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基于POD热网络模型的SiC MOSFET浪涌安全工作区评估: 1; 作者赵耀刘征 +2 位作者王志强王进君李国锋《中国电机工程学报》北大核心 2025年第15期6080-6091,I0027,共13页; 碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)在实际运行中通常会面临浪涌极端工况,导致器件失效。浪涌安全工作区(safe operating area,SOA)是衡量其可靠性... 展开更多; 关键词碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管浪涌极端工况热网络安全工作区; 在线阅读下载PDF 职称材料

补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件: 2; 作者李旭泓孙与飚 +1 位作者刘腾张加宏《半导体技术》北大核心 2025年第10期995-1000,共6页; 传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷... 展开更多; 关键词绝缘体上硅(SOI) 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 电荷场调制宽安全工作区(soa) 载流子电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率MOSFET并联驱动特性分析被引量：12: 3; 作者钱敏徐鸣谦米智楠《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期951-956,共6页; 并联MOSFET非常适合于在低电压、大电流下工作。基于IRFS4227PBF功率MOSFET,分析和测试了在一定散热环境下MOSFET结温的收敛特性与漏极电流的关系,说明了MOSFET的实际电流容量受散热条件制约,并以此确定在额定电流下需要并联的个数。用P... 展开更多; 关键词 MOSFET并联安全工作区导热动态均流 PSPICE仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化被引量：1: 4; 作者陈轶群陈佳旅蒲贤勇《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期623-627,658,共6页; 在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响。通过研究p^+带嵌入方式、p^+图形形状、p^+分布密度、阵列单元栅宽及总栅数、金属引线方式等进行... 展开更多; 关键词功率管 n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS) 版图设计电学安全工作区(E-soa) 传输线脉冲(TLP); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于POD热网络模型的SiC MOSFET浪涌安全工作区评估: 1; 作者赵耀刘征王志强王进君李国锋; 机构大连理工大学电气工程学院; 出处《中国电机工程学报》北大核心 2025年第15期6080-6091,I0027,共13页; 基金国家自然科学基金项目(青年科学基金项目)(51907016)。; 文摘碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)在实际运行中通常会面临浪涌极端工况,导致器件失效。浪涌安全工作区(safe operating area,SOA)是衡量其可靠性的重要指标。目前浪涌SOA的评估需要多次破坏性实验,成本高昂。为此,提出一种SiC MOSFET器件浪涌SOA的低成本评估方法。首先,建立SiC MOSFET温度计算有限元模型,利用特征正交分解算法降低有限元模型阶数形成降阶模型,并基于降阶模型建立SiC MOSFET器件的热网络模型,同时考虑器件温度对热网络模型参数的非线性影响;其次,建立SiC MOSFET体二极管的电路模型,与热网络模型关联形成电热耦合模型;之后,基于电热耦合模型构造不同浪涌工况与SiC MOSFET器件温度的数据集,并引入Kriging代理模型揭示工况与器件温度的映射关系,实现SiC MOSFET器件浪涌SOA的快速评估;最后,通过破坏性测试验证所提浪涌SOA评估方法的有效性。; 关键词碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管浪涌极端工况热网络安全工作区; Keywords silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor(SiC MOSFET) surge extreme conditions thermal network safe operating area(soa)conditions thermal network safe operatingarea(soa); 分类号 TM46 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件: 2; 作者李旭泓孙与飚刘腾张加宏; 机构南京信息工程大学集成电路学院无锡华润上华科技有限公司; 出处《半导体技术》北大核心 2025年第10期995-1000,共6页; 基金国家自然科学基金(42275143)。; 文摘传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷场调制机理,分析其对器件表面电场的调制作用。基于该机理,设计了一种补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件结构。通过在传统器件中引入双阱变掺杂技术,优化了器件表面电场,并显著扩展了SOA。进一步采用兼容工艺制备了高压CMOS器件。实验结果显示,n型LDMOS器件关态击穿电压(V_(B))>300 V,栅压15 V下的开态V_(B)>200 V;p型LDMOS器件关态V_(B)>200 V,栅压-15 V下的开态V_(B)>300 V。该器件在关态和开态下的V_(B)均可满足200 V应用需求,适用于宽SOA。; 关键词绝缘体上硅(SOI) 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 电荷场调制宽安全工作区(soa) 载流子电荷; Keywords silicon on insulator(SOI) lateral diffused metal oxide semiconductor(LDMOS) charge field modulation wide safe operating area(soa) carrier charge; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率MOSFET并联驱动特性分析被引量：12: 3; 作者钱敏徐鸣谦米智楠; 机构同济大学机械工程学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期951-956,共6页; 文摘并联MOSFET非常适合于在低电压、大电流下工作。基于IRFS4227PBF功率MOSFET,分析和测试了在一定散热环境下MOSFET结温的收敛特性与漏极电流的关系,说明了MOSFET的实际电流容量受散热条件制约,并以此确定在额定电流下需要并联的个数。用PSPICE电路仿真论述了外围电路Q值和功率管参数等因素对并联驱动的动态均流特性的影响。在此基础上搭建实验平台,成功实现了8个MOSFET并联在高频状态下的稳定工作。; 关键词 MOSFET并联安全工作区导热动态均流 PSPICE仿真; Keywords parallel MOSFET safe operatingarea heat conduction transient current share PSPICE simulation; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化被引量：1: 4; 作者陈轶群陈佳旅蒲贤勇; 机构中芯国际集成电路制造有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期623-627,658,共6页; 文摘在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响。通过研究p^+带嵌入方式、p^+图形形状、p^+分布密度、阵列单元栅宽及总栅数、金属引线方式等进行了版图设计优化和流片。管芯传输线脉冲(TLP)E-SOA测试结果表明,优化后的版图使NLDMOS在5 V工作电压下TLP E-SOA提升约30%,金属引线的加宽和叠加使NLDMOS的开态电流提升约7%。带状紧凑型p^+带且双栅极嵌入的优化版图设计能更好地稳定硅衬底电位,抑制寄生三极管的开启,增大E-SOA,提高器件可靠性。因此,版图设计优化对提升功率NLDMOS的性能和可靠性具有实际意义。; 关键词功率管 n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS) 版图设计电学安全工作区(E-soa) 传输线脉冲(TLP); Keywords power transistor n-type laterally diffused metal oxide semiconductor(NLDMOS) layout design electrical safe operating area(E-soa) transmission line pulse(TLP); 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于POD热网络模型的SiC MOSFET浪涌安全工作区评估	赵耀刘征王志强王进君李国锋	《中国电机工程学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件	李旭泓孙与飚刘腾张加宏	《半导体技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	功率MOSFET并联驱动特性分析	钱敏徐鸣谦米智楠	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	12	在线阅读下载PDF 职称材料
4	功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化	陈轶群陈佳旅蒲贤勇	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料