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3.43 GHz SiGe BiCMOS功率放大器设计
被引量：
1
1
作者
周建冲
李智群
+1 位作者
范海娟
王志功
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第S2期16-19,共4页
采用AMS 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了用于卫星通信用的3.33-3.53 GHz功率放大器.该功率放大器采用单端结构,工作于A类.在3.3 V电源电压下,功率放大器的功率增益为22.3 dB,输出1 dB压缩点为31.9 dBm,相应的功率附加效率为25.2%.仿真...
采用AMS 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了用于卫星通信用的3.33-3.53 GHz功率放大器.该功率放大器采用单端结构,工作于A类.在3.3 V电源电压下,功率放大器的功率增益为22.3 dB,输出1 dB压缩点为31.9 dBm,相应的功率附加效率为25.2%.仿真结果表明,该功率放大器具有良好的输入、输出匹配,工作稳定.
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关键词
sige
bicmos
射频功率放大器
设计
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职称材料
题名
3.43 GHz SiGe BiCMOS功率放大器设计
被引量：
1
1
作者
周建冲
李智群
范海娟
王志功
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第S2期16-19,共4页
基金
东南大学射光所与雷克微波有限公司联合实验室资助项目
文摘
采用AMS 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了用于卫星通信用的3.33-3.53 GHz功率放大器.该功率放大器采用单端结构,工作于A类.在3.3 V电源电压下,功率放大器的功率增益为22.3 dB,输出1 dB压缩点为31.9 dBm,相应的功率附加效率为25.2%.仿真结果表明,该功率放大器具有良好的输入、输出匹配,工作稳定.
关键词
sige
bicmos
射频功率放大器
设计
Keywords
silicon-germanium
bipolar
complementary
mental
oxide
semiconductor
(
sige
bicmos
)
radio frequency power amplifier
design
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
3.43 GHz SiGe BiCMOS功率放大器设计
周建冲
李智群
范海娟
王志功
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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