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(100)与(111)晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术
1
作者
杜佳怡
聂君扬
+5 位作者
孙捷
林畅
吴大磊
杨天溪
黄忠航
严群
《光电子技术》
CAS
2023年第1期1-6,共6页
采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不...
采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不损伤硅基驱动芯片的前提下实现了选择性去除硅基氮化镓外延衬底,是一种材料混合集成的新技术,有望应用于自对准硅基Micro-LED微显示器件制程和光电子器件集成领域。
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关键词
硅基微米级发光二极管
巨量转移
硅基互补金属氧化物半导体
热压键合
选择性刻蚀
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职称材料
题名
(100)与(111)晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术
1
作者
杜佳怡
聂君扬
孙捷
林畅
吴大磊
杨天溪
黄忠航
严群
机构
福州大学
中国福建光电信息科学与技术创新实验室
瑞典查尔摩斯理工大学
西安交通大学
出处
《光电子技术》
CAS
2023年第1期1-6,共6页
基金
福建省科技厅项目(2021HZ0114,2021J01583,2021L3004)
中国福建光电信息科学与技术创新实验室项目(2021ZZ122)。
文摘
采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不损伤硅基驱动芯片的前提下实现了选择性去除硅基氮化镓外延衬底,是一种材料混合集成的新技术,有望应用于自对准硅基Micro-LED微显示器件制程和光电子器件集成领域。
关键词
硅基微米级发光二极管
巨量转移
硅基互补金属氧化物半导体
热压键合
选择性刻蚀
Keywords
silicon-based
micro-LED
mass transfer
silicon-based cmos hot press bonding
selective etching
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
O711 [理学—晶体学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
(100)与(111)晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术
杜佳怡
聂君扬
孙捷
林畅
吴大磊
杨天溪
黄忠航
严群
《光电子技术》
CAS
2023
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