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SOI全硅无引线MEMS高温压力传感器的设计 被引量：2
1
作者 吴思佳 陈士涛 +2 位作者 陈志亮 王鹏 王文婧 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第5期103-106,111,共5页
介绍了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的微机电系统(MEMS)压阻式高温压力传感器。传感器的压力敏感芯片采用E型膜结构,缓解灵敏度与线性度无法协调的矛盾;采用氧化的单晶硅(Si)而非硼硅(B-Si)玻璃与传感器芯片进行硅-硅(Si-Si)直接键合,... 介绍了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的微机电系统(MEMS)压阻式高温压力传感器。传感器的压力敏感芯片采用E型膜结构,缓解灵敏度与线性度无法协调的矛盾;采用氧化的单晶硅(Si)而非硼硅(B-Si)玻璃与传感器芯片进行硅-硅(Si-Si)直接键合,相同的热膨胀系数使得传感器工作时的热失配应力减小;采用无引线封装技术,与传统封装技术相比,其减小了器件尺寸。设计传感器的压力量程为0~35 kPa,且能够在-40~200℃的温度范围内正常工作,满量程输出高于90 mV。 展开更多
关键词 微机电系统 绝缘体上硅 全硅 无引线封装 高温压力传感器
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基于腔体SOI的CMUT工艺方法及性能研究
2
作者 曾祥铖 陈佳琪 +3 位作者 孙佳丽 王任鑫 贾利成 杨玉华 《压电与声光》 北大核心 2025年第2期343-351,共9页
针对目前水下超声检测对超声探头结构尺寸、灵敏度及可靠性等方面的更高要求,提出了一种基于腔体绝缘体上硅工艺设计并制备微小电容式微机械超声换能器(CMUT)的方法,并通过封装完成了CMUT电学性能测试以及水下性能表征。测试结果表明,... 针对目前水下超声检测对超声探头结构尺寸、灵敏度及可靠性等方面的更高要求,提出了一种基于腔体绝缘体上硅工艺设计并制备微小电容式微机械超声换能器(CMUT)的方法,并通过封装完成了CMUT电学性能测试以及水下性能表征。测试结果表明,此方法制备的CMUT具有更高的良品率与一致性,且其发送电压响应级为169.03 dB、接收灵敏度为−211.31 dB、相对带宽为121%,表现出优异的灵敏度特性与指向性(−6 dB波束宽度为8°)。这种新型的CMUT制备方法为未来CMUT高密度集成及水下超声检测提供了理论支持与依据。 展开更多
关键词 电容式微机械超声换能器 晶圆键合工艺 腔体绝缘体上硅 灵敏度 带宽 指向性
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重离子导致的SOI SiGe HBT的SET效应数值模拟研究
3
作者 李府唐 郭刚 +4 位作者 张峥 孙浩瀚 刘翠翠 史慧琳 欧阳晓平 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期714-722,共9页
锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转... 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转移(LET)值对SiGe HBT单粒子瞬态(SET)效应的影响。研究结果表明,集电极/衬底结及其附近是器件的SET效应敏感区域,绝缘体上硅(SOI)工艺的引入有助于提高SiGe HBT的抗SEE能力。此外,载流子迁移率与自由载流子浓度是影响器件SET温度依赖性的最主要因素,随着温度进一步降低至极端低温,杂质不完全电离的影响也愈发凸显。随着LET值升高,SOI SiGe HBT的SET效应显著增强。尤其在低温与高LET耦合作用下,器件的SET电流峰值和电荷收集量远超在其他辐照条件下的。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT) 绝缘体上硅(soi)工艺 单粒子瞬态(SET) 单粒子效应(SEE) 计算机辅助设计技术(TCAD)
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补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件
4
作者 李旭泓 孙与飏 +1 位作者 刘腾 张加宏 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期995-1000,共6页
传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷... 传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷场调制机理,分析其对器件表面电场的调制作用。基于该机理,设计了一种补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件结构。通过在传统器件中引入双阱变掺杂技术,优化了器件表面电场,并显著扩展了SOA。进一步采用兼容工艺制备了高压CMOS器件。实验结果显示,n型LDMOS器件关态击穿电压(V_(B))>300 V,栅压15 V下的开态V_(B)>200 V;p型LDMOS器件关态V_(B)>200 V,栅压-15 V下的开态V_(B)>300 V。该器件在关态和开态下的V_(B)均可满足200 V应用需求,适用于宽SOA。 展开更多
关键词 绝缘体上硅(soi) 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 电荷场调制 宽安全工作区(SOA) 载流子电荷
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基于SOIBCD工艺的高灵敏度纵向集成型霍尔器件研究
5
作者 孙与飏 李沂宸 +1 位作者 郑贵强 张加宏 《传感技术学报》 北大核心 2025年第10期1727-1733,共7页
基于三维仿真,提出了一种基于SOIBCD工艺的高灵敏度纵向集成型霍尔器件,通过增加浅P阱隔离结构和深槽插指结构(DTFs)优化电流路径分布,抑制短路效应并提高纵向电流比例,从而提高器件的灵敏度。测试结果表明:新结构的灵敏度为464V/AT,相... 基于三维仿真,提出了一种基于SOIBCD工艺的高灵敏度纵向集成型霍尔器件,通过增加浅P阱隔离结构和深槽插指结构(DTFs)优化电流路径分布,抑制短路效应并提高纵向电流比例,从而提高器件的灵敏度。测试结果表明:新结构的灵敏度为464V/AT,相比传统结构提升了102%,器件初始失调电压为0.64mV,输入电阻为14kΩ,在298K~398K温度范围内,电阻的一阶温漂为8500×10^(-6)/K,表现出良好的稳定性。该器件的制备工艺与现有SOIBCD工艺兼容,可以实现全集成、高精度磁场检测芯片的制备。 展开更多
关键词 纵向霍尔器件 全集成 深槽插指 绝缘体上硅 BCD
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SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究 被引量：2
6
作者 王永维 黄柯月 +4 位作者 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。 展开更多
关键词 辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(soi) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流
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基于45 nm CMOS SOI工艺的毫米波双频段低相噪压控振荡器设计
7
作者 陈喆 王品清 +2 位作者 周培根 陈继新 洪伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2161-2169,共9页
本文基于45 nm互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor Silicon On Insulator,CMOS SOI)设计了一款支持5G毫米波24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz双频段的低相位噪声压控振荡器(Voltage Controlled Os... 本文基于45 nm互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor Silicon On Insulator,CMOS SOI)设计了一款支持5G毫米波24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz双频段的低相位噪声压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO).基于CMOS SOI工艺良好的晶体管开关特性,结合开关电容阵列及开关电感方案,提高宽带调谐电容、电感Q值,扩展VCO工作频段,降低相位噪声.同时,输出匹配网络也采用开关电容切换方式,实现了5G毫米波双频段良好阻抗匹配及稳定功率输出.流片测试结果表明该VCO可以完整覆盖5G毫米波双频段24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz,低频段输出功率-4.8~0 dBm,高频段输出功率-6.4~-2.3 dBm.在24.482 GHz载频,1 MHz频偏处的相位噪声为-105.1 dBc/Hz;在43.308 GHz载频,1 MHz频偏处的相位噪声为-95.3 dBc/Hz.VCO核心直流功耗15.3~18.5 mW,电路核心面积为0.198 mm^(2).低频段(高频段)的FoM(Figure of Merit)及FoMT优值分别达到-181.3 dBc/Hz(-175.4 dBc/Hz)、-194.3 dBc/Hz(-188.3 dBc/Hz). 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺 压控振荡器 5G毫米波 双频段
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绝缘硅脂对硅橡胶的溶胀及其性能影响 被引量：1
8
作者 王仲 汤沐寰 +3 位作者 贾利川 赵莉华 贾申利 任俊文 《高电压技术》 北大核心 2025年第3期1351-1360,共10页
现场发现电缆附件交联聚乙烯-硅橡胶界面的涂敷硅脂会干化,最终引起附件故障。干化的关键原因在于硅橡胶吸收硅脂,为了阐清电缆附件硅橡胶和硅脂的相容性以及溶胀对硅橡胶性能的影响,首先从硅脂结构性能、温度、直流电场和硅橡胶扩张应... 现场发现电缆附件交联聚乙烯-硅橡胶界面的涂敷硅脂会干化,最终引起附件故障。干化的关键原因在于硅橡胶吸收硅脂,为了阐清电缆附件硅橡胶和硅脂的相容性以及溶胀对硅橡胶性能的影响,首先从硅脂结构性能、温度、直流电场和硅橡胶扩张应变多方面分析硅橡胶对硅脂的吸收特性,然后利用现代材料分析方法研究吸收硅脂进程对硅橡胶性能的影响规律。文中定义系数P表示硅脂综合性质的特征参数,该系数由硅油分子量、极性大小和硅脂含油率共同决定,结果表明选择系数P较小的绝缘硅脂可减缓硅橡胶溶胀程度,而高温、正直流电场以及硅橡胶高扩张应变均会加剧溶胀现象,最终使得硅橡胶交联密度、活化能以及体积电阻率、介电性能、击穿强度均有一定下降,材料的表面电位和陷阱特性也受到影响。 展开更多
关键词 电缆附件 绝缘硅脂 硅橡胶 溶胀效应 陷阱特性
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电连接器用G100硅橡胶绝缘件贮存可靠性建模与验证
9
作者 钱萍 施佳煜 +2 位作者 陈文华 杨帆 王友维 《工程设计学报》 北大核心 2025年第4期514-522,共9页
针对电连接器用G100硅橡胶绝缘件在长期贮存条件下的可靠性建模问题,从微观层面分析并揭示了其绝缘电阻下降的主要原因是环境温度和湿度引起了材料基体大分子基团发生氧化和水解反应;基于分子动力学和质量作用定律,分析了在温度和湿度... 针对电连接器用G100硅橡胶绝缘件在长期贮存条件下的可靠性建模问题,从微观层面分析并揭示了其绝缘电阻下降的主要原因是环境温度和湿度引起了材料基体大分子基团发生氧化和水解反应;基于分子动力学和质量作用定律,分析了在温度和湿度影响下G100硅橡胶载流子浓度的变化,建立了G100硅橡胶失效物理模型;结合中心极限定理,构建了G100硅橡胶绝缘件贮存可靠性模型;利用A-D(Anderson-Darling)检验法和拟合优度检验法,结合扫描电镜和傅里叶变换红外光谱仪,验证了所构建模型的正确性和合理性。研究结果为电连接器用G100硅橡胶在长贮条件下的绝缘可靠性评估提供了理论基础。 展开更多
关键词 电连接器绝缘件 G100硅橡胶 失效物理模型 可靠性评估
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盘形悬式混合瓷绝缘子关键技术研究与应用前景
10
作者 王羽 黄星宇 +6 位作者 陈碧芳 王学宗 张虎 邓冶强 刘辉 梁进祥 武文华 《绝缘材料》 北大核心 2025年第9期1-8,共8页
针对早期硅橡胶结合类盘形悬式绝缘子面临的室温硫化硅橡胶性能不足、小芯体质量管控不全、界面密封性能不足、缺乏规范设计等问题,本文通过研究专用的高温固态混炼硅橡胶、设计并制造特种模具、开发绝缘件表面硅橡胶注射硫化成型工艺技... 针对早期硅橡胶结合类盘形悬式绝缘子面临的室温硫化硅橡胶性能不足、小芯体质量管控不全、界面密封性能不足、缺乏规范设计等问题,本文通过研究专用的高温固态混炼硅橡胶、设计并制造特种模具、开发绝缘件表面硅橡胶注射硫化成型工艺技术,研制了新型盘形悬式混合瓷绝缘子,并对绝缘子的机械、电气和界面特性开展型式试验。结果表明:混合瓷绝缘子既具有瓷、玻璃绝缘子的高机械强度,又具有复合绝缘子优异的防污闪性能,且空气冲击耐受电压符合标准要求。 展开更多
关键词 混合瓷绝缘子 高温硫化硅橡胶 一次注射成型技术 型式试验 极端环境
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电缆附件用加成型液体硅橡胶绝缘材料与半导电材料研究进展
11
作者 郝艳捧 叶泳钦 +3 位作者 严邦闻 申子魁 朱闻博 惠宝军 《高电压技术》 北大核心 2025年第8期4223-4234,共12页
加成型液体硅橡胶(addition-cure liquid silicone rubber,ALSR)凭借优异的力学和电学性能,广泛用于电缆附件绝缘材料与半导电材料。受原料纯度、交联网络及填充水平影响,中国ALSR在关键性能上与国际先进水平存在一定差距。该文综述了... 加成型液体硅橡胶(addition-cure liquid silicone rubber,ALSR)凭借优异的力学和电学性能,广泛用于电缆附件绝缘材料与半导电材料。受原料纯度、交联网络及填充水平影响,中国ALSR在关键性能上与国际先进水平存在一定差距。该文综述了电缆附件用ALSR绝缘材料和半导电材料的性能要求、研究进展,重点关注了填料对ALSR力学和电学性能的影响,总结了填料填充量、形貌和分散性对ALSR宏观性能的影响机制。最后,展望了电缆附件用ALSR绝缘材料与半导电材料研究趋势,包括聚合物链结构和交联网络设计,开发新型功能填料,提升原料纯度与批次稳定性,开发低成本原料合成与纯化技术。该研究可为电缆附件用高性能硅橡胶材料研发提供思路。 展开更多
关键词 电缆附件 加成型液体硅橡胶 绝缘材料 半导电材料 电学性能 力学性能
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SOI微型电场传感器的设计与测试 被引量：21
12
作者 杨鹏飞 彭春荣 +2 位作者 张海岩 刘世国 夏善红 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第11期2771-2774,共4页
该文研制了一种新型的基于SOI(Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构。为提高传感器的灵敏度和信噪比,该器件采用侧面屏蔽感应电极的独特设计方案,降低了传感器屏蔽电极的边缘效应;并基于有限元仿真,进一步... 该文研制了一种新型的基于SOI(Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构。为提高传感器的灵敏度和信噪比,该器件采用侧面屏蔽感应电极的独特设计方案,降低了传感器屏蔽电极的边缘效应;并基于有限元仿真,进一步优化了传感器敏感结构参数。在室温和室内大气压条件下,测试表明,测试量程0～50kV/m,传感器总不确定度优于2%,分辨率为50 V/m。 展开更多
关键词 电场微传感器 微机电系统(MEMS) 绝缘体上硅(soi) 分辨率
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基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计 被引量：21
13
作者 李丹丹 梁庭 +2 位作者 李赛男 姚宗 熊继军 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1315-1320,共6页
利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散,刻蚀,氧化,金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔,最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接。对封装的敏感芯片进行高温... 利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散,刻蚀,氧化,金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔,最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接。对封装的敏感芯片进行高温下的加压测试,高温压力测试结果表明,在21℃(常温)至300℃的温度范围内,传感器敏感芯片可在压力量程内正常工作,传感器敏感芯片的线性度从0.9 985下降为0.9 865,控制在较小的范围内。高温压力下的性能测试结果表明,该压力传感器可用于300℃恶劣环境下的压力测量,其高温下的稳定性能为压阻式高温压力芯片的研制提供了参考。 展开更多
关键词 高温压力传感器 压阻 敏感薄膜 soi(绝缘体上硅) MEMS(微机电系统)
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基于SOI技术高温压力传感器的研制 被引量：11
14
作者 陈勇 郭方方 +3 位作者 白晓弘 卫亚明 程小莉 赵玉龙 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2014年第6期4-6,共3页
针对油气田等领域高温高压环境要求,介绍了一种高温压力传感器芯片的设计及研制,设计的高温压力传感器芯片解决了传统压阻式传感器在高温高压环境下的热稳定性问题。通过静电键合封装技术将耐高温SOI压阻芯片与玻璃片在真空环境下封装... 针对油气田等领域高温高压环境要求,介绍了一种高温压力传感器芯片的设计及研制,设计的高温压力传感器芯片解决了传统压阻式传感器在高温高压环境下的热稳定性问题。通过静电键合封装技术将耐高温SOI压阻芯片与玻璃片在真空环境下封装结合为一体,作为全硅结构的压力传感器的弹性敏感单元,解决高温环境下测量大量程压力的难题。同时,采用高温充硅油技术,用波纹片和高温硅油将被测量介质隔离开来,提高了传感器的适应能力。 展开更多
关键词 高温压力传感器 硅隔离 静电键合 波纹膜片 封装
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SOI波导弯曲损耗改善方法的研究 被引量：4
15
作者 陈媛媛 余金中 +1 位作者 陈少武 樊中朝 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期53-55,共3页
采用有效折射率方法EIM (EffectiveIndexMethod)和二维束传播算法 (2D BPM)对SOI(Silicon on insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发现,在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗,... 采用有效折射率方法EIM (EffectiveIndexMethod)和二维束传播算法 (2D BPM)对SOI(Silicon on insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发现,在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗,并且后者的效果更明显.同时通过实验获得了验证.对R=16mm、横向位移为 70μm的弯曲波导,通过刻槽方法将插入损耗降低了 5dB,基本消除了弯曲所带来的附加损耗. 展开更多
关键词 弯曲损耗 弯曲波导 soi 有效折射率 束传播算法 插入损耗 附加损耗 效果 实验 方法
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估算SOI单模脊形弯曲波导最小弯曲半径的简单方法 被引量：4
16
作者 魏红振 余金中 +4 位作者 张小峰 刘忠立 王启明 史伟 房昌水 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期398-400,共3页
采用有效折射率方法计算了 SOI弯曲波导由于辐射损耗引起模式截止的最小弯曲半径 。
关键词 集成光学 光波导 soi 最小弯曲半径 辐射损耗 弯曲波导
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基于SOI晶圆材料的硅微压传感器 被引量：4
17
作者 李新 刘野 +1 位作者 刘沁 孙承松 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2012年第5期15-16,共2页
为解决硅微压传感器制作过程中存在的问题,以SOI晶圆材料为基础,使用有限元方法优化设计岛-膜型1kPa压力敏感结构,采用MEMS工艺完成传感器芯片制作,并对封装后的传感器进行了测试。测试结果表明,传感器输出灵敏度大于60 mV/kPa,非线性小... 为解决硅微压传感器制作过程中存在的问题,以SOI晶圆材料为基础,使用有限元方法优化设计岛-膜型1kPa压力敏感结构,采用MEMS工艺完成传感器芯片制作,并对封装后的传感器进行了测试。测试结果表明,传感器输出灵敏度大于60 mV/kPa,非线性小于0.1%FS,精度小于0.5%FS,器件具有较好的性能指标。 展开更多
关键词 硅微压传感器 岛-膜结构 soi晶圆
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SOI基可调谐微环光滤波器设计与性能测试 被引量：4
18
作者 袁玉霞 杨瑞 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第12期63-66,共4页
基于绝缘体上硅(SOI)制作了单环与双环滤波器,并且对其滤波特性进行研究,同时分析了光耦合系数对滤波器输出特性的影响。针对倏逝波耦合结构较弱的调谐能力,提出了马赫—曾德尔干涉仪(MZI)耦合器的改进结构,微环腔长均为1 314μm的单环... 基于绝缘体上硅(SOI)制作了单环与双环滤波器,并且对其滤波特性进行研究,同时分析了光耦合系数对滤波器输出特性的影响。针对倏逝波耦合结构较弱的调谐能力,提出了马赫—曾德尔干涉仪(MZI)耦合器的改进结构,微环腔长均为1 314μm的单环和双环滤波器,对于单双环,当电极功率分别为18~40 mW和21~33 mW时,可实现滤波器从欠耦合到临界耦合的调谐,且双环滤波器的中心波长在直通端电极功率0~21 mW范围移动了1 nm,相当于一个自由频谱宽度。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 微环谐振器 马赫—曾德尔干涉仪 可调谐性
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SOI基纳米硅薄膜超微压压力传感器研究 被引量：6
19
作者 许高斌 李凌宇 +1 位作者 陈兴 马渊明 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2013年第12期1107-1113,共7页
设计分析了一种SOI基纳米硅薄膜的压阻式压力传感器，构建SOI埋层氧化层、SOI上层硅和A1N绝缘层多层压力敏感薄膜结构。利用纳米硅薄膜作为压敏电阻，AIN薄膜作为绝缘层，埋层氧化层自停止腐蚀制作压力空腔。该传感器的制备工艺简单，... 设计分析了一种SOI基纳米硅薄膜的压阻式压力传感器，构建SOI埋层氧化层、SOI上层硅和A1N绝缘层多层压力敏感薄膜结构。利用纳米硅薄膜作为压敏电阻，AIN薄膜作为绝缘层，埋层氧化层自停止腐蚀制作压力空腔。该传感器的制备工艺简单，一致性、重复性好。通过ANSYS模拟分析了压力敏感层结构参数对传感器灵敏度的影响以及传热特性，验证了结构设计和理论模型的正确性和合理性。研究表明，该传感器灵敏度可达到1．3mV／（kPa·V），输出电压可达到0．65mV，且具有较好的线性度和高温性能，可实现对0—100Pa超微压的测量。 展开更多
关键词 soi 纳米硅薄膜 超微压 压力传感器
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一种改进的2×2 SOI Mach-Zehnder热光开关(英文) 被引量：6
20
作者 杨笛 余金中 陈少武 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期931-934,共4页
本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其... 本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其单模调制状态.深刻蚀多模干涉耦合器具有优越的特性,在实验中测得不均衡度只有0.03dB,插入损耗-0.6dB.基于这种耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-6.8dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3dB,开关时间为6.8μs. 展开更多
关键词 热光开关 多模干涉耦合器 soi
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