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极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征: 1; 作者赵见国殷瑞 +7 位作者徐儒倪海彬陶涛庄喆严羽谢自力刘斌常建华《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期204-210,共7页; 利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。... 展开更多; 关键词半极性面非极性面 INN薄膜外延生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

蓝宝石衬底上的半极性面GaN基LED超快激光剥离: 2; 作者项文辞孙浩 +4 位作者王思博周慧莲帅凌霄叶云霞张韵《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期681-687,共7页; 衬底导电性和导热性差一直是困扰生长于蓝宝石衬底上的GaN基LED的难题,利用激光剥离技术将蓝宝石衬底上的GaN基LED转移至其他衬底是解决该问题的有效方法之一。本文使用超快皮秒激光将生长于图案化蓝宝石衬底上的半极性面GaN基LED进行... 展开更多; 关键词 LED 超快激光图案化蓝宝石半极性面氮化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

自相似马氏过程的极性: 3; 作者闫海峰《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1996年第4期12-14,共3页; 本文我们给出了任意紧集不是自相似马氏过程的本性极集的充要条件，并讨论了自相似马氏过程极集，本性极集，半极集之间的关系．; 关键词极集本性极集自相似马氏过程马氏过程极性; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱被引量：1: 4; 作者杨国锋陈鹏 +8 位作者于治国刘斌谢自力修向前韩平赵红华雪梅张荣郑有炓《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期417-420,442,共5页; 报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过... 展开更多; 关键词氮化镓镍纳米岛模板电感耦合等离子刻蚀半极性面氮化镓纳米柱; 在线阅读下载PDF 职称材料

选区外延生长半极性GaN材料上的肖特基接触特性: 5; 作者黄溥曼陈杰 +5 位作者韩小标钟昌明潘郑州邢洁莹杨杭张佰君《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期774-778,共5页; 半极性GaN材料的研究在光电器件和电子器件领域有重要意义。采用选区外延生长技术在Si衬底上生长半极性GaN材料,并制备肖特基势垒二极管(SBD)。通过测量SBD在不同温度下的I-V特性曲线,观察到电流的大小随着温度的增加而增加,且受反向偏... 展开更多; 关键词 GAN 半极性电流传输机制光致发光肖特基接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

Micro-LED器件:从极性c面到非极性或半极性的发展趋势: 6; 作者王麒杨波波 +6 位作者李威晨邹军杨雪舟徐华钱麒陈俊锋李杨《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1347-1360,共14页; 氮化镓作为第三代照明器件材料相较于第一代硅与第二代砷化镓在性能上有了很大提高,基于氮化镓的MicroLED器件也愈发被人们所关注。然而由于在传统c面上生长的LED其自身所固有的一些缺陷往往在实际应用中发射效率不高,如存在量子限制斯... 展开更多; 关键词氮化镓 Micro-LED 非极性半极性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征: 1; 作者赵见国殷瑞徐儒倪海彬陶涛庄喆严羽谢自力刘斌常建华; 机构南京信息工程大学电子与信息工程学院南京大学电子科学与工程学院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期204-210,共7页; 基金国家自然科学基金(62204121)。; 文摘利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。X射线衍射(XRD)曲线展示了(0002)、(11-22)和(11-20)面InN较强的衍射峰,表明InN薄膜具有较高的成膜质量。通过扫描电子显微镜(SEM)表面图发现,极性(0002)面InN的表面形貌较光滑,而半极性和非极性InN表面均存在未完全合并的孔洞。光致发光(PL)光谱展示,不同极性面InN的峰值能量在0.63 eV附近,并从极性、半极性到非极性逐渐红移。此外,可见-红外分光光度计测得的透射谱显示,极性(0002)面InN的吸收边约为0.85 eV,而半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN的吸收边约为0.78 eV,表明极性InN具有更大的斯托克斯位移。; 关键词半极性面非极性面 INN薄膜外延生长; Keywords semipolar nonpolar InN film epitaxial growth; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名蓝宝石衬底上的半极性面GaN基LED超快激光剥离: 2; 作者项文辞孙浩王思博周慧莲帅凌霄叶云霞张韵; 机构江苏大学机械工程学院光电信息科学与工程系; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期681-687,共7页; 基金国家自然科学基金(61904068) 中国博士后科学基金(2021T140304) 江苏大学科研基金(19JDG020)。; 文摘衬底导电性和导热性差一直是困扰生长于蓝宝石衬底上的GaN基LED的难题,利用激光剥离技术将蓝宝石衬底上的GaN基LED转移至其他衬底是解决该问题的有效方法之一。本文使用超快皮秒激光将生长于图案化蓝宝石衬底上的半极性面GaN基LED进行衬底剥离,并成功转移至Si衬底,形成垂直结构的LED器件。利用SEM测试发现,当超快激光能量密度在1.3 J/cm^(2)附近可以有效分解蓝宝石和GaN交界层,且对器件产生最小负面损伤。拉曼光谱测试结果表明,剥离后的LED中GaN层的残余应力得到有效释放,从1.42 GPa降低为0.29 GPa。对制备的垂直结构LED进行I-V性能测试,5 V电压下正向电流由0.164 mA增大至0.759 mA,光致发光和电致发光性能均有增强。本文完成了蓝宝石衬底上的半极性面GaN基LED超快激光剥离的实验研究,为实现低损伤、高效率的转移技术的开发提供理论支撑,有望加速半极性面GaN基LED的发展与应用。; 关键词 LED 超快激光图案化蓝宝石半极性面氮化镓; Keywords LEDs ultrafast lasers patterned sapphire semipolar plane GaN; 分类号 TN364.2 [电子电信—物理电子学] TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名自相似马氏过程的极性: 3; 作者闫海峰; 机构河南师范大学数学系; 出处《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1996年第4期12-14,共3页; 基金河南省教委自然科学基金; 文摘本文我们给出了任意紧集不是自相似马氏过程的本性极集的充要条件，并讨论了自相似马氏过程极集，本性极集，半极集之间的关系．; 关键词极集本性极集自相似马氏过程马氏过程极性; Keywords polar set essentially polar set semipolar set; 分类号 O211.62 [理学—概率论与数理统计]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱被引量：1: 4; 作者杨国锋陈鹏于治国刘斌谢自力修向前韩平赵红华雪梅张荣郑有炓; 机构南京大学电子科学与工程学院江苏省光电功能材料重点实验室南京大学扬州光电研究院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期417-420,442,共5页; 基金国家重点基础研究发展规划(2011CB301900) 国家高技术研究发展规划(2009AA03A198) +10 种基金国家自然科学基金(60990311 60721063 60906025 60936004 60731160628 60820106003) 江苏省自然科学基金(BK2008019 BK2010385 BK2009255 BK2010178) 南京大学扬州光电研究院研发基金(200800X); 文摘报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能。; 关键词氮化镓镍纳米岛模板电感耦合等离子刻蚀半极性面氮化镓纳米柱; Keywords GaN Ni nano-island mask inductively coupled plasma（ICP）etching semipolar plane GaN nanocolumn; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名选区外延生长半极性GaN材料上的肖特基接触特性: 5; 作者黄溥曼陈杰韩小标钟昌明潘郑州邢洁莹杨杭张佰君; 机构中山大学电子与信息工程学院中山大学光电材料与技术国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期774-778,共5页; 基金国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400100) 国家自然科学基金资助项目(61574173 +3 种基金 61274039) 佛山市科技计划资助项目(201603130003); 文摘半极性GaN材料的研究在光电器件和电子器件领域有重要意义。采用选区外延生长技术在Si衬底上生长半极性GaN材料,并制备肖特基势垒二极管(SBD)。通过测量SBD在不同温度下的I-V特性曲线,观察到电流的大小随着温度的增加而增加,且受反向偏压影响,证明半极性GaN基SBD的电流传输机制为热电子场发射模型。光致发光光谱和X射线光电子能谱测试进一步表明,相比极性c面GaN材料,半极性GaN材料表面存在较高的氧杂质原子浓度和氮空位,此为半极性GaN肖特基特性偏离热电子发射模型的主要因素。; 关键词 GAN 半极性电流传输机制光致发光肖特基接触; Keywords GaN semipolar current transmission mechanism photoluminescence Schottky contact; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Micro-LED器件:从极性c面到非极性或半极性的发展趋势: 6; 作者王麒杨波波李威晨邹军杨雪舟徐华钱麒陈俊锋李杨; 机构上海应用技术大学理学院浙江安贝新材料股份有限公司宁波朗格照明电器有限公司广东皇智照明科技有限公司惠创科技(台州)有限公司浙江绿龙新材料有限公司西双版纳承启科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1347-1360,共14页; 基金国家重点研发计划(No.2021YFB3501700) 上海市“科技创新行动计划”农业科技领域项目(No.22N21900400,No.23N21900100) +1 种基金上海应用技术大学中青年教师科技人才发展基金(No.ZQ2022-3)。; 文摘氮化镓作为第三代照明器件材料相较于第一代硅与第二代砷化镓在性能上有了很大提高,基于氮化镓的MicroLED器件也愈发被人们所关注。然而由于在传统c面上生长的LED其自身所固有的一些缺陷往往在实际应用中发射效率不高,如存在量子限制斯塔克效应、绿色间隙、载流子传输等问题。基于非极性或半极性的LED没有极化电场,具有较强的内量子效率,电子和空穴复合机率大等优点,对非极性和半极性Micro-LED器件的研究与应用引起了人们很大的兴趣。本文对非极性和半极性Micro-LED器件研究现状进行综述。首先从量子限制斯托克效应、绿色间隙、载流子传输、效率下降4个方面介绍了非极性和半极性氮化镓基材料的优势。接着针对缺陷位错、增加光提取效率与在不同电流密度下实现全彩显示等问题,介绍了芯片成形、图案刻蚀与阵列这3种技术,最后对Micro-LED作为下一代显示引领者进行了展望。希望对Micro-LED今后的研究有所帮助。; 关键词氮化镓 Micro-LED 非极性半极性; Keywords gallium nitride Micro-LED nonpolar semipolar; 分类号 TN315 [电子电信—物理电子学] TN383.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征	赵见国殷瑞徐儒倪海彬陶涛庄喆严羽谢自力刘斌常建华	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	蓝宝石衬底上的半极性面GaN基LED超快激光剥离	项文辞孙浩王思博周慧莲帅凌霄叶云霞张韵	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	自相似马氏过程的极性	闫海峰	《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱	杨国锋陈鹏于治国刘斌谢自力修向前韩平赵红华雪梅张荣郑有炓	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	选区外延生长半极性GaN材料上的肖特基接触特性	黄溥曼陈杰韩小标钟昌明潘郑州邢洁莹杨杭张佰君	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	Micro-LED器件:从极性c面到非极性或半极性的发展趋势	王麒杨波波李威晨邹军杨雪舟徐华钱麒陈俊锋李杨	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料