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短区间特殊信号显示关系及点灯电路设计方案优化研究: 1; 作者王伟峰《铁道通信信号》 2024年第11期21-28,共8页; 针对短区间列车反向追踪运行的特殊需求,深入研究信号显示关系及其配套点灯电路设计方案。首先,分析车站正线与到发线列车行车组织方式和允许速度的差异性,提出基于实际允许速度设计短区间信号显示关系,取消侧线红灯重复显示,以提升到... 展开更多; 关键词信号显示关系行车组织到发线点灯电路短区间故障-安全反向运行; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型无损IGBT短路耐性测试电路被引量：2: 2; 作者黄建伟刘国友 +3 位作者余伟罗海辉朱利恒覃荣震《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期70-75,共6页; 为保护绝缘栅双极晶体管(IGBT)测试电路及芯片失效信息,提出了一种新型的无损IGBT短路安全工作区测试电路,可以在器件测试时根据测试电流、电压波形特征,自动识别IGBT是否发生失效。一旦被测器件在测试过程中发生失效,测试电路能够立即... 展开更多; 关键词绝缘栅双极晶体管(IGBT) 短路测试失效分析短路安全工作区无损测试; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压碳化硅IGBT器件的电学特性被引量：1: 3; 作者肖凯刘航志 +2 位作者王振邹延生王俊《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期102-109,139,共9页; 借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模,对SiC n和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明,在小电流密度下,n-IGBT电导调制效应较强,并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下,p-IGBT背部的n^(+)注入层的... 展开更多; 关键词 SiC IGBT 短路安全工作区(scsoa) 反向偏置安全工作区(RBSOA) 能量损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压IGBT宽安全工作区设计被引量：1: 4; 作者高明超金锐 +4 位作者王耀华刘江李立李翠吴军民《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第6期451-454,共4页; 基于现有工艺平台开发了一款具有宽安全工作区的高压IGBT芯片。该芯片元胞采用场截止结构、载流子增强技术结合背面激光退火工艺降低器件饱和电压,通过优化载流子存储层的掺杂分布,结合背面透明集电极的增益优化,降低器件雪崩风险,提高... 展开更多; 关键词绝缘栅双极晶体管饱和电压关断损耗反偏安全工作区短路安全工作区; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有宽安全工作区的压接式IGBT芯片研制被引量：1: 5; 作者王耀华高明超 +5 位作者刘江冷国庆赵哿金锐温家良潘艳《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期132-135,共4页; 针对柔性直流输电关键装备高压直流断路器的特殊需求,基于现有工艺平台开发了一款宽安全工作区的3 300V/50A压接式IGBT芯片。为降低2~4 ms过电流冲击过程中的芯片温升,纵向采用非穿通结构。同时,采用阶梯栅氧结构,引入第二雪崩区,降低... 展开更多; 关键词绝缘栅双极晶体管压接反偏安全工作区短路安全工作区; 在线阅读下载PDF 职称材料

漏电低短路能力强的3300V IGBT模块被引量：2: 6; 作者高东岳叶枫叶 +2 位作者张大华骆健高晋文《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第2期81-85,98,共6页; 为实现满足电网应用要求的短路能力强、反向偏置安全工作区大、工作结温高的3300 V高压绝缘栅场效应晶体管模块,提出了一种具有N型增强层的IGBT元胞结构,采用P型隔离区的元胞布局结构和台阶形场板的保护环结构的IGBT设计。基于203.2 mm(... 展开更多; 关键词反向偏置安全工作区元胞结构保护环结构短路测试 IGBT模块; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名短区间特殊信号显示关系及点灯电路设计方案优化研究: 1; 作者王伟峰; 机构中铁第四勘察设计院集团有限公司; 出处《铁道通信信号》 2024年第11期21-28,共8页; 基金国家重点研发计划项目(2021YFB2600400) 中国铁建股份有限公司科技重大专项(2022A02) 中铁第四勘察设计院集团有限公司科技研发项目(2022D001)。; 文摘针对短区间列车反向追踪运行的特殊需求,深入研究信号显示关系及其配套点灯电路设计方案。首先,分析车站正线与到发线列车行车组织方式和允许速度的差异性,提出基于实际允许速度设计短区间信号显示关系,取消侧线红灯重复显示,以提升到发线的行车组织效率和车站的通过能力;其次,根据信号“故障-安全”原则及点灯电路技术条件,在兼容现有四显示出站信号机点灯电路的基础上,通过增加灯丝监督继电器,优化反向发车信号显示,以适应短区间反向按四显示追踪运行的需求。经仿真测试和实际应用验证,结果表明该方案能够保障行车安全,提高短区间列车运行效率,为铁路枢纽和繁忙干线短区间特殊信号显示关系优化及点灯电路设计提供参考和借鉴。; 关键词信号显示关系行车组织到发线点灯电路短区间故障-安全反向运行; Keywords Signal indication relation operation organization Receiving-departure track Lighting circuit short section Fail-safe Reverse operation; 分类号 U284.48 [交通运输工程—交通信息工程及控制]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型无损IGBT短路耐性测试电路被引量：2: 2; 作者黄建伟刘国友余伟罗海辉朱利恒覃荣震; 机构株洲南车时代电气股份有限公司新型功率半导体器件国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期70-75,共6页; 文摘为保护绝缘栅双极晶体管(IGBT)测试电路及芯片失效信息,提出了一种新型的无损IGBT短路安全工作区测试电路,可以在器件测试时根据测试电流、电压波形特征,自动识别IGBT是否发生失效。一旦被测器件在测试过程中发生失效,测试电路能够立即自动将电流旁路,保护芯片表面不受二次大电流破坏,进而保护芯片失效信息,为芯片的失效分析提供依据。根据设计搭建了测试保护电路,并进行实验比较。通过分析对比失效IGBT模块及芯片内部结构,发现该新型测试电路能在IGBT失效后,保护被测IGBT芯片不被进一步破坏,为失效分析提供充分依据。; 关键词绝缘栅双极晶体管(IGBT) 短路测试失效分析短路安全工作区无损测试; Keywords insulated gate bipolar transistor（IGBT） short-circuit test failure analysis shortcircuit safe operation area（scsoa） non-destructive test; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压碳化硅IGBT器件的电学特性被引量：1: 3; 作者肖凯刘航志王振邹延生王俊; 机构中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心湖南大学电气与信息工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期102-109,139,共9页; 基金南方电网直流输电装备与海底电缆安全运行联合实验室开放基金资助项目。; 文摘借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模,对SiC n和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明,在小电流密度下,n-IGBT电导调制效应较强,并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下,p-IGBT背部的n^(+)注入层的正向载流子注入增强,从而使得p-IGBT导通电流较大。相比较npn晶体管而言,由于n-IGBT内部pnp晶体管的电流增益较低,关断过程中载流子的抽取电流较高,耗尽层扩展速度较快,使得其关断时间较短,因而n-IGBT在动态关断能耗和正向导通压降之间具有较好的折中关系。但n-IGBT关断过程中电压变化率(dv/dt)、电流变化率(di/dt)值较高,特别是发生电压穿通现象过后。因此,应对n-IGBT电磁干扰(EMI)抑制的器件设计技术加以重视。; 关键词 SiC IGBT 短路安全工作区(scsoa) 反向偏置安全工作区(RBSOA) 能量损耗; Keywords SiC IGBT short-circuit safe operation area(scsoa) reverse biased safe operation area(RBSOA) energy loss; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压IGBT宽安全工作区设计被引量：1: 4; 作者高明超金锐王耀华刘江李立李翠吴军民; 机构全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第6期451-454,共4页; 基金国家电网有限公司总部科技项目(52060018009M)。; 文摘基于现有工艺平台开发了一款具有宽安全工作区的高压IGBT芯片。该芯片元胞采用场截止结构、载流子增强技术结合背面激光退火工艺降低器件饱和电压,通过优化载流子存储层的掺杂分布,结合背面透明集电极的增益优化,降低器件雪崩风险,提高器件的安全工作区。经流片测试结果显示饱和电压2.6 V,芯片在125°C温度下可实现5倍以上额定电流安全关断,短路电流可在30μs内安全关断,具有宽安全工作区水平,实现饱和电压、关断损耗和安全工作区的折衷。; 关键词绝缘栅双极晶体管饱和电压关断损耗反偏安全工作区短路安全工作区; Keywords IGBT saturation voltage turn-off loss reverse biased safe operating area(RBSOA) short-circuit safe operating area(scsoa); 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有宽安全工作区的压接式IGBT芯片研制被引量：1: 5; 作者王耀华高明超刘江冷国庆赵哿金锐温家良潘艳; 机构全球能源互联网研究院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期132-135,共4页; 基金国家能源应用技术研究及工程示范项目(NY20150703) 国家电网公司科技项目(SGRI-GB-71-16-004); 文摘针对柔性直流输电关键装备高压直流断路器的特殊需求,基于现有工艺平台开发了一款宽安全工作区的3 300V/50A压接式IGBT芯片。为降低2~4 ms过电流冲击过程中的芯片温升,纵向采用非穿通结构。同时,采用阶梯栅氧结构,引入第二雪崩区,降低动态闩锁发生的风险,提高器件的安全工作区。为适用于压接封装,开发了厚金属电极工艺,实现对压力的缓冲。将此结构流片验证,并进行模块级测试,芯片可在1 800V电压下达到6.5倍以上额定电流安全关断,短路电流可在20μs内安全关断,具有宽安全工作区水平。; 关键词绝缘栅双极晶体管压接反偏安全工作区短路安全工作区; Keywords insulated gate bipolar transistor （IGBT） press-pack reverse biased safe operatingarea（RBSOA） short circuit safe operating area（scsoa）; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名漏电低短路能力强的3300V IGBT模块被引量：2: 6; 作者高东岳叶枫叶张大华骆健高晋文; 机构南瑞集团(国网电力科学研究院)有限公司南瑞联研半导体有限责任公司国网山西省电力公司检修分公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第2期81-85,98,共6页; 基金国家电网有限公司总部科技项目资助(SGSXJX00AZJS2100176)。; 文摘为实现满足电网应用要求的短路能力强、反向偏置安全工作区大、工作结温高的3300 V高压绝缘栅场效应晶体管模块,提出了一种具有N型增强层的IGBT元胞结构,采用P型隔离区的元胞布局结构和台阶形场板的保护环结构的IGBT设计。基于203.2 mm(8英寸)平面栅IGBT加工工艺,制作出的芯片封装成3300 V/1500 A的IGBT模块。模块常温下的饱和压降(VCEsat)为2.55 V,动态总损耗(Etot)为5236 mJ;高温150℃下的VCEsat为3.3 V,集电极和发射极间的漏电流(ICES)只有38 mA,Etot为7157 mJ。在常温时,当栅极和发射极电压(VGE)为18.5 V的条件下,模块通过了一类短路测试。在150℃下,模块通过了2.5倍额定电流的反向偏置关断测试。; 关键词反向偏置安全工作区元胞结构保护环结构短路测试 IGBT模块; Keywords reverse bias safe operation area cell structure guard ring structure short cir-cuit test IGBT modules; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	短区间特殊信号显示关系及点灯电路设计方案优化研究	王伟峰	《铁道通信信号》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	新型无损IGBT短路耐性测试电路	黄建伟刘国友余伟罗海辉朱利恒覃荣震	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高压碳化硅IGBT器件的电学特性	肖凯刘航志王振邹延生王俊	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高压IGBT宽安全工作区设计	高明超金锐王耀华刘江李立李翠吴军民	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	具有宽安全工作区的压接式IGBT芯片研制	王耀华高明超刘江冷国庆赵哿金锐温家良潘艳	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	漏电低短路能力强的3300V IGBT模块	高东岳叶枫叶张大华骆健高晋文	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料