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SnO_2纳米棒的制备及表征被引量：7: 1; 作者赵鹤云杨留方 +2 位作者朱文杰柳清菊吴兴惠《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期260-262,266,共4页; 由 SnCl4, NaBH4 和 NaCl、KCl 或 KCl NaCl组成的3种微乳液混合发生反应制备SnO2 前驱物,在熔盐环境中再经 710、760、785 和 900℃等温度焙烧 15min、1h、2h、3h,成功地制备了金红石结构的SnO2 纳米棒,并用透射电子显微镜, X 射线衍射... 展开更多; 关键词纳米棒SnO2 熔盐微乳液成核长大; 在线阅读下载PDF 职称材料

高性能聚焦离子束(FIB)系统及其在材料科学领域的应用被引量：9: 2; 作者周伟敏吴国英《实验室研究与探索》 CAS 2004年第9期19-20,52,共3页; 采用液态镓作为离子源的FIB系统在材料科学研究领域可以起非常重要的作用。离子束聚焦于样品表面,在不同大小、束流及通入不同辅助气体的情况下,可分别实现图形刻蚀、绝缘和金属膜的沉淀,扫描离子成像等功能。该系统有三大用途:形貌观察... 展开更多; 关键词聚焦离子束显微镜(FIB) 透射电子显微分析(TEM) 材料科学; 在线阅读下载PDF 职称材料

掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长: 3; 作者韦文生王天民 +1 位作者张春熹李国华《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期753-758,共6页; 发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅 (nc Si:H)薄膜中纳米硅晶粒 (nc Si)有择优生长的趋势 .用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现 :掺磷的nc Si:H薄膜XRD峰位的二倍衍射角约为 33°.掺硼nc Si:H薄膜的XRD峰位的二... 展开更多; 关键词掺杂电场温度择优生长 nc—Si:H薄膜纳米硅晶粒; 在线阅读下载PDF 职称材料

透射电子显微学在半导体材料科学中的应用: 4; 作者范缇文林兰英《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第2期183-190,共8页; 本文介绍了将透射电子显微学应用于半导体材料科学研究中的几个典型课题中所取得的研究结果,展示出从体单晶到超薄、多层异质结材料,从平面型异质结到非平面异质结材料的广泛领域中所获取的关于材料中"微区"、"微量"... 展开更多; 关键词透射电子显微学半导体材料科学异质结材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SnO_2纳米棒的制备及表征被引量：7: 1; 作者赵鹤云杨留方朱文杰柳清菊吴兴惠; 机构云南大学化学与材料工程学院材料科学与工程系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期260-262,266,共4页; 基金云南省自然科学基金重点资助项目(2000E002Z) 云南大学自然科学基金研究资助项目(2003Q003A); 文摘由 SnCl4, NaBH4 和 NaCl、KCl 或 KCl NaCl组成的3种微乳液混合发生反应制备SnO2 前驱物,在熔盐环境中再经 710、760、785 和 900℃等温度焙烧 15min、1h、2h、3h,成功地制备了金红石结构的SnO2 纳米棒,并用透射电子显微镜, X 射线衍射对SnO2 纳米棒的结构进行了表征。讨论了焙烧温度、焙烧时间和熔盐对 SnO2 纳米棒的影响,用熔盐合成机理对其形成进行了讨论,初步认为是成核、长大过程形成了SnO 纳米棒。; 关键词纳米棒SnO2 熔盐微乳液成核长大; Keywords Chemical reactions Crystal growth Microemulsions Microstructure Molten materials Nucleation Oxides semiconductor materials transmission electron microscopy X ray diffraction analysis; 分类号 TQ050.4 [化学工程] O782 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能聚焦离子束(FIB)系统及其在材料科学领域的应用被引量：9: 2; 作者周伟敏吴国英; 机构上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室上海交通大学国家教育部高温材料及高温测试重点实验室; 出处《实验室研究与探索》 CAS 2004年第9期19-20,52,共3页; 基金国家自然科学基金项目(50171042); 文摘采用液态镓作为离子源的FIB系统在材料科学研究领域可以起非常重要的作用。离子束聚焦于样品表面,在不同大小、束流及通入不同辅助气体的情况下,可分别实现图形刻蚀、绝缘和金属膜的沉淀,扫描离子成像等功能。该系统有三大用途:形貌观察,分辨率高达5nm;微刻蚀以及微沉淀。本文介绍了FIB技术的应用。; 关键词聚焦离子束显微镜(FIB) 透射电子显微分析(TEM) 材料科学; Keywords focused ion beam(FIB) transmission electron microscopy(TEM) materials science; 分类号 TH89 [机械工程—精密仪器及机械]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长: 3; 作者韦文生王天民张春熹李国华; 机构北京航空航天大学理学院北京航空航天大学宇航学院中国科学院半导体研究所; 出处《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期753-758,共6页; 基金 863计划资助项目高校博士点基金资助项目 ( 2 0 0 2 2 0 0 0 60 3 7); 文摘发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅 (nc Si:H)薄膜中纳米硅晶粒 (nc Si)有择优生长的趋势 .用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现 :掺磷的nc Si:H薄膜XRD峰位的二倍衍射角约为 33°.掺硼nc Si:H薄膜的XRD峰位的二倍衍射角约为 47°.用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析得到 :较高的衬底温度引起序参量改变 ,使掺磷nc Si:H薄膜中nc Si的晶面择优生长 .适当的电场作用引起序参量改变 ,导致掺硼nc Si:H薄膜在一定的自由能密度范围内nc; 关键词掺杂电场温度择优生长 nc—Si:H薄膜纳米硅晶粒; Keywords Atomic force microscopy Crystal growth Electric fields Hydrogen Nanostructured materials Plasma enhanced chemical vapor deposition semiconductor doping Silicon Thin films transmission electron microscopy X ray diffraction analysis; 分类号 O613.72 [理学—无机化学] O613.81 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透射电子显微学在半导体材料科学中的应用: 4; 作者范缇文林兰英; 机构中国科学院半导体材料科学实验室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第2期183-190,共8页; 文摘本文介绍了将透射电子显微学应用于半导体材料科学研究中的几个典型课题中所取得的研究结果,展示出从体单晶到超薄、多层异质结材料,从平面型异质结到非平面异质结材料的广泛领域中所获取的关于材料中"微区"、"微量"、"微观结构"的全方位信息,说明了透射电子显微学在半导体材料科学中起到的独特重要作用,而且随着半导体材料的日新月异的发展,其重要性将日趋明显。; 关键词透射电子显微学半导体材料科学异质结材料; Keywords semiconductor materials science transmission electron microscopy heterostructure; 分类号 TN304.01 [电子电信—物理电子学] TN16 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	SnO_2纳米棒的制备及表征	赵鹤云杨留方朱文杰柳清菊吴兴惠	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	7	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高性能聚焦离子束(FIB)系统及其在材料科学领域的应用	周伟敏吴国英	《实验室研究与探索》 CAS	2004	9	在线阅读下载PDF 职称材料
3	掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长	韦文生王天民张春熹李国华	《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	透射电子显微学在半导体材料科学中的应用	范缇文林兰英	《电子显微学报》 CAS CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料