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STM研究Si(111)7×7表面畴界结构
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作者 刘宁 杨海强 +4 位作者 古乾军 马自力 高鸿钧 薛增泉 庞世瑾 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第6期757-759,共3页
根据对Si(111)表面各种不同畴界的研究,我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素:二聚体(dimer)和顶戴原子(adatom,亦称吸附原子)之间的相互作用;7×7单胞中层错半单元(fa... 根据对Si(111)表面各种不同畴界的研究,我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素:二聚体(dimer)和顶戴原子(adatom,亦称吸附原子)之间的相互作用;7×7单胞中层错半单元(faultedhalf)和非层错半单元(unfaultedhalf)的差异;亚稳态的(2n+1)×(2n+1)结构的影响。 展开更多
关键词
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用STM在Si(111)7×7表面进行“有序移植”
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作者 刘宁 杨海强 +3 位作者 马自力 高鸿钧 薛增泉 庞世瑾 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第6期782-783,共2页
我们用STM在低压大电流条件下对Si(111)7×7表面进行了原子操纵研究,这种方法即可从表面提出原子而形成沟槽结构,又可将提出的原子重新植入样品表面形成一维凸起,在样品表面形成有序排列,从而成功地实现了对原子群... 我们用STM在低压大电流条件下对Si(111)7×7表面进行了原子操纵研究,这种方法即可从表面提出原子而形成沟槽结构,又可将提出的原子重新植入样品表面形成一维凸起,在样品表面形成有序排列,从而成功地实现了对原子群体的“有序移植” 展开更多
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利用扫描隧道显微镜构建纳米结构 被引量:2
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作者 李绍春 贾金锋 薛其坤 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第4期363-369,共7页
通过对在Si(111)-7×7表面上生长的Pb岛施加脉冲偏压,Pb岛受到触发而自发再生长。通过调节操纵参数(如脉冲电压的大小和时间),岛的高度及形状可以较精确地控制。用这种方法,我们可以制造出一些特定形状的纳米结构,例如中空和半中空... 通过对在Si(111)-7×7表面上生长的Pb岛施加脉冲偏压,Pb岛受到触发而自发再生长。通过调节操纵参数(如脉冲电压的大小和时间),岛的高度及形状可以较精确地控制。用这种方法,我们可以制造出一些特定形状的纳米结构,例如中空和半中空的纳米阱等,还可以在更大尺度(微米)上进一步构建由这些纳米结构单元构成的图案。在纳米结构的构建过程中,还观察到了量子效应对薄膜生长的影响。 展开更多
关键词 si(111)-(7) PB
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一种高效率的原子操纵方法
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作者 刘宁 杨海强 +3 位作者 马自力 高鸿钧 薛增泉 庞世瑾 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第6期784-786,共3页
我们在恒流模式和扫描偏压不变的条件下,通过提高隧道电流成功地在Si(111)7×7表面实现了原子操纵,这种方法具有较高的成功率和较快的操纵速率。其作用机理是:当偏压小于0.5V时,化学相互作用成为针尖和样品之间的... 我们在恒流模式和扫描偏压不变的条件下,通过提高隧道电流成功地在Si(111)7×7表面实现了原子操纵,这种方法具有较高的成功率和较快的操纵速率。其作用机理是:当偏压小于0.5V时,化学相互作用成为针尖和样品之间的主要作用;而当偏压大于0.8V时,场蒸发的影响则成为一个关键因素。 展开更多
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