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Application of Reaction-Bonded Silicon Carbide in Manufacturing of Spacecraft Combustion Chamber
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作者 CHEN Ming-he, GAO Lin, ZHOU Jian-hua, WANG Min (College of Mechanical and Electrical Engineering, Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, Nanjing 210016, China) 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第S1期2-,共1页
Silicon carbide (SiC) ceramics is a good structural ceramics material, which have a lot of excellent properties such as superior high-temperature strength up to a temperature of 1 350 ℃, chemical stability, good resi... Silicon carbide (SiC) ceramics is a good structural ceramics material, which have a lot of excellent properties such as superior high-temperature strength up to a temperature of 1 350 ℃, chemical stability, good resistance to thermal shock and high abrasion resistance. The silicon carbide ceramics material has so far been used widely for manufacturing various components such as heat exchangers, rolls, rockets combustion chamber. Sintering of ceramics structural parts have many technological method, the reaction-bonded is one of important sintering technology of ceramics structural parts. The preparation of reaction-bonded silicon carbide (RBSC) is based on a reaction sintering process, whereby a compacted body of α-SiC and carbon (graphite) powders is heated in contact with liquid silicon or gas silicon, which impregnates the body, converting the carbon (graphite) to β-SiC which bonds the original alpha grain. This process is characterized by low temperature and a short time sintering, and being appropriate to the preparation of large size and complex-shaped components, and so on. Besides, during compacting process of reaction sintering, it can maintain a stable dimension of ceramics parts. Therefore, the method of reaction-bonded silicon carbide ceramics has been identified as a technology suitable for producing complicated and highly exact dimensions’ ceramics parts. In this paper, the method of reaction-bonded silicon carbide was applied to the manufacturing of a complex-shaped spacecraft combustion chamber of SiC ceramics. SiC and carbon powder of 4~30 μm were chosen as the raw materials, green compacts containing appropriate wt.% carbon were formed using the mold press method, sintering was performed in a graphite electric furnace under an argon atmosphere. It was introduced in detail that the technological parameters and technological flow of reaction sintering silicon carbide ceramics. At the same time, physical and mechanical experiments such as bending strength, coefficient of thermal expansion, coefficient of thermal conductivity, gastight property, heat resisting property etc. have been carried out. The results demonstrated that spacecraft combustion chamber made from reaction sintering of silicon carbide ceramics is feasible and the results of experiment is satisfactory. The strength of high-temperature structural parts made by reaction sintered SiC varied with silicon content; Under the this article testing condition, the optimum silicon content is 10.5% for the part investigated. The method of reaction sintered SiC ceramics is suitable for manufacturing of complicated spacecraft parts with a working temperature of 1 500 ℃. 展开更多
关键词 silicon carbide ceramics SPACECRAFT combustion chamber reaction bonded
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Research Progress on Corrosion-Resistant Coatings of Carbon-Based Materials for the Semiconductor Field
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作者 Jianxin TU Kui HAO +5 位作者 Caixia HUO Ziyuan GUO Jianhao WANG Aijun LI Ruicheng BAI Zhihao JI 《中国材料进展》 北大核心 2025年第7期636-647,共12页
Semiconductors and related fields today hold vast application prospects.The semiconductor wafer fabrication process involves steps such as substrate preparation and epitaxy,which occur in high-temperature corrosive en... Semiconductors and related fields today hold vast application prospects.The semiconductor wafer fabrication process involves steps such as substrate preparation and epitaxy,which occur in high-temperature corrosive environments.Consequently,components like crucibles,susceptors and wafer carriers require carbon-based materials such as graphite and carbon-carbon composites.However,traditional carbon materials underperform in these extreme conditions,failing to effectively address the challenges.This leads to issues including product contamination and shortened equipment lifespan.Therefore,effective protection of carbon materials is crucial.This paper reviews current research status on the preparation methods and properties of corrosion-resistant coatings within relevant domestic and international fields.Preparation methods include various techniques such as physical vapor deposition(PVD),chemical vapor deposition(CVD)and the sol-gel method.Furthermore,it offers perspectives on future research directions for corrosion-resistant coated components in semiconductor equipment.These include exploring novel coating materials,improving coating preparation processes,enhancing coating corrosion resistance,as well as further investigating the interfacial interactions between coatings and carbon substrates to achieve better adhesion and compatibility. 展开更多
关键词 SEMICONDUCTOR high-temperature corrosion corrosive atmosphere carbon materials corrosion-resistant coatings silicon carbide tantalum carbide
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硅及硅钼合金常压反应烧结碳化硅基础研究
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作者 曹祥薇 李世建 +6 位作者 赵小康 杨光远 熊枫 杨怡婷 芮茂强 叶菁 邓腾飞 《陶瓷学报》 北大核心 2025年第1期159-166,共8页
对氩气气氛下不同熔体参与反应烧结碳化硅陶瓷进行了系统研究。结果表明:硅熔体对烧结样品的浸润作用及其所导致的物理性能变化对实验温度具有高度敏感性,其中在1530℃时抗折强度为58.6 MPa,而在1570℃时则大幅提升至317.0 MPa。硅与炭... 对氩气气氛下不同熔体参与反应烧结碳化硅陶瓷进行了系统研究。结果表明:硅熔体对烧结样品的浸润作用及其所导致的物理性能变化对实验温度具有高度敏感性,其中在1530℃时抗折强度为58.6 MPa,而在1570℃时则大幅提升至317.0 MPa。硅与炭黑之间的接触角是影响浸润深度的关键因素,而浸润深度与浸润温度呈正相关。硅钼合金浸润烧结样品在1530℃成功烧结,相对密度达到94%以上,这主要归因于钼硅合金较高的极化率,该特性有效降低了接触角。不同样品的物理性能随温度的变化改变不大,相对密度随温度升高最大增幅不超过2%,样品力学性能变化趋势相似。由于MoSi_(2)的偏析以及MoSi_(2)和SiC并不相容,样品的抗折强度和硬度低于在1570℃温度下被Si熔体反应烧结后样品。 展开更多
关键词 反应烧结 碳化硅 保护气氛 浸润 MoSi2合金
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宽禁带半导体X射线探测器研究进展
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作者 吴璇 高润龙 +3 位作者 刘志宇 钟向丽 刘林月 欧阳晓平 《发光学报》 北大核心 2025年第5期794-812,共19页
高性能半导体X射线探测器应具备低检测限、低暗电流、高灵敏度、快速响应、强抗辐照性能等特点。碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化镓和氧化锌等宽禁带半导体因具有宽禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强、高饱和载流子漂移速度、大离位能... 高性能半导体X射线探测器应具备低检测限、低暗电流、高灵敏度、快速响应、强抗辐照性能等特点。碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化镓和氧化锌等宽禁带半导体因具有宽禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强、高饱和载流子漂移速度、大离位能等特性,在X射线探测中展现出优异性能,符合高性能半导体X射线探测器的特点要求,成为极具前景的X射线探测器。本文介绍了碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化镓和氧化锌等宽禁带半导体材料特性、制备技术和X射线探测器研究的最新进展,为医学成像、工业检测和太空探索等未来研究方向和潜在应用提供了参考。 展开更多
关键词 宽禁带 半导体 X射线探测器 碳化硅 氮化镓 金刚石
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碳化硅辅助增效化学机械抛光材料去除机理研究进展
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作者 徐腾飞 刘伟 +2 位作者 邓朝晖 陈根 朱德财 《表面技术》 北大核心 2025年第16期1-17,共17页
碳化硅具有优异的物理和化学特性,是典型的第三代半导体材料。但碳化硅具有高硬度和化学惰性,导致其精密抛光加工面临材料难去除、表面易损伤和加工成本高等问题,无法满足高效低损伤平坦化加工的迫切需求。目前,化学机械抛光是实现碳化... 碳化硅具有优异的物理和化学特性,是典型的第三代半导体材料。但碳化硅具有高硬度和化学惰性,导致其精密抛光加工面临材料难去除、表面易损伤和加工成本高等问题,无法满足高效低损伤平坦化加工的迫切需求。目前,化学机械抛光是实现碳化硅衬底全局平坦化的关键技术,但碳化硅化学机械抛光及其辅助增效的研究主要注重实验和技术方法开发,而在其化学反应和机械去除过程中材料去除机理的深层次研究方面存在一定的不足。针对碳化硅典型的晶型结构特点,简述了不同晶型结构的碳化硅材料性能差异,以及材料特性对抛光去除的影响;综述了碳化硅化学机械抛光的原理、材料去除机理及其微观去除机制;分析了几种较为典型的辅助增效化学机械抛光技术,揭示了碳化硅在多能量场耦合作用下的材料去除机理,以及多能量场的耦合效应对其抛光过程中机械作用和化学反应的促进作用。并展望了提高碳化硅抛光材料去除率和表面质量的未来发展方向,以期为碳化硅的高效高质量、低损伤、低成本加工提供新的研究方法和思路。 展开更多
关键词 碳化硅 化学机械抛光 晶型结构 辅助增效 材料去除机理
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Body armour-New materials, new systems 被引量:26
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作者 Ian G.Crouch 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第3期241-253,共13页
This is a very timely review of body armour materials and systems since new test standards are currently being written, or reviewed, and new, innovative products released. Of greatest importance, however, is the recen... This is a very timely review of body armour materials and systems since new test standards are currently being written, or reviewed, and new, innovative products released. Of greatest importance, however, is the recent evolution, and maturity, of the Ultra High Molecular Weight Polyethylene fibres enabling a completely new style of system to evolve e a stackable system of Hard Armour Plates. The science of body armour materials is quickly reviewed with emphasis upon current understanding of relevant energy-absorbing mechanisms in fibres, fabrics, polymeric laminates and ceramics. The trend in ongoing developments in ballistic fibres is then reviewed, analysed and future projections offered. Weaknesses in some of the ceramic grades are highlighted as is the value of using cladding materials to improve the robustness, and multi-strike performance, of Hard Armour Plates. Finally, with the drive for lighter, and therefore smaller, soft armour systems for military personnel the challenges for armour designers are reported, and the importance of the relative size of the Hard Armour Plate to the Soft Armour Insert is strongly emphasised. 展开更多
关键词 BODY armour BODY ARMOR Ceramic armour Reaction sintered silicon carbide UHMWPE Fibres Fabrics Strike-face materials Aramids Small-arms AMMUNITION
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Progress on Space Materials Science in China:Debris Shielding Fibrous Materials and High Specific Energy Lithium Sulfur Batteries 被引量:1
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作者 WU Nan LIU Shuangke +3 位作者 ZHANG Xiaoshan SUN Weiwei ZHENG Chunman WANG Yingde 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期803-811,共9页
The development of China’s space industry puts forward urgent requirements for high-performance debris shielding materials and high energy density rechargeable battery.In this review,the recent progress on debris shi... The development of China’s space industry puts forward urgent requirements for high-performance debris shielding materials and high energy density rechargeable battery.In this review,the recent progress on debris shielding fibrous materials and high energy density Li-S battery are particularly summarized.According to the experimental results,basalt fibers and silicon carbide fibers were chosen as the effective filling shielding materials.The geometric structure of fabrics was also investigated.For the novel shielding materials,high-strength and flexible silicon carbide micro-nano fibrous membranes were designed and fabricated.The obtained membranes with excellent mechanical properties portend the potential applications in debris protection structure.Furthermore,the high specific energy lithium sulfur batteries have made remarkable progress in fundamental research and application research in recent years.In order to solve the key problems of polysulfides shuttle and slow redox kinetics in lithium sulfur battery,a series of transition metal compound@hollow carbon-based material as sulfur host with dual functions of catalysis and adsorption towards polysulfides were designed and constructed.The obtained Li-S pouch cells with high areal sulfur loading of 6.9 mg·cm^(-2)yield exceptional high practical energy density of 382 W·h·kg^(-1)under lean electrolyte of 3.5μL·mg^(-1),demonstrating the great potential of realistic high-energy Li-S batteries. 展开更多
关键词 Space materials silicon carbide fibers Debris shielding Li-S battery
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氮化硅结合碳化硅匣钵在合成锂离子三元正极材料上的应用
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作者 王建波 郑翰 +1 位作者 相宇博 曹会彦 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期25-30,共6页
介绍了氮化硅结合碳化硅匣钵在合成高镍三元正极材料NCM811材料服役78次的使用效果、下线原因、理化指标变化、抗侵蚀情况。结果表明:(1)氮化硅结合碳化硅匣钵在NCM811辊道中循环服役78次后,因侧壁裂纹的产生及伸展导致其下线;(2)氮化... 介绍了氮化硅结合碳化硅匣钵在合成高镍三元正极材料NCM811材料服役78次的使用效果、下线原因、理化指标变化、抗侵蚀情况。结果表明:(1)氮化硅结合碳化硅匣钵在NCM811辊道中循环服役78次后,因侧壁裂纹的产生及伸展导致其下线;(2)氮化硅结合碳化硅匣钵在服役过程中展示出良好的抗侵蚀性,表面生成连续、稳定的反应层使得该材质匣钵不会出现掉皮、掉渣现象;(3)反应产物主要为Li4SiO4,反应层厚度为500~700μm,TOF-SIMS检测结果表明Li元素主要富集在距离表面200μm以内区域。 展开更多
关键词 氮化硅结合碳化硅 匣钵 三元正极材料 抗侵蚀性 TOF-SIMS
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高压作用下水泥基粉末材料的接触硬化研究综述
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作者 张超 张子龙 +4 位作者 黄伟 潘阿馨 赖志超 吴天赐 黄醒东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第16期117-125,共9页
在高压作用下,一些具有无定型相的水泥基粉末材料会发生接触硬化现象,粉末颗粒在压力作用下发生缩聚运动,并在粉末颗粒间形成结构键,进而快速形成具有一定强度及耐水性的人造石材。本文综述了压力作用下水泥基粉末材料接触硬化的成键机... 在高压作用下,一些具有无定型相的水泥基粉末材料会发生接触硬化现象,粉末颗粒在压力作用下发生缩聚运动,并在粉末颗粒间形成结构键,进而快速形成具有一定强度及耐水性的人造石材。本文综述了压力作用下水泥基粉末材料接触硬化的成键机理以及粉末水分含量、干燥条件、钙硅比、压制过程对其接触硬化性能影响的研究进展。相关研究结果表明,压力作用下粉末颗粒间会形成氢键、范德华力、固体桥键等结构键;粉末水分含量是影响接触硬化性能的重要因素,在压力作用下,水分可以改变粉末颗粒的表面性质并影响颗粒之间的结合,进而改变压制成品的力学性能;钙硅比对接触硬化性能的影响显著,不同粉末材料在压制时的最佳钙硅比亦是不同;摩擦力的存在降低了压制效率,造成压制成品密度、强度分布不均匀,润滑剂的加入可以有效降低摩擦力的影响;此外,降低压制模具高径比并使用双面压制可有效提升压制成品的质量。 展开更多
关键词 水泥基粉末材料 接触硬化 无定型相 结构键 水分含量 钙硅比 压制工艺
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硅灰制备硅/碳化硅纳米复合材料及其储锂性能研究 被引量:2
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作者 黄海铭 杜静 +2 位作者 谢捷洋 陈情泽 朱润良 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第8期3053-3062,共10页
硅负极的体积效应导致锂离子电池的循环寿命短且容量迅速衰减,如何提高硅负极材料的循环稳定性至关重要。采用了熔盐辅助镁热还原法,通过使用含有单质碳的工业固体废弃物硅灰,成功设计了一种碳化硅增强的硅纳米材料(SF-Si),所制备的SF-S... 硅负极的体积效应导致锂离子电池的循环寿命短且容量迅速衰减,如何提高硅负极材料的循环稳定性至关重要。采用了熔盐辅助镁热还原法,通过使用含有单质碳的工业固体废弃物硅灰,成功设计了一种碳化硅增强的硅纳米材料(SF-Si),所制备的SF-Si样品不仅保留了SF本身存在的SiC,还将单质碳转化为SiC,使样品中的SiC含量达到了16.4%(质量分数)。与经过热处理去除单质碳的硅灰制备的硅材料(H-SF-Si)相比,SF-Si负极材料表现出更好的循环性能和倍率性能,即第1圈2584.76 mAh·g^(-1)的高比容量和第100圈时具有83%的容量保持率,并且在高电流密度5 A·g^(-1)下的平均容量仍为877.28 mAh·g^(-1),这主要归因于更高的SiC含量。研究表明,硅灰在锂离子电池硅负极领域具有应用潜力,其碳元素在制备硅基纳米材料时发挥积极的作用。 展开更多
关键词 硅/碳化硅纳米复合材料 硅灰 镁热还原 锂离子电池 负极材料 工业固体废弃物
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SiC复合陶瓷增韧研究现状 被引量:2
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作者 王雯龙 陈刚 +1 位作者 王红杰 刘凯 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第1期87-92,共6页
SiC陶瓷具有优良的性能,被广泛应用于各领域,但因韧性不足而制约其作为结构材料的应用,故提升其韧性已成为研究热点和焦点。因此,综述了颗粒、晶须、纤维和低维纳米材料(碳纳米管和石墨烯)等不同增强相增韧SiC复合陶瓷的研究现状,期望... SiC陶瓷具有优良的性能,被广泛应用于各领域,但因韧性不足而制约其作为结构材料的应用,故提升其韧性已成为研究热点和焦点。因此,综述了颗粒、晶须、纤维和低维纳米材料(碳纳米管和石墨烯)等不同增强相增韧SiC复合陶瓷的研究现状,期望为今后SiC陶瓷的增韧研究提供参考。 展开更多
关键词 碳化硅 陶瓷基复合材料 颗粒 晶须 低维纳米材料
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碳化硅化学机械抛光中材料去除非均匀性研究进展 被引量:1
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作者 孙兴汉 李纪虎 +2 位作者 张伟 曾群锋 张俊锋 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期585-599,共15页
化学机械抛光已经成为半导体制造中关键的工艺步骤之一,该技术是目前实现碳化硅晶片超精密加工的一种常用且有效的方法,可用于加工晶片表面,以获得高材料去除率、高表面质量和高表面平整性的晶片。然而,在碳化硅晶片化学机械抛光中,晶... 化学机械抛光已经成为半导体制造中关键的工艺步骤之一,该技术是目前实现碳化硅晶片超精密加工的一种常用且有效的方法,可用于加工晶片表面,以获得高材料去除率、高表面质量和高表面平整性的晶片。然而,在碳化硅晶片化学机械抛光中,晶片表面材料去除非均匀性一直是一个具有挑战性的问题,减小晶片表面材料去除非均匀性对确保半导体器件的高性能和稳定性至关重要。本文介绍了碳化硅材料的性质及应用与化学机械抛光工艺,研究了不同碳化硅化学机械抛光技术的材料去除机理、不同化学机械抛光技术的发展状况和性能及优缺点,综述了碳化硅晶片化学机械抛光中材料去除非均匀性影响因素,如:抛光压力、抛光液(磨粒)和转速等因素,最后对未来碳化硅化学机械抛光中材料去除非均匀性研究做出了展望。 展开更多
关键词 碳化硅 化学机械抛光 材料去除 抛光压力 抛光液 抛光垫
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基于响应面法的地热钻采碳纳米管复合水泥基材料的研究 被引量:2
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作者 向杰 王胜 +1 位作者 李玉杰 王文杰 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第2期495-508,共14页
针对现有导热固井水泥存在的性能不足问题,本文研制了一种新型地热钻采碳纳米管复合水泥基材料(CNTs-CC)。首先,选用石墨、氮化硅作为主要导热填料,硅微粉作为热稳定材料,碳纳米管作为协同增强填料,初步研制出纳米复合水泥材料基础液;其... 针对现有导热固井水泥存在的性能不足问题,本文研制了一种新型地热钻采碳纳米管复合水泥基材料(CNTs-CC)。首先,选用石墨、氮化硅作为主要导热填料,硅微粉作为热稳定材料,碳纳米管作为协同增强填料,初步研制出纳米复合水泥材料基础液;其次,基于响应曲面法Box-Behnken试验设计,开展17组配比优化试验,构建了以2 d抗压强度和导热系数为响应指标的二次多项式预测模型,结合方差分析和响应曲面考察了各因素对响应指标的影响,并得到胶凝材料最优配比;最后,对复合水泥基材料的工程性能进行评估,并结合XRD与SEM研究了材料的水化机理。结果表明:复合水泥基材料的导热性能与抗压强度受多因素交互作用影响,其中早强剂与减水剂交互影响显著;CNTs-CC水泥石28 d抗压强度达8.15 MPa,导热系数为2.236 W/(m·K);导热填料不参与水化过程,碳纳米管粉可发挥“填充”及“桥连”效应,外加剂调控水化进程。 展开更多
关键词 地热钻采 水泥基材料 石墨 氮化硅 碳纳米管 响应曲面 水化
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酚醛/环氧树脂凝胶注模成型制备反应烧结碳化硅 被引量:1
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作者 凌厦厦 相宇博 +1 位作者 郑翰 吴吉光 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第4期329-333,共5页
为了探究一种低成本、环保的反应烧结碳化硅材料成型方法,以SiC细粉和微粉、酚醛树脂和环氧树脂为主要原料,四甲基氢氧化铵为分散剂,配制固相质量分数为55%,酚醛树脂质量分数分别为13.5%、18%、22.5%及27%的SiC陶瓷泥浆,采用凝胶注模成... 为了探究一种低成本、环保的反应烧结碳化硅材料成型方法,以SiC细粉和微粉、酚醛树脂和环氧树脂为主要原料,四甲基氢氧化铵为分散剂,配制固相质量分数为55%,酚醛树脂质量分数分别为13.5%、18%、22.5%及27%的SiC陶瓷泥浆,采用凝胶注模成型制成坯体,坯体经固化、800℃保温2 h热处理后,在真空条件下1760℃保温3 h制备反应烧结碳化硅材料。研究了坯体的固化机制及酚醛树脂加入量对试样显微结构、物相组成和物理性能的影响。结果表明:1)坯体固化机制为酚醛/环氧树脂中羟甲基与芳环的邻对位氢发生缩合反应交联,形成了较高强度的结合网络。2)随着酚醛树脂加入量的增加,树脂体系裂解残碳与熔融硅反应,烧后试样的常温抗折强度先增加然后降低。当酚醛树脂加入量为18%(w)时,烧后试样常温抗折强度最高,为79.9 MPa,此时试样的显气孔率和体积密度分别为1.1%、2.88 g·cm^(-3)。 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅 凝胶注模 酚醛树脂 环氧树脂
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高硅含量Si/SiC材料显微特征与力学性能研究
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作者 相宇博 郑翰 +4 位作者 马昭阳 马渭奎 张志华 曹会彦 吴吉光 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S01期115-118,共4页
以α-SiC粉、炭黑、鳞片石墨和酚醛树脂为主要原料,采用等静压成型方式结合反应烧结工艺制备得到高硅含量的Si/SiC材料。基于颗粒级配原料,研究了不同碳源引入方式对Si/SiC材料的物相组成、微观形貌、主要物理性能的影响规律及调控机制... 以α-SiC粉、炭黑、鳞片石墨和酚醛树脂为主要原料,采用等静压成型方式结合反应烧结工艺制备得到高硅含量的Si/SiC材料。基于颗粒级配原料,研究了不同碳源引入方式对Si/SiC材料的物相组成、微观形貌、主要物理性能的影响规律及调控机制。研究表明,经1700℃反应烧结后,高硅含量(不低于25%)的Si/SiC材料的物相主要为α-SiC、β-SiC和Si。在制备碳/碳化硅坯体时,石墨与酚醛树脂复合能使碳源更均匀地分散在坯体中,增加坯体的致密度;在反应烧结时,石墨和树脂残碳与硅反应产生的膨胀效应使多孔坯体孔径尺寸降低,优化游离Si的分布。含8%树脂和1%石墨的反应烧结得到的高硅含量Si/SiC材料的体积密度为2.97 g/cm^(3),常温摩擦系数为0.335,抗弯强度为206 MPa。 展开更多
关键词 硅/碳化硅材料 显微组织 耐磨性 抗弯强度
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4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响
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作者 张睿洁 郭亚楠 +4 位作者 吴涵 刘志彬 闫建昌 李晋闽 王军喜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期894-904,共11页
SiC衬底是制备高性能AlGaN基深紫外激光器的良好候选衬底。采用金属有机化学气相沉积方法在4H-SiC衬底上生长了深紫外AlGaN/AlN多量子阱结构(MQWs),系统研讨了MQWs生长参数对深紫外激光结构自发辐射和受激辐射特性的影响规律。综合分析M... SiC衬底是制备高性能AlGaN基深紫外激光器的良好候选衬底。采用金属有机化学气相沉积方法在4H-SiC衬底上生长了深紫外AlGaN/AlN多量子阱结构(MQWs),系统研讨了MQWs生长参数对深紫外激光结构自发辐射和受激辐射特性的影响规律。综合分析MQWs的表面形貌和发光性能后发现,随着NH_(3)流量增加和生长温度升高,MQWs表面粗糙度降低,内量子效率提升。经优化,MQWs的内量子效率达到74.1%,室温下的激射阈值光功率密度和线宽分别为1.03 MW/cm~2和1.82 nm,发光波长为248.8 nm。这主要归因于高的NH3流量和生长温度抑制了有源区中的碳杂质并入,载流子辐射复合效率和材料增益增加;同时生长速率降低,改善了MQWs结构的表面形貌,降低了界面散射损耗。采用干法刻蚀和湿法腐蚀的复合工艺制备了光滑陡直的谐振腔,激光器的腔面损耗降低,阈值光功率密度和线宽进一步降低至889 kW/cm~2和1.39 nm。 展开更多
关键词 ALGAN SIC 光泵浦激光器 Ⅴ/Ⅲ比 生长温度
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车用碳化硅功率模块的电热性能优化与评估 被引量:1
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作者 马荣耀 唐开锋 +3 位作者 潘效飞 邵志峰 孙鹏 曾正 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期78-86,共9页
由于在开关速度、温度特性和耐压能力等方面的优势,SiC(silicon carbide)功率模块开始逐步应用于电动汽车的电机控制器。电机控制器是电动汽车的核心部件,对功率模块的电热特性要求较高,因此对SiC封装提出了很大的挑战。以主流的HybridP... 由于在开关速度、温度特性和耐压能力等方面的优势,SiC(silicon carbide)功率模块开始逐步应用于电动汽车的电机控制器。电机控制器是电动汽车的核心部件,对功率模块的电热特性要求较高,因此对SiC封装提出了很大的挑战。以主流的HybridPACK Drive模块封装为例,优化设计了模块的驱动回路和DBC(direct bonded copper)布局,并引入了铜线键合技术,协同优化了模块的电热性能和可靠性。此外,采用响应面法优化了椭圆形Pin-Fin散热基板,提升了模块的散热性能。最后,分别制造了优化前、后的SiC功率模块样机作为对比,搭建了双脉冲和功率对拖实验平台,评估了2种方案的电热性能。实验结果显示,当芯片交错距离为芯片宽度的1/2时,所优化的功率模块可以在兼顾电性能的同时,实现更优异的热性能。 展开更多
关键词 SIC MOSFET 铜线互联 响应面法 DBC布局
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半导体碳化硅衬底的湿法氧化
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作者 鲁雪松 王万堂 +2 位作者 王蓉 杨德仁 皮孝东 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第2期181-193,共13页
半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛光工艺来加工4H-SiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶4H-SiC化学机械抛光的重要过程,直接影响着化学机械抛光的速率和表面质量。本文综述了... 半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛光工艺来加工4H-SiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶4H-SiC化学机械抛光的重要过程,直接影响着化学机械抛光的速率和表面质量。本文综述了目前单晶4H-SiC湿法氧化的研究现状,讨论了4H-SiC湿法氧化工艺所选用的氧化剂,如KMnO_(4)、H_(2)O_(2)、K_(2)S_(2)O_(8)等。在此基础上,进一步总结了常用的氧化增效方法,如光催化辅助氧化、电化学氧化、芬顿反应等,并从理论计算的角度分析了单晶4H-SiC湿法氧化的机理,最后展望了4H-SiC湿法氧化未来的研究方向。 展开更多
关键词 碳化硅 半导体 加工 湿法氧化 化学机械抛光 材料去除率
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碳化硅复合陶瓷密封材料的烧结性能、显微结构与力学性能
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作者 邹畅 欧阳鑫 +3 位作者 周渭良 李志强 郑浦 郭兴忠 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期8-14,共7页
以纳米TiN、SiC晶须为增强相,采用液相烧结法制备了碳化硅复合陶瓷密封材料,研究了不同烧结温度(1800,1850,1900,1950℃),不同增强相添加质量分数(0,2.5%,5.0%,10.0%,纳米TiN与SiC晶须质量比为1∶1)下复合陶瓷的烧结性能、显微组织和力... 以纳米TiN、SiC晶须为增强相,采用液相烧结法制备了碳化硅复合陶瓷密封材料,研究了不同烧结温度(1800,1850,1900,1950℃),不同增强相添加质量分数(0,2.5%,5.0%,10.0%,纳米TiN与SiC晶须质量比为1∶1)下复合陶瓷的烧结性能、显微组织和力学性能。结果表明:随烧结温度升高,陶瓷硬度和抗弯强度均先增大后减小,断裂韧度先减小后增大,当烧结温度为1900℃时,碳化硅复合陶瓷烧结完全,相对密度较高,晶粒平均尺寸较小;在1900℃下烧结,与未添加增强相相比,添加增强相碳化硅复合陶瓷的晶粒尺寸减小,晶粒结构排列紧密;随着增强相添加量增加,陶瓷硬度下降,抗弯强度先增大后减小,断裂韧度明显增大;当烧结温度为1900℃,增强相质量分数为5.0%时,碳化硅复合陶瓷具有最佳综合性能,相对密度为94.68%,抗弯强度为429.51 MPa,硬度为17.14 GPa,断裂韧度为4.32 MPa·m^(1/2)。 展开更多
关键词 碳化硅 复合陶瓷 密封材料 显微结构 力学性能
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预氧化对焦炉用氮化物结合碳化硅材料抗氧化性的影响 被引量:1
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作者 孟红涛 马龙斌 刘鑫 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第3期242-245,250,共5页
为改善焦炉用碳化硅材料的抗氧化性,以碳化硅颗粒(2.5~1.43、1.43~0.5、0.5~0.088 mm)及细粉(≤0.088 mm)、单质硅粉(≤0.088 mm)、氧化铝微粉(≤0.044 mm)、SiO_(2)微粉(≤1μm)为原料,木质素为结合剂,于1420℃保温10 h氮化烧成SiAlON-... 为改善焦炉用碳化硅材料的抗氧化性,以碳化硅颗粒(2.5~1.43、1.43~0.5、0.5~0.088 mm)及细粉(≤0.088 mm)、单质硅粉(≤0.088 mm)、氧化铝微粉(≤0.044 mm)、SiO_(2)微粉(≤1μm)为原料,木质素为结合剂,于1420℃保温10 h氮化烧成SiAlON-SiC、Si_(2)N_(2)O-SiC和Si_(3)N_(4)-SiC耐火材料试样,再分别经650、850、1050、1250℃保温5 h预氧化。研究预氧化对氮化后试样抗氧化性的影响。结果表明:1)在较低温度(≤850℃)下,Si_(3)N_(4)-SiC材料的抗氧化性优于SiAlON-SiC与Si_(2)N_(2)O-SiC材料的,在850~1250℃时,SiAlON-SiC材料的抗氧化性最好。2)3种氮化后试样中,经1250℃预氧化后SiAlON-SiC试样的显气孔率最低,为2.4%,抗氧化性最优,因为氧化后试样表面形成了氧化层,可以降低显气孔率从而提高抗氧化性。3)在焦炉换热器方面,850℃以下区域选择氮化硅结合碳化硅材料,850℃以上区域选择赛隆结合碳化硅材料;在焦炉脱硝管方面,选择赛隆结合碳化硅材料更为合适。 展开更多
关键词 焦炉 碳化硅 氮化烧结 抗氧化性
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