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AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用(英文) 被引量：2: 1; 作者李永富唐恒敬 +5 位作者朱耀明李淘殷豪李天信李雪龚海梅《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期401-405,共5页; 为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜（AFM）及扫描电容显微镜（SCM）获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束... 展开更多; 关键词扫描电容显微镜(scm) 激光束诱导电流(LBIC) 光生载流子扩散保护环 INP/INGAAS; 在线阅读下载PDF 职称材料

用扫描电容显微镜(SCM)研究金基底上的铝纳米粒子被引量：1: 2; 作者刘赛锦侯士敏 +3 位作者申自勇张琦锋郭等柱薛增泉《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期364-368,共5页; 对升高模式扫描电容显微镜 (LM SCM)进行了理论分析 ,发现在小振幅近似下针尖的振幅直接正比于样品表面电容的梯度分布。利用升高模式扫描电容显微镜 (LM SCM)研究了金基底上铝纳米粒子的形貌和表面电容 ,分析了电容像的衬度与针尖的提... 展开更多; 关键词扫描电容显微镜铝纳米粒子金基底; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制被引量：2: 3; 作者李永富唐恒敬 +7 位作者李淘朱耀明汪洋殷豪李天信缪国庆李雪龚海梅《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第6期951-956,共6页; 采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素... 展开更多; 关键词二次离子质谱扫描电容显微技术 ZN扩散; 在线阅读下载PDF 职称材料

超级电容器用纳米炭黑电极的电化学性能被引量：4: 4; 作者张治安邓梅根 +2 位作者汪斌华胡永达杨邦朝《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期304-306,310,共4页; 用高导电性、高比表面积的工业炭黑(BET表面积为1080m2/g)作为超级电容器的电极材料。利用循环伏安法研究了不同扫描速度对电极电容特性的影响以及不同循环次数对循环伏安曲线的影响,用不同大小电流恒流充放电研究其充放电性能。结果表... 展开更多; 关键词超级电容器炭黑等效串联电阻比容量; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳纳米管在HQ/H_2SO_4电解质体系中的超级电容器性能研究: 5; 作者吴玉虎胡添添 +3 位作者谢慧朱银海李增鹏刘恩辉《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第16期16039-16042,共4页; 以自组装法合成的聚苯胺为前驱体,将其碳化活化后得到活性碳纳米管,分别研究了活性碳纳米管在H2SO4和氢醌(hydroquinone,HQ)/H2SO4电解质溶液里的超级电容器性能。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和比表面及孔径分析等方... 展开更多; 关键词碳纳米管氢醌氧化还原电解质超级电容器; 在线阅读下载PDF 职称材料

平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究: 6; 作者张帅君李天信 +6 位作者王文静李菊柱邵秀梅李雪郑时有庞越鹏夏辉《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期262-268,共7页; 在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电... 展开更多; 关键词扫描电容显微(scm) InGaAs平面型探测器扩散行为光电流响应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用(英文) 被引量：2: 1; 作者李永富唐恒敬朱耀明李淘殷豪李天信李雪龚海梅; 机构中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室中国科学院研究生院中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期401-405,共5页; 基金 Supported by Key Program of National Science Foundation of China(50632060); 文摘为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜（AFM）及扫描电容显微镜（SCM）获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流（LBIC）技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后,器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中,比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间.; 关键词扫描电容显微镜(scm) 激光束诱导电流(LBIC) 光生载流子扩散保护环 INP/INGAAS; Keywords scanning capacitance microscopy（scm） laser beam induced current（LBIC） photo-carrier diffusion guard-ring InP/InGaAs; 分类号 TN2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用扫描电容显微镜(SCM)研究金基底上的铝纳米粒子被引量：1: 2; 作者刘赛锦侯士敏申自勇张琦锋郭等柱薛增泉; 机构北京大学电子学系; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期364-368,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目 (6 9890 2 2 1 6 990 2 0 0 2 ); 文摘对升高模式扫描电容显微镜 (LM SCM)进行了理论分析 ,发现在小振幅近似下针尖的振幅直接正比于样品表面电容的梯度分布。利用升高模式扫描电容显微镜 (LM SCM)研究了金基底上铝纳米粒子的形貌和表面电容 ,分析了电容像的衬度与针尖的提升高度之间关系 ,并在实验中得到了验证。; 关键词扫描电容显微镜铝纳米粒子金基底; Keywords scanning capacitance microscopy capacitance gradient aluminum nanoparticles; 分类号 O488 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制被引量：2: 3; 作者李永富唐恒敬李淘朱耀明汪洋殷豪李天信缪国庆李雪龚海梅; 机构中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室中国科学院研究生院中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第6期951-956,共6页; 基金国家自然科学基金重点资助项目(50632060) 中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿资助项目(C2-32 C2-50); 文摘采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大。SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义。; 关键词二次离子质谱扫描电容显微技术 ZN扩散; Keywords Secondary ion mass spectroscopy （SIMS） scanning capacitance microscopy （scm） Zn diffusion; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超级电容器用纳米炭黑电极的电化学性能被引量：4: 4; 作者张治安邓梅根汪斌华胡永达杨邦朝; 机构电子科技大学微电子与固体电子学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期304-306,310,共4页; 文摘用高导电性、高比表面积的工业炭黑(BET表面积为1080m2/g)作为超级电容器的电极材料。利用循环伏安法研究了不同扫描速度对电极电容特性的影响以及不同循环次数对循环伏安曲线的影响,用不同大小电流恒流充放电研究其充放电性能。结果表明:循环伏安曲线为矩形特征,炭黑电极表现出典型的电容行为,扫描速度与比电容基本无关;恒流充放电的电压和时间关系为线性关系,电极的大电流充放电性能良好,电极的循环寿命高。; 关键词超级电容器炭黑等效串联电阻比容量; Keywords capacitance capacitors Cyclic voltammetry Electric properties Electrochemical electrodes Electrochemistry scanning electron microscopy Transmission electron microscopy X ray diffraction analysis; 分类号 TM53 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳纳米管在HQ/H_2SO_4电解质体系中的超级电容器性能研究: 5; 作者吴玉虎胡添添谢慧朱银海李增鹏刘恩辉; 机构湘潭大学化学学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第16期16039-16042,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(51172190) 湖南省自然科学基金资助项目(11JJ2030); 文摘以自组装法合成的聚苯胺为前驱体,将其碳化活化后得到活性碳纳米管,分别研究了活性碳纳米管在H2SO4和氢醌(hydroquinone,HQ)/H2SO4电解质溶液里的超级电容器性能。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和比表面及孔径分析等方法对材料的形貌和孔径分布进行表征。采用循环伏安法、恒电流充放电和交流阻抗法分别研究了超级电容器在1mol/L H2SO4、0.4mol/L HQ/H2SO4电解质溶液中的电化学性能。在扫描速率为2mV/s时,碳纳米管电极在H2SO4和HQ/H2SO4电解液中的比电容分别为188和380F/g。研究表明,在HQ/H2SO4电解质溶液中可以为超级电容器提供氧化还原赝电容,其比电容量提高了192F/g。; 关键词碳纳米管氢醌氧化还原电解质超级电容器; Keywords Activated carbon capacitance Carbon nanotubes Cyclic voltammetry Electric discharges Electrochemical impedance spectroscopy Electrolytes Phenols Polyaniline scanning electron microscopy Self assembly Transmission electron microscopy Yarn; 分类号 O646 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究: 6; 作者张帅君李天信王文静李菊柱邵秀梅李雪郑时有庞越鹏夏辉; 机构上海理工大学材料科学与工程学院中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海师范大学数理学院中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期262-268,共7页; 基金国家自然科学基金(11574336,11991063) 中国科学院战略性先导科技专项(XDB43010200) 上海市自然科学基金(18JC1420401,19ZR1465700,14ZR1446200)。; 文摘在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析。此外,对于InGaAs/InP探测器,SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异。在InGaAs吸收区中,Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍,远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比,这将对光敏元的边缘电容以及暗电流特性产生影响。; 关键词扫描电容显微(scm) InGaAs平面型探测器扩散行为光电流响应; Keywords scanning capacitance microscopy(scm) planar InGaAs detector diffusion behavior photocurrent response; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用(英文)	李永富唐恒敬朱耀明李淘殷豪李天信李雪龚海梅	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用扫描电容显微镜(SCM)研究金基底上的铝纳米粒子	刘赛锦侯士敏申自勇张琦锋郭等柱薛增泉	《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制	李永富唐恒敬李淘朱耀明汪洋殷豪李天信缪国庆李雪龚海梅	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2009	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	超级电容器用纳米炭黑电极的电化学性能	张治安邓梅根汪斌华胡永达杨邦朝	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	碳纳米管在HQ/H_2SO_4电解质体系中的超级电容器性能研究	吴玉虎胡添添谢慧朱银海李增鹏刘恩辉	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究	张帅君李天信王文静李菊柱邵秀梅李雪郑时有庞越鹏夏辉	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料