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题名X波段Si基片集成脊波导MEMS环行器
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作者
汪蔚
李志东
田松杰
高纬钊
刘博达
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2024年第4期156-161,共6页
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文摘
基于波导传输理论设计并制备了一款Si基片集成脊波导(RSIW)微电子机械系统(MEMS)环行器,该环形器以高阻硅作为衬底材料,采用高精度三维MEMS加工工艺制备而成。通过在基片集成波导(SIW)结构中添加脊梁结构,形成RSIW传输结构,使传输主模TE10模的截止频率比矩形波导TE10模的低,从而实现相同频率下更小的器件尺寸。同时,通过电磁仿真软件对射频匹配和磁场分布进行了精确的建模仿真,完成了Si基片集成脊波导MEMS环行器的仿真设计。制备了尺寸为6 mm×6 mm的环行器样品并进行了测试,结果验证了仿真设计的准确性,其工作频率为8~12 GHz,回波损耗大于20 dB,隔离度大于18 dB,插入损耗小于0.5 dB。实现优良微波特性的同时,相比于常规的SIW结构环行器尺寸缩小了20%左右。
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关键词
微电子机械系统(MEMS)
环行器
基片集成脊波导(rsiw)
高阻硅
脊梁结构
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Keywords
micro-electromechanical system(MEMS)
circulator
ridge substrate integrated waveguide(rsiw)
high-resistivity silicon
ridge structure
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分类号
TH703
[机械工程—精密仪器及机械]
TN621
[电子电信—电路与系统]
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