基于28 nm RRAM的可重构真随机数发生器

1

作者 宋长坤 郑彩萍 陈铖颖 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1516-1523,共8页

基于阻变存储器(RRAM)电流饥饿型环形振荡器的真随机数发生器(TRNG)方案,提出交替读写的操作模式,优化熵源重构机制.针对现有RRAM在多操作周期下跨导线性化问题,提出熵可配置电阻窗口钳位电路.通过减小电阻窗口获得RRAM非线性的最大化,... 基于阻变存储器(RRAM)电流饥饿型环形振荡器的真随机数发生器(TRNG)方案,提出交替读写的操作模式,优化熵源重构机制.针对现有RRAM在多操作周期下跨导线性化问题,提出熵可配置电阻窗口钳位电路.通过减小电阻窗口获得RRAM非线性的最大化,所提电路能够有效避免RRAM出现过度置位、过度复位的现象,保证熵源稳定性.基于UMC 28 nm HKMG工艺对TRNG进行流片.输出数据统计性测试结果通过了NIST SP800-22所有测试集的真随机数标准测试.检测结果表明,在高斯分布的95%置信区间,所有统计数据的自相关函数值均落在-0.003~0.003,输出序列具有良好的随机性. 展开更多

关键词 阻变存储器(rram) 真随机数发生器(TRNG) 熵源 电流饥饿型环形振荡器 跨导线性

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一种基于斯坦福RRAM模型的参数提取方法

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作者 孙海燕 张硕 +1 位作者 张晓波 戴澜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期670-675,共6页

阻变随机存取存储器(RRAM)是一种新型非易失性存储器件,比主流的闪存(Flash)器件具有更快的读/写速度、更低的编程电压和功耗。然而由于工艺不成熟等因素,RRAM准确的器件模型需要在已有的斯坦福物理模型基础上,对多达6个曲线拟合参数反... 阻变随机存取存储器(RRAM)是一种新型非易失性存储器件,比主流的闪存(Flash)器件具有更快的读/写速度、更低的编程电压和功耗。然而由于工艺不成熟等因素,RRAM准确的器件模型需要在已有的斯坦福物理模型基础上,对多达6个曲线拟合参数反复进行调整,具有一定的建模难度。提出了一种简并参数的建模方法,通过器件实测数据计算出其中4个曲线拟合参数I_(0)、g_(0)、γ_(0)、β。该方法大大降低了将物理模型适配为实际模型的建模难度,且由于基于实测数据,该建模方法理论上对不同工艺具有适配性。最后在不同工艺条件下制作了基于HfO_(x)材料的RRAM器件,并验证了该方法的有效性、先进性和准确性。 展开更多

关键词 阻变随机存取存储器(rram) 非易失性存储器 器件模型 HfOx材料 导电细丝理论

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用于高密度RRAM单端式可编程灵敏放大器设计 被引量：1

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作者 马文龙 张锋 +1 位作者 杨红官 陈铖颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期735-739,共5页

针对现代科技生活中对高密度阻变存储器(RRAM)的应用需求,提出了一种单端式可编程灵敏放大器结构。该灵敏放大器结构无需额外的参考电路,从而避免了参考电流受工艺、温度等条件波动对读出结果的影响。通过在电路中引入可编程模式,使该... 针对现代科技生活中对高密度阻变存储器(RRAM)的应用需求,提出了一种单端式可编程灵敏放大器结构。该灵敏放大器结构无需额外的参考电路,从而避免了参考电流受工艺、温度等条件波动对读出结果的影响。通过在电路中引入可编程模式,使该灵敏放大器结构能够有效克服工艺偏差对存储单元能否正确存储信息的影响,从而实现存储信息的正确读出。该灵敏放大器基于HHNEC 0.13μmCMOS工艺设计实现,并且成功应用于8 Mbit RRAM设计中,通过后仿真验证,结果表明,在2～32μA电流范围内,灵敏放大器最小分辨率可达1μA。 展开更多

关键词 阻变存储器（rram） 单端式 可编程 灵敏放大器 阈值电压

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基于RRAM PUF的轻量级RFID认证协议 被引量：2

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作者 陈飞鸿 张锋 +1 位作者 陈军宁 吴秀龙 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2021年第1期141-149,共9页

针对当前轻量级的射频识别(RFID)加密方案信息防护手段有限的问题,结合由阻变存储器(RRAM)构成的物理不可克隆函数(PUF),提出了一种新型的轻量级RFID双向认证协议。利用多级响应加密机制实现阅读器与标签之间的安全认证处理。结合RRAM ... 针对当前轻量级的射频识别(RFID)加密方案信息防护手段有限的问题,结合由阻变存储器(RRAM)构成的物理不可克隆函数(PUF),提出了一种新型的轻量级RFID双向认证协议。利用多级响应加密机制实现阅读器与标签之间的安全认证处理。结合RRAM PUF模型,采用了特殊的纠错处理方法提高PUF响应的可靠性并阻止了信息泄露。此外添加了密钥更新机制和异常攻击标识,抵御了追踪攻击和去同步攻击等威胁。经仿真、分析和对比结果表明,该协议可以有效抵抗多种攻击手段,具有较高的安全性和较低的计算成本。 展开更多

关键词 射频识别(RFID) 阻变存储器(rram) 物理不可克隆函数(PUF) 安全认证协议 轻量级

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1T1R结构RRAM的故障可测性设计 被引量：1

5

作者 陈传兵 许晓欣 +1 位作者 李晓燕 李颖弢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期388-393,400,共7页

阻变随机存储器（RRAM）中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率。采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本。基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片。详细分析了测试中的故障响应情况,并... 阻变随机存储器（RRAM）中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率。采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本。基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片。详细分析了测试中的故障响应情况,并定义了一种故障识别表达式。在March算法的基础上,提出针对RRAM故障的有效测试算法,同时设计了可以定位故障的内建自测试（BIST）电路。仿真结果表明,该测试方案具有占用引脚较少、测试周期较短、故障定位准确、故障覆盖率高的优势。 展开更多

关键词 1T1R结构 阻变随机存储器(rram) 内建自测试(BIST) 故障类型 测试算法 故障定位

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增强RRAM可靠性的热通量压缩算法 被引量：1

6

作者 项中元 张锋 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期992-998,共7页

为提高阻变存储器(RRAM)的可靠性,研究了RRAM中的热串扰问题,提出了一种热通量压缩(TFC)算法,通过在RRAM读写电路之前加入TFC算法,降低在RRAM中产生的焦耳热,从而减弱RRAM中的热串扰问题,提高RRAM的可靠性。TFC算法通过分析计算写入数... 为提高阻变存储器(RRAM)的可靠性,研究了RRAM中的热串扰问题,提出了一种热通量压缩(TFC)算法,通过在RRAM读写电路之前加入TFC算法,降低在RRAM中产生的焦耳热,从而减弱RRAM中的热串扰问题,提高RRAM的可靠性。TFC算法通过分析计算写入数据流产生的真实焦耳热热量进而判断是否对写入数据流进行翻转编码,即TFC算法会在原始写入数据流和翻转编码数据流二者中选择热通量较小者通过算法层,从而达到减小RRAM存储器中焦耳热热量的目的。理论分析和仿真结果表明:以字节为单位数据块条件下TFC算法平均可降低30%以上的写入焦耳热,阻变单元的保持时间估值平均增加了35%以上。 展开更多

关键词 阻变存储器(rram) 焦耳热 热串扰 保持时间 热通量压缩(TFC)算法

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还原时间对AlO_x/WO_x RRAM开关速度的调制作用

7

作者 徐娟 傅雅蓉 林殷茵 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期650-655,668,共7页

基于128 kbit AlO_x/WO_x双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试。还原处理的时间越长,AlO_x层的厚度越薄,同时氧空位的... 基于128 kbit AlO_x/WO_x双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试。还原处理的时间越长,AlO_x层的厚度越薄,同时氧空位的含量增多,可加快导电细丝的形成、断裂和重新连接,进而提升芯片的开关速度。测试结果表明,还原时间由10 min增加至30 min,在4 V和4.5 V操作电压下,FORMING速度分布的均值分别由200 ns减小至120 ns和由100 ns减小至60 ns;在4 V和4.5 V操作电压下,RESET速度分布的均值分别由160 ns减小至120 ns和由120 ns减小至100 ns;SET速度分布的均值在4 V电压下可由120 ns减小至80 ns。此外,还原时间的增长可以改善速度分布的一致性,减小速度的波动。 展开更多

关键词 阻变存储器 开关速度 还原时间 速度波动 速度测试算法

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Ag掺杂TiO_(2)阻变特性的理论研究

8

作者 张燕 申世英 +1 位作者 颜安 栾加航 《石河子大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2024年第4期520-528,共9页

阻变随机存储器(RRAM)是一种非易失性存储器。相比于传统的存储器,阻变随机存储器的读写速度和存储性能都实现了重大突破,是公认的新一代主流存储器。但是以TiO_(2)等金属氧化物为衬底的阻变随机存储器还存在阻变机制不清楚的问题。采... 阻变随机存储器(RRAM)是一种非易失性存储器。相比于传统的存储器,阻变随机存储器的读写速度和存储性能都实现了重大突破,是公认的新一代主流存储器。但是以TiO_(2)等金属氧化物为衬底的阻变随机存储器还存在阻变机制不清楚的问题。采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了Ag掺杂TiO_(2)的阻变特性,研究表明[001]、[110]、[011]、[111]四个方向的形成能和表面能均为负,最容易沉积形成表面。[011]、[111]方向最高势能面最大,电荷容易集聚,临界势能面同样最大,容易形成导电细丝。同时[011]、[111]方向的扩散势垒最小,容易形成导电通道。[011]和[111]方向的禁带宽度明显小于[001]和[110]方向,且存在明显的轨道杂化,容易在特定方向形成导电细丝。[011][111]两个方向上的电子和空穴有效质量约为[001][110]两个方向的2/3,而迁移率约为[001][110]方向的1.5~2倍,因此在外电场作用下更容易形成导电细丝。[011]和[111]方向电导率增长迅速,是实现阻变特性的理想方向。本文的研究结果可为改善以TiO_(2)为衬底的阻变随机存储器的性能提供理论指导。 展开更多

关键词 阻变随机存储器 导电细丝 TiO_(2) 扩散势垒 第一性原理

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基于阻变存储器的物理不可克隆函数设计

9

作者 冯平 廖文丽 +2 位作者 左石凯 陈铖颖 黄渝斐 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期341-349,共9页

物理不可克隆函数(PUF)将集成电路制造过程中产生的工艺变化作为一种安全原语,已被广泛应用于硬件安全领域,特别是身份认证和密钥存储。提出了一种基于阻变存储器(RRAM)阵列的PUF优化设计,采用2T2R差分存储结构,并利用阵列中RRAM单元的... 物理不可克隆函数(PUF)将集成电路制造过程中产生的工艺变化作为一种安全原语,已被广泛应用于硬件安全领域,特别是身份认证和密钥存储。提出了一种基于阻变存储器(RRAM)阵列的PUF优化设计,采用2T2R差分存储结构,并利用阵列中RRAM单元的阻值变化产生PUF的随机性,以实现更高安全级别所需的大量激励-响应对(CRP)。RRAM PUF的存储单元基于28 nm工艺实现,其面积仅为0.125μm~2,相比传统PUF存储单元面积开销减小,在入侵和侧信道攻击方面具有更好的鲁棒性。实验数据表明,RRAM PUF唯一性达到了约49.78%,片内汉明距离为0%,一致性良好,具有较好的随机性。 展开更多

关键词 硬件安全 阻变存储器(rram) 物理不可克隆函数(PUF) 激励-响应对(CRP) 灵敏放大器

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过渡金属氧化物薄膜阻变存储材料研究 被引量：1

10

作者 高兴森 张飞 +1 位作者 林远彬 芦增星 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2013年第6期75-84,共10页

随着半导体技术和集成电路的进步,器件的集成度不断提高,器件的特征尺寸不断减小,基于电荷存储的传统非易失性随机存储器面临着物理和技术上极限的挑战.阻变式存储器(RRAM)作为新一代存储器件,因其具有结构简单、制备简便、存储密度高... 随着半导体技术和集成电路的进步,器件的集成度不断提高,器件的特征尺寸不断减小,基于电荷存储的传统非易失性随机存储器面临着物理和技术上极限的挑战.阻变式存储器(RRAM)作为新一代存储器件,因其具有结构简单、制备简便、存储密度高、擦写速度快、写入电流小等优势受到广泛研究.针对过渡金属氧化物薄膜RRAM的研究概况,从RRAM的基本原理、材料体系、存储机理和器件应用所面临的困难等方面对RRAM进行了综述. 展开更多

关键词 阻变存储器 非易失性存储 过渡性金属氧化物 薄膜

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基于第一性原理计算的ZrO_2材料的掺杂阻变特性 被引量：2

11

作者 周星 王建军 +1 位作者 高珊 陈军宁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期760-764,共5页

阻变式随机存储器(RRAM)是目前新型存储器领域的研究热点。基于ZrO2材料,选取Al和Ag作为杂质元素。采用第一性原理方法计算了掺杂条件下ZrO2中氧空位的形成能、氧空位之间的作用能等重要参量。Al(富余)掺杂下,氧空位之间的相互作用能成... 阻变式随机存储器(RRAM)是目前新型存储器领域的研究热点。基于ZrO2材料,选取Al和Ag作为杂质元素。采用第一性原理方法计算了掺杂条件下ZrO2中氧空位的形成能、氧空位之间的作用能等重要参量。Al(富余)掺杂下,氧空位之间的相互作用能成负值,相互吸引抱团形成导电细丝,阻变特性明显改善,氧空位主导细丝形成。这与相关的实验结果是一致的。Ag掺杂下,Ag的金属性强,氧空位之间相互作用能全为正值,相互排斥。通过模拟观察,Ag主导了细丝形成,并改善了ZrO2材料的阻变特性。 展开更多

关键词 阻变式随机存储器（rram） 掺杂 导电细丝 相互作用能 氧空位

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阻变存储阵列的自动化测试系统 被引量：3

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作者 董大年 汪毓铎 +3 位作者 吕杭炳 姚志宏 冯雪 余兆安 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期956-959,共4页

阻变存储器(RRAM)是一种新型的不挥发存储技术,研究阻变存储器阵列规模的存储性能以及可靠性问题是推进RRAM实用化的关键。目前通用的基于微控探针台的半导体参数分析的常规测量系统无法完成对阵列的自动化测试。利用半导体参数分析仪(4... 阻变存储器(RRAM)是一种新型的不挥发存储技术,研究阻变存储器阵列规模的存储性能以及可靠性问题是推进RRAM实用化的关键。目前通用的基于微控探针台的半导体参数分析的常规测量系统无法完成对阵列的自动化测试。利用半导体参数分析仪(4200-SCS)、开关矩阵以及相关外围电路搭建了一套针对阻变存储阵列的自动测试系统,实现了1Mbit RRAM芯片的初始阻态分布的读取、初始化测试、存储单元的自动化编程/擦除操作。测试结果表明,该测试系统可以实现阻变存储阵列的自动化测试,为进一步工艺参数和编程算法的优化设计奠定基础。 展开更多

关键词 阻变存储(rram)阵列 半导体参数分析仪 自动测试系统 可靠性 开关矩阵

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铋掺杂对SrTiO_3薄膜微观结构及阻变行为的影响 被引量：2

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作者 张文博 王华 +3 位作者 许积文 刘国保 谢航 杨玲 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1932-1937,共6页

采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在p+-Si上制备了Bi掺杂SrTiO_3薄膜,构建了Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微观结构、器件阻变行为及特性的影响。结果表明:Bi掺杂量较低时并未改变Sr_(1-x)Bi_xTiO_3薄膜的... 采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在p+-Si上制备了Bi掺杂SrTiO_3薄膜,构建了Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微观结构、器件阻变行为及特性的影响。结果表明:Bi掺杂量较低时并未改变Sr_(1-x)Bi_xTiO_3薄膜的相结构,但随着掺杂比例的增大,晶粒尺寸也明显增大,当掺杂量x=0.16时,有Bi4SrTi4O15及TiO2相形成;不同Bi掺杂量的Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si器件均呈现出双极性阻变特性,且有明显的多级阻变行为。随Bi掺杂量的增加,器件的阻变性能逐步提高,当x=0.12时器件的高、低阻态电阻比值最大,达到105左右,并且在2 000次可逆循环测试下,高、低阻态电阻比未出现衰减,表现出良好的抗疲劳特性,但当掺杂量x达到或超过0.16后,器件的性能呈下降趋势。Bi掺杂量的增大会导致器件高阻态时的导电机制从空间电荷效应(SCLC)导电机制(x<0.16)转变为肖特基势垒发射(x=0.16)。器件在低阻态下均遵循欧姆导电机制。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶 钛酸锶薄膜 Ag/Sr1-xBixTiO3/p+-Si 铋掺杂 阻变特性 阻变存储器(rram)

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忆阻器材料的研究进展 被引量：4

14

作者 曲翔 徐文婷 +3 位作者 肖清华 刘斌 闫志瑞 周旗钢 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期31-35,共5页

忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型;综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如... 忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型;综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物、二元金属氧化物等;阐述了忆阻器的重要意义及面临的巨大挑战,提出了未来该领域需要加强研究的若干问题。 展开更多

关键词 忆阻器 薄膜材料 阻变机制 电激励

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一种基于阻变单元特性的阻变存储器修复方案

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作者 李萌 陈刚 林殷茵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期150-153,163,共5页

针对新型阻变存储器(RRAM)工艺良率不高的问题,提出了一种新型的修复解决方案,该方案基于阻变单元的特殊性能,即初始状态为高阻,经过单元初始化操作过程后转变为低阻。利用这样特性的阻变单元作为错误检测位、冗余单元作为修复位,提出... 针对新型阻变存储器(RRAM)工艺良率不高的问题,提出了一种新型的修复解决方案,该方案基于阻变单元的特殊性能,即初始状态为高阻,经过单元初始化操作过程后转变为低阻。利用这样特性的阻变单元作为错误检测位、冗余单元作为修复位,提出了三种不同的组织结构来实现修复操作。三种结构由于主存储器、检验位存储器及冗余存储器的组织方式不同,达到了不同的冗余存储器利用率。最后,通过数学分析可以证明,该方案在利用了较少冗余存储器的条件下,可以将阻变存储器的错误率普遍降低10～30倍,实现了较好的修复效果。 展开更多

关键词 阻变存储器(rram) 位修复 良率 阵列冗余 单元初始化

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Cu12Sb4S13量子点的光照增强阻变性能

16

作者 王志青 陈彬彬 +4 位作者 沈杰 陈文 刘曰利 龚少康 周静 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期1908-1916,共9页

采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12Sb4S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.4... 采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12Sb4S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.42 V的低工作电压和105的高阻变开关比,并表现出优异的数据保持性和耐久性.在持续工作1.4×106s和经过104次快速读取后,器件阻变性能变化率小于0.1%.在光照和电场共同作用下,S2-导电通道的形成与破坏和FTO/CAS QDs界面肖特基势垒高度的调制是FTO/CAS QDs/Au在高阻态与低阻态之间转变的原因. 展开更多

关键词 光照 全无机Cu12Sb4S13量子点 阻变性能 阻变存储器

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不同工艺下操作算法对阻变存储器可靠性的影响

17

作者 王博 杨建国 林殷茵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期769-773,788,共6页

通过测试不同工艺条件下的导电丝形成算法与低阻阻值分布、烘烤失效率等的关系,研究了阻变存储器(RRAM)单元导电细丝形成过程对可靠性的影响,进一步对导电细丝形成过程的模型进行了优化。实验表明,随着脉宽的增大,操作电压幅值降低、成... 通过测试不同工艺条件下的导电丝形成算法与低阻阻值分布、烘烤失效率等的关系,研究了阻变存储器(RRAM)单元导电细丝形成过程对可靠性的影响,进一步对导电细丝形成过程的模型进行了优化。实验表明,随着脉宽的增大,操作电压幅值降低、成功率提高、烘烤失效率降低,进一步增加脉宽,烘烤失效率大大增加。通过比较不同工艺,发现在烘烤失效率降低时的脉宽条件(1 ms)下,氧化时间短、氧化功率大并且无退火条件的失效率高;而在烘烤失效率增加时的脉宽条件(10 ms)下,氧化时间短、氧化功率大并且无退火条件的失效率低。研究结果为设计RRAM单元操作算法提供了优化方向,同时通过对不同条件下RRAM单元可靠性的比较,优化了工艺配方。 展开更多

关键词 氧化铝/氧化钨 阻变存储器(rram) 形成算法 可靠性 阻变机制 工艺优化

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Cu_xSi_yO阻变存储器单粒子和总剂量辐照效应

18

作者 周晓羽 薛晓勇 +1 位作者 杨建国 林殷茵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期464-467,共4页

对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验。总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 k Gy(Si O2)的60Coγ射线辐射。样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象。单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵... 对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验。总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 k Gy(Si O2)的60Coγ射线辐射。样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象。单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵列样品分别接受线性能量转移(LET)值最高达75 Me V的4种离子束的辐射。样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象。除一组无翻转外,存储单元的高阻到低阻的翻转率皆在0.06%左右。实验结果证实了RRAM中已经形成的导电通道不会受辐照影响,因此不存在低阻翻转为高阻的现象。 展开更多

关键词 阻变存储器(rram) 抗辐照 总剂量效应(TID) 单粒子效应(SEE) 地面辐照实验

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氮氧化铝的原子层沉积制备及其阻变性能研究

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作者 刘宇 余珏 +5 位作者 黄巍 李俊 汪建元 徐剑芳 李成 陈松岩 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期886-890,共5页

以等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)技术生长氮氧化铝(AlNxOy)薄膜,磁控溅射Ag上电极制备结构为Ag/AlNxOy/Pt的阻变存储器(RRAM).器件呈现双极性阻变特性,正向开启电压稳定且分布窄,变化幅度集中在0.5V的范围内.高阻态和低阻态电阻之比超... 以等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)技术生长氮氧化铝(AlNxOy)薄膜,磁控溅射Ag上电极制备结构为Ag/AlNxOy/Pt的阻变存储器(RRAM).器件呈现双极性阻变特性,正向开启电压稳定且分布窄,变化幅度集中在0.5V的范围内.高阻态和低阻态电阻之比超过103,并具有免激活特性.低温测试表明,器件的低阻态电阻和温度正相关,说明了阻变的机制为银导电细丝的形成和断裂. 展开更多

关键词 原子层沉积 AlNxOy薄膜 阻变存储器 双极型

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三维阻变存储器的研究进展

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作者 高代法 王晓荃 +2 位作者 王悦 尹家宇 陈铖颖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第3期179-187,194,共10页

在我国信息产业高速发展的今天,传统存储器难以满足目前的数据存储需求,亟需发展新一代高性能存储器。阻变存储器(RRAM)因其具有结构简单、功耗低、集成密度高、读/写速度快等优势,被认为是最具发展潜力的新兴存储器之一。综述了三维RRA... 在我国信息产业高速发展的今天,传统存储器难以满足目前的数据存储需求,亟需发展新一代高性能存储器。阻变存储器(RRAM)因其具有结构简单、功耗低、集成密度高、读/写速度快等优势,被认为是最具发展潜力的新兴存储器之一。综述了三维RRAM的发展现状,分析了现阶段三维RRAM面临的漏电流、热串扰、均一性、可靠性等问题,重点探讨了针对以上问题的解决方案,并对于RRAM未来的应用前景进行了分析和预测,认为其在替代传统存储器、神经网络计算、芯片加密防护等方面有重要的应用前景。 展开更多

关键词 三维阻变存储器(3D-rram) 漏电流 热串扰 均一性 可靠性

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