG实现方案.利用一个UTLG辅之少量门电路就可实现全部256个三变量逻辑函数.通过实例说明了利用查表设计进行UTLG综合的过程.对所设计的SET电路进行了Pspice仿真,结果表明,基于SET的UTLG以及用UTLG实现的全比较器均具有正确的逻辑功能. 展开更多
关键词 单电子晶体管 通用阈值逻辑门 set电路 电路设计
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基于传输电压开关理论的单栅极SET电路设计 被引量:3
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作者 章专 申屠粟民 魏齐良 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2012年第3期293-296,共4页
在分析了单电子晶体管(SET)的I-V特性后,通过对SET背景电荷的设置,使之具有类似PMOS或NMOS的电学特性;同时将传输电压开关理论引入到SET的电路设计中,并用单栅极SET实现了该理论的基本运算电路.随后以异或门和一位比较器为例,利用这些... 在分析了单电子晶体管(SET)的I-V特性后,通过对SET背景电荷的设置,使之具有类似PMOS或NMOS的电学特性;同时将传输电压开关理论引入到SET的电路设计中,并用单栅极SET实现了该理论的基本运算电路.随后以异或门和一位比较器为例,利用这些基本运算电路,进行了基于SET的开关级电路设计.最后,利用Pspice软件验证了所设计的电路逻辑功能正确,设计方法可行;电路的输入输出高低电平一致,具有良好的电压兼容性,易于级联.仿真结果表明,与基于互补结构设计的SET电路相比,基于开关级设计的SET电路具有结构简单、功耗低、延迟小的特点. 展开更多
关键词 单电子晶体管 传输电压开关理论 异或门 比较器
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基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器 被引量:1
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作者 魏榕山 陈寿昌 +1 位作者 陈锦锋 何明华 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期69-73,共5页
基于单电子晶体管(SET)和PMOS管串联产生的负微分电阻(NDR)特性,提出了一种新型的SET/CMOS反相器.该反相器利用NDR特性与NMOS负载管的电流-电压特性构成两个单稳态点,实现反相功能.应用HSPICE仿真器,采用精准的单电子晶体管的子电路模型... 基于单电子晶体管(SET)和PMOS管串联产生的负微分电阻(NDR)特性,提出了一种新型的SET/CMOS反相器.该反相器利用NDR特性与NMOS负载管的电流-电压特性构成两个单稳态点,实现反相功能.应用HSPICE仿真器,采用精准的单电子晶体管的子电路模型及22nm CMOS预测技术模型对该反相器进行仿真,结果表明:该反相器的功能正确,具有比传统CMOS反相器更低的功耗;与其它单电子反相器相比,该反相器可在室温下实现输出电压全摆幅,且具有较低的传输延迟. 展开更多
关键词 单电子晶体管 反相器 HSPICE仿真 负微分电阻
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基于SET的最佳通用逻辑门ULG.2电路优化设计 被引量:1
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作者 王芳 孔伟名 +1 位作者 应时彦 乔天泽 《浙江工业大学学报》 CAS 北大核心 2020年第5期570-573,共4页
单电子晶体管具有功耗超低、集成度超高以及与传统的CMOS电路相兼容等优点,是制造新一代集成电路最具竞争力的纳米器件之一。基于SET的最佳通用逻辑门ULG.2与传统的逻辑门相比,优势尤为明显。在介绍逻辑门ULG.2原理的基础上,提出了基于... 单电子晶体管具有功耗超低、集成度超高以及与传统的CMOS电路相兼容等优点,是制造新一代集成电路最具竞争力的纳米器件之一。基于SET的最佳通用逻辑门ULG.2与传统的逻辑门相比,优势尤为明显。在介绍逻辑门ULG.2原理的基础上,提出了基于SET的最佳通用逻辑门ULG.2的电路优化设计,利用ULG.2设计了全比较器和全加/减器,并对电路进行PSpice仿真。结果表明:基于SET的最佳通用逻辑门ULG.2及其应用电路结构简单,具有晶体管数少,电路功耗和延迟小的特征。 展开更多
关键词 单电子晶体管 通用逻辑门 全比较器 全加/减器
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SET-MOS混合结构的触发器设计及应用
8
作者 李芹 蔡理 李明 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第4期438-442,共5页
基于SET-MOS混合结构的或非门构建了基本RS触发器和主从式D触发器,对所设计的新型触发器电路进行了分析研究,并将其应用到寄存器和移位寄存器电路.利用SPICE对所设计的触发器电路进行仿真验证,仿真结果表明电路运行良好.该新型触发器电... 基于SET-MOS混合结构的或非门构建了基本RS触发器和主从式D触发器,对所设计的新型触发器电路进行了分析研究,并将其应用到寄存器和移位寄存器电路.利用SPICE对所设计的触发器电路进行仿真验证,仿真结果表明电路运行良好.该新型触发器电路与SET实现的电路相比,具有更高的驱动能力;与传统CMOS电路相比,电路的功耗仅为10-10W的数量级. 展开更多
关键词 单电子晶体管 或非门 触发器 移位寄存器
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基于SET/MOS混合结构的奇偶校验码产生电路的设计
9
作者 陈锦锋 魏榕山 +1 位作者 陈寿昌 何明华 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期867-871,共5页
基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应和多栅输入特性,利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)的互补特性,设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路。利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,结果表明,该电路能够实现产生奇... 基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应和多栅输入特性,利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)的互补特性,设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路。利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,结果表明,该电路能够实现产生奇偶校验码的功能。该SET/MOS混合电路的实现只需要1个PMOS管、1个NMOS和1个多栅输入SET。与传统CMOS电路相比,SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗显著降低。 展开更多
关键词 单电子晶体管 set/MOS混合电路 奇偶校验码产生电路 HSPICE仿真
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SETMOS器件在混沌保密通信中的应用研究
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作者 黄旭光 张南生 冯朝文 《现代电子技术》 2011年第10期85-87,共3页
采用拟合法对SETMOS器件的负微分电阻特性曲线进行研究,得到了它的简化模型,通过细胞神经网络(CNN)结构研究了由SETMOS实现变型蔡氏电路的途径,并分析了该电路的基本混沌动力学行为,如相图、分岔及功率谱等;进一步利用自适应反馈法实现... 采用拟合法对SETMOS器件的负微分电阻特性曲线进行研究,得到了它的简化模型,通过细胞神经网络(CNN)结构研究了由SETMOS实现变型蔡氏电路的途径,并分析了该电路的基本混沌动力学行为,如相图、分岔及功率谱等;进一步利用自适应反馈法实现了变型蔡氏电路的混沌同步设计,并将其应用到保密通信领域。理论分析和仿真结果验证了电路设计的正确性及有效性。研究结果表明,所设计的混沌同步电路结构简单,易于纳电子器件的大规模集成和应用。 展开更多
关键词 单电子晶体管 负微分电阻 自适应反馈 混沌同步 保密通信
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SET-LRP法与ATRP法合成聚丙烯酸甲酯
11
作者 陈艳杰 张建功 +1 位作者 刘凤岐 韩兆让 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期173-177,共5页
分别利用单电子转移活性自由基聚合(SET-LRP)法与原子转移自由基聚合(ATRP)法合成聚丙烯酸甲酯,并用核磁共振氢谱(1 H-NMR)、Fourier变换红外光谱(FT-IR)与乌氏黏度计检测产物的性质.结果表明:两种方法合成产物的分子结构基本相似,最终... 分别利用单电子转移活性自由基聚合(SET-LRP)法与原子转移自由基聚合(ATRP)法合成聚丙烯酸甲酯,并用核磁共振氢谱(1 H-NMR)、Fourier变换红外光谱(FT-IR)与乌氏黏度计检测产物的性质.结果表明:两种方法合成产物的分子结构基本相似,最终产物的增比黏度差别较小;当反应时间相同时,SET-LRP法比ATRP法的单体转化率高,SET-LRP反应过程符合一级反应动力学. 展开更多
关键词 单电子转移活性自由基聚合 原子转移自由基聚合 聚丙烯酸甲酯 动力学
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基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片 被引量:2
12
作者 徐伟 赵子润 +1 位作者 刘会东 李远鹏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期575-579,588,共6页
基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、... 基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、衰减和放大等电路拓扑结构,以获得良好的幅相特性;采用紧凑布局、双通道对称的版图设计,以实现小尺寸和高性能。测试结果表明,+5 V电压下,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩点输出功率大于8 dBm;发射通道增益大于1 dB,1 dB压缩点输出功率大于2 dBm;64态移相均方根误差小于2.5°,16态衰减均方根误差小于0.3 dB,芯片尺寸为3.90 mm×2.25 mm。该多功能芯片可实现对射频信号幅度和相位的高精度控制,可广泛应用于微波收发模块。 展开更多
关键词 双通道 多功能芯片 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT) 单刀双掷(SPDT)开关 数控移相器 数控衰减器
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美国联邦政府文件(档案)管理数字转型的发展及启示--基于备忘录及其执行情况的分析 被引量:2
13
作者 刘越男 何思源 张茜雅 《北京档案》 北大核心 2024年第1期54-61,共8页
文件(档案)管理数字转型是数字政府建设和数字经济发展的必然要求,是推动档案事业高质量发展的现实需要。美国联邦政府发布系列备忘录,强力推动文件管理数字转型。根据备忘录的出台时间和具体内容,可将其转型历程分为正式转型、全面转... 文件(档案)管理数字转型是数字政府建设和数字经济发展的必然要求,是推动档案事业高质量发展的现实需要。美国联邦政府发布系列备忘录,强力推动文件管理数字转型。根据备忘录的出台时间和具体内容,可将其转型历程分为正式转型、全面转型、深化转型三个阶段。转型过程呈现出范围拓宽、倒逼机制强化、管理要求细化、配套政策指南实操化等特点。我国可从协同推进、全面纳入、目标坚定、追求实效、夯实能力等方面汲取经验,推动电子文件单套制实践。 展开更多
关键词 档案管理 电子文件 档案信息化 数字转型 单套制
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电子档案单套制管理的现实困境与纾解路径——基于江西遂大高速公路试点项目的个案分析 被引量:3
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作者 黄喜荣 张正辉 +1 位作者 曾武 周林兴 《档案管理》 北大核心 2024年第4期85-88,共4页
数字转型时代,推进高速公路建设项目电子档案单套制管理是高速公路信息化、数字化的必然发展态势,有助于提升高速公路档案管理工作水平与能力。文章以江西省遂川至大余高速公路电子文件归档与电子档案管理试点项目为例,从制度、意识、... 数字转型时代,推进高速公路建设项目电子档案单套制管理是高速公路信息化、数字化的必然发展态势,有助于提升高速公路档案管理工作水平与能力。文章以江西省遂川至大余高速公路电子文件归档与电子档案管理试点项目为例,从制度、意识、技术、人才等维度剖析高速公路建设项目电子档案单套制管理的现存问题,在此基础上提出高速公路建设项目电子档案单套制管理的纾解路径,即筑牢电子档案单套制管理“生态圈”、凝聚电子档案单套制管理“引领力”、构筑电子档案单套制管理“元宇宙”、打造电子档案单套制管理“共同体”。 展开更多
关键词 高速公路 建设项目 电子档案 电子文件 单套制管理 元宇宙 共同体 生态圈
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“单套制”视阈下大型城建项目电子档案验收与管理工作思考 被引量:3
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作者 刘霞 周祺 张照余 《档案管理》 北大核心 2024年第1期96-98,共3页
文章首先解读在电子档案“单套制”管理方式下的大型城建项目电子档案的内容与特点,其次从大型城建项目单位与城建档案馆工作实况出发研究两方档案工作中的痛点与难点,最后尝试提出可能的对策:打造全周期线上电子档案管理与移交渠道、... 文章首先解读在电子档案“单套制”管理方式下的大型城建项目电子档案的内容与特点,其次从大型城建项目单位与城建档案馆工作实况出发研究两方档案工作中的痛点与难点,最后尝试提出可能的对策:打造全周期线上电子档案管理与移交渠道、落实管理责任主体与责任范围、细化电子档案归档节点、助力提升电子档案移交质量。 展开更多
关键词 城建档案 项目档案 电子档案 单套制 验收 主体责任 归档节点 标准化
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《电子档案单套管理一般要求》的主要内容述评及相关问题思考 被引量:3
16
作者 张家铭 《北京档案》 北大核心 2024年第5期32-37,共6页
《电子档案单套管理一般要求》是为满足我国电子政务和档案法规发展的需求而制定的。本文分析了该标准的制定背景、主要内容,并讨论了其主要特点、理论意义与实践价值,进一步提出了《电子档案单套管理一般要求》如何适应信息技术发展,... 《电子档案单套管理一般要求》是为满足我国电子政务和档案法规发展的需求而制定的。本文分析了该标准的制定背景、主要内容,并讨论了其主要特点、理论意义与实践价值,进一步提出了《电子档案单套管理一般要求》如何适应信息技术发展,以及在档案信息技术国产化方面进一步改进的建议。 展开更多
关键词 电子档案 单套管理 实践价值 技术规范 安全管理
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单电子晶体管I-V特性数值分析 被引量:11
17
作者 杜磊 庄奕琪 江文平 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期153-156,168,共5页
在单电子晶体管的正统理论的基础上 ,建立了平稳条件下I V特性的数值分析方法 .应用该方法计算和分析了温度和栅压对单电子晶体管I V 特性的影响 ,研究了隧道结电阻对于库仑台阶及电导振荡的影响 ,分析了单电子现象产生的条件 .
关键词 单电子晶体管 库仑阻塞 库仑台阶 I-V特性 数据分析
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一种单电子晶体管的Spice模型 被引量:10
18
作者 孙铁署 蔡理 陈学军 《空军工程大学学报(自然科学版)》 CSCD 2003年第6期65-67,共3页
基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉... 基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。 展开更多
关键词 单电子晶体管 SPICE模型 单电子反相器 二叉判别图
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一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路 被引量:3
19
作者 李芹 蔡理 +1 位作者 王森 吴刚 《空军工程大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2008年第1期78-81,共4页
基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管... 基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。 展开更多
关键词 单电子晶体管 MOS晶体管 反相器 半加器 SPICE
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纳米结构制备及硅单电子晶体管的研究 被引量:2
20
作者 卢刚 陈治明 +3 位作者 毛胜春 马剑平 王建农 葛惟昆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期70-73,共4页
介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶体管;在器件的电流电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电... 介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶体管;在器件的电流电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应以及在固定的Vds电压下,源漏电流(Ids)随柵极电压(Vgs)变化的一系列周期变化的电流振荡特性。 展开更多
关键词 纳米结构 单电子晶体管 库仑阻塞 单电子隧穿
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