ZnO∶Al透明导电薄膜的研制 被引量：12

1

作者 应春 沈杰 +2 位作者 陈华仙 杨锡良 章壮健 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第2期125-129,共5页

介绍用直流平面磁控溅射方法制备掺铝的氧化锌透明导电薄膜并研究了其特性，阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景，并讨论了氧化锌掺铝薄膜的优点。介绍了ZnO∶Al薄膜的制备情况：靶的制备及薄膜的制备过程。测量... 介绍用直流平面磁控溅射方法制备掺铝的氧化锌透明导电薄膜并研究了其特性，阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景，并讨论了氧化锌掺铝薄膜的优点。介绍了ZnO∶Al薄膜的制备情况：靶的制备及薄膜的制备过程。测量了薄膜的光电特性，包括透射比、折射率、消光系数、方块电阻、电阻率、载流子浓度和迁移率等参数，并分析了各种实验条件对薄膜性能的影响。 展开更多

关键词 掺铝 氧化锌 薄膜 反应磁控溅射 透明 导电

在线阅读 下载PDF 职称材料

ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响 被引量：15

2

作者 李林娜 薛俊明 +3 位作者 赵亚洲 李养贤 耿新华 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期147-150,共4页

氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载... 氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响。实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10^(-4)Ω.cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×10^(20)cm^(-3)和66.4cm2v^(-1)s^(-1)。将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm^(2),开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193%。 展开更多

关键词 ITO薄膜 电阻蒸发法 载流子浓度 霍尔迁移率

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶Er2O3高k栅介质薄膜的制备及结构特性研究 被引量：7

3

作者 方泽波 谭永胜 +2 位作者 朱燕艳 陈圣 蒋最敏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期357-360,共4页

采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且... 采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er_2O_3薄膜获得了平整的表面.电容一电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10^(-4)A/cm^2.这些特征表明非晶Er_2O_3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料. 展开更多

关键词 高K栅介质 Er2O3薄膜 反应蒸发

在线阅读 下载PDF 职称材料

制备工艺条件对HfO_2薄膜结构和性能的影响 被引量：8

4

作者 刘伟 苏小平 +3 位作者 张树玉 郝鹏 王宏斌 刘嘉禾 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期159-163,共5页

用电子束蒸发、离子束辅助、反应磁控溅射三种方法在石英衬底上制备了氧化铪薄膜。利用掠角X射线衍射和扫描电镜分析了不同制备工艺条件下氧化铪薄膜的晶体结构和显微结构,用紫外-可见分光光度计、椭偏仪、和纳米硬度计分别测试了不同... 用电子束蒸发、离子束辅助、反应磁控溅射三种方法在石英衬底上制备了氧化铪薄膜。利用掠角X射线衍射和扫描电镜分析了不同制备工艺条件下氧化铪薄膜的晶体结构和显微结构,用紫外-可见分光光度计、椭偏仪、和纳米硬度计分别测试了不同制备工艺条件下氧化铪薄膜的可见透射光谱、光学常数和硬度。结果表明薄膜的晶体结构、显微结构、光学性能和硬度等都与制备工艺有着密切的关系,电子束蒸发制备的薄膜为非晶相,而离子束辅助和反应磁控溅射制备的薄膜为多晶相,三种方法制备的氧化铪薄膜都为柱状结构,电子束蒸发和离子束辅助制备的薄膜色散严重,但反应磁控溅射制备的薄膜吸收较大,反应磁控溅射制备薄膜的硬度远大于电子束蒸发和离子束辅助制备薄膜的硬度。并分别用薄膜成核长大热力学原理和薄膜结构区域模型解释了不同工艺条件下氧化铪薄膜晶体结构和显微结构不同的原因。 展开更多

关键词 氧化铪薄膜 电子束蒸发 离子束辅助 反应磁控溅射 光学性能

在线阅读 下载PDF 职称材料

Si(111)衬底上生长的立方Mg_xZn_(1-x)晶体薄膜 被引量：4

5

作者 邱东江 吴惠桢 +1 位作者 陈奶波 田维坚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1385-1388,共4页

在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了Mg_xZn(1-x)O晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方Mg_xZn(... 在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了Mg_xZn(1-x)O晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方Mg_xZn(1-x)O薄膜,温度过高时得到多晶薄膜.对高度(200)取向的立方Mg_xZn(1-x)O薄膜的光荧光激发谱(PLE)分析表明其光学带隙为4.20eV,相对于MgO的带隙红移量为3.50eV.XRD分析还表明立方Mg_xZn(1-x)O薄膜与MgO衬底之间的晶格失配仅为0.16％.这使得高质量立方Mg_xZn(1-x)O/MgO多量子阱材料的制备成为可能. 展开更多

关键词 电子束反应蒸镀 立方MgxZn1-xO薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

波长1064nm脉冲激光高阈值反射膜的研制 被引量：13

6

作者 付雄鹰 孔明东 +1 位作者 胡建平 范正修 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期413-417,共5页

研究 Ｈｆ Ｏ２／ Ｓｉ Ｏ２ 高反射膜的制备工艺及其激光诱导损伤阈值的比较测试，分别采用了反应蒸镀 Ｈｆ Ｏ２、反应离子辅助蒸镀 Ｈｆ Ｏ２、反应离子辅助蒸镀金属 Ｈｆ 的源材料形成 Ｈｆ Ｏ２ 薄膜。采用这三种工艺制备了 Ｈ... 研究 Ｈｆ Ｏ２／ Ｓｉ Ｏ２ 高反射膜的制备工艺及其激光诱导损伤阈值的比较测试，分别采用了反应蒸镀 Ｈｆ Ｏ２、反应离子辅助蒸镀 Ｈｆ Ｏ２、反应离子辅助蒸镀金属 Ｈｆ 的源材料形成 Ｈｆ Ｏ２ 薄膜。采用这三种工艺制备了 Ｈｆ Ｏ２ ／ Ｓｉ Ｏ２ 高反射膜，在中心波长 １０６４ｎｍ 处，反射率 Ｒ≥９９．５％ ，其中反应蒸镀 Ｈｆ Ｏ２ ／ Ｓｉ Ｏ２ 高反射膜损伤阈值最高，可达 ６０ Ｊ／ｃｍ ２（１０６４ｎｍ ，５ｎｓ）。 展开更多

关键词 反射膜 激光诱导损伤 阈值 激光薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

新型透明导电薄膜In_2O_3∶Mo 被引量：9

7

作者 孟扬 杨锡良 +4 位作者 陈华仙 沈杰 蒋益明 章壮健 华中一 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期331-335,共5页

MoO3的饱和蒸气压较高 ,可以直接用热反应蒸发法制备In2 O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明 ,IMO薄膜中的Mo是以Mo6+ 离子形式取代了In2 O3 晶格中的In3+ 离子而存在的 ,没有形成新的化合物 ,也没有改变In2 O3 的体心立方... MoO3的饱和蒸气压较高 ,可以直接用热反应蒸发法制备In2 O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明 ,IMO薄膜中的Mo是以Mo6+ 离子形式取代了In2 O3 晶格中的In3+ 离子而存在的 ,没有形成新的化合物 ,也没有改变In2 O3 的体心立方晶格结构。在不进行退火、放电等工艺处理的情况下 ,用常规的反应蒸发法 ,在约 35 0℃ ,1 2mm厚的载玻片上制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射比 (含玻璃基底 )可超过 0 80 ,同时电阻率可以低至 1 7× 10 -4 Ωcm。 展开更多

关键词 透明导电薄膜 掺钼氧化铟 反应蒸发 电导率

在线阅读 下载PDF 职称材料

离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响 被引量：3

8

作者 申林 田俊林 +1 位作者 刘志国 熊胜明 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期118-122,共5页

基于Leybold APS1104镀膜系统，采用离子束辅助反应沉积技术，以金属Hf粒为初始镀膜材料，APS源偏转电压为50～140V范围内，在[-100]单晶硅片和紫外石英（JGS1）基板上制备了HfO2单层膜。分别利用Lambda900分光光度计、X射线光电子能谱... 基于Leybold APS1104镀膜系统，采用离子束辅助反应沉积技术，以金属Hf粒为初始镀膜材料，APS源偏转电压为50～140V范围内，在[-100]单晶硅片和紫外石英（JGS1）基板上制备了HfO2单层膜。分别利用Lambda900分光光度计、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对HfO2薄膜的光谱性能、表面及纵向化学成分、晶相结构以及表面粗糙度进行了分析。结果表明：当APS源偏转电压在120～140V及50～90V两个范围内变化时，HfO2薄膜的紫外短波光学损耗随着偏转电压的降低而减小，而为nO～90V时紫外短波光学损耗对偏转电压的变化不敏感；偏转电压在50～140V的范围内时，制备的HfO2薄膜表面及纵向化学成分无明显变化；当偏转电压为100V时，HfO2薄膜晶粒尺寸及表面粗糙度分别达到最大值26．2nm及5．79nm，其后，随着偏转电压的降低，二者均逐渐减小。 展开更多

关键词 薄膜 离子束辅助 反应沉积 偏转电压 HFO2 光学损耗

在线阅读 下载PDF 职称材料

反应蒸发制备的TiN薄膜特性研究 被引量：1

9

作者 高玉芝 张录 张利春 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期261-268,共8页

本文利用反应蒸发方法在NH_3气氛中淀积了TiN薄膜。俄歇电子谱(AES)、X射线衍射技术和电特性测量等方法分别用来分析了在不同NH_3气压和不同衬底温度条件下所淀积的TiN薄膜的组分、晶体结构和电特性。Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分... 本文利用反应蒸发方法在NH_3气氛中淀积了TiN薄膜。俄歇电子谱(AES)、X射线衍射技术和电特性测量等方法分别用来分析了在不同NH_3气压和不同衬底温度条件下所淀积的TiN薄膜的组分、晶体结构和电特性。Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟退火,卢瑟福背散射研究结果表明,TiN是一种有效的扩散势垒材料。 展开更多

关键词 反应蒸发 氮化钛 薄膜 扩散势垒

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnO:Ag薄膜的生长及电学性质研究 被引量：1

10

作者 隋成华 徐天宁 +3 位作者 郑东 蔡霞 夏娟 原子健 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第4期702-705,共4页

p-型ZnO材料因在紫外光电器件方面的潜在应用价值而受到人们的广泛关注。采用反应电子束蒸发法在白宝石上生长了ZnO：Ag薄膜,生长温度范围从150~250°C。研究表明：在该温度范围生长的ZnO：Ag薄膜具有n-型导电特征,但通过退火可以实... p-型ZnO材料因在紫外光电器件方面的潜在应用价值而受到人们的广泛关注。采用反应电子束蒸发法在白宝石上生长了ZnO：Ag薄膜,生长温度范围从150~250°C。研究表明：在该温度范围生长的ZnO：Ag薄膜具有n-型导电特征,但通过退火可以实现p-型导电。当退火温度为300°C时,ZnO：Ag薄膜的空穴浓度为2.8×1016 cm-3,电阻率为1.0 kΩ.cm,空穴的迁移率为0.22 cm2/V.s。当在350°C下进一步退火,薄膜仍为p-型导电,但空穴浓度减小为2.1×1015 cm-3,电阻率增大到5.0 kΩ.cm。通过对ZnO：Ag薄膜的X射线衍射谱分析发现,ZnO：Ag电学性质的变化与薄膜中Ag＋替代Zn2＋的浓度有关。 展开更多

关键词 p-型导电 ZNO薄膜 AG2O 反应电子束蒸发

在线阅读 下载PDF 职称材料

单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究 被引量：10

11

作者 艾万君 熊胜明 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期134-140,共7页

利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层HfO2薄膜,对薄膜样品的晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究。实验结果表明,薄膜特性与制备工艺有着密切的关系。电子束蒸发和离子束反应溅射制... 利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层HfO2薄膜,对薄膜样品的晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究。实验结果表明,薄膜特性与制备工艺有着密切的关系。电子束蒸发和离子束反应溅射制备的薄膜为非晶结构,而离子束辅助制备的薄膜为多晶结构。电子束蒸发制备的薄膜折射率较低,薄膜比较疏松,表面粗糙度较小,吸收相对较小,而离子束辅助以及离子束反应溅射制备的薄膜折射率较高,薄膜的结构比较致密,但表面粗糙度较大,吸收相对较大。不同制备工艺条件下薄膜的光学能隙范围为5.30～5.43eV,对应的吸收边的范围为228.4～234.0nm。 展开更多

关键词 电子束蒸发 离子束辅助沉积 离子束反应溅射 HFO2薄膜 薄膜特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

沉积温度对反应电子束蒸发TiO_2薄膜结构和光学性能的影响 被引量：1

12

作者 杨陈 樊慧庆 惠迎雪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z2期175-178,共4页

TiO_2具有较高的折射率,在光学方面有着广泛的应用。文中采用等离子辅助反应电子束真空蒸镀法,以 Ti 为膜料、纯度为99.99%的 O_2为反应气体,在玻璃衬底上制备了 TiO_2薄膜。使用 XRD、OM、SEM 分别对50℃、150℃、300℃三个不同沉积温... TiO_2具有较高的折射率,在光学方面有着广泛的应用。文中采用等离子辅助反应电子束真空蒸镀法,以 Ti 为膜料、纯度为99.99%的 O_2为反应气体,在玻璃衬底上制备了 TiO_2薄膜。使用 XRD、OM、SEM 分别对50℃、150℃、300℃三个不同沉积温度下制备的薄膜及其经过450℃真空退火1h 后的结构进行了分析,并对薄膜的折射率进行测量。实验结果表明,提高沉积温度可以增加成膜原子的能量及其在衬底上的扩散能力,使沉积的薄膜结构平整致密,具有较高的折射率。 展开更多

关键词 TIO2薄膜 电子束蒸发 沉积温度 薄膜结构 光学性质

在线阅读 下载PDF 职称材料

反应热压法制备BN—A1N—TiB_2导电复相陶瓷(BAT瓷) 被引量：7

13

作者 张国军 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期8-12,共5页

本文探讨了采用反应热压法制造BAT瓷的配方设计、工艺问题及显微结构形成过程,指出在BAT瓷相组成中,BN的作用是提供材料足够的可帆械加工性和抗热震性,但其耐熔铝腐蚀性较差,所以含量要尽量低;AIN的作用是提高材料的耐熔铝腐蚀性,其含... 本文探讨了采用反应热压法制造BAT瓷的配方设计、工艺问题及显微结构形成过程,指出在BAT瓷相组成中,BN的作用是提供材料足够的可帆械加工性和抗热震性,但其耐熔铝腐蚀性较差,所以含量要尽量低;AIN的作用是提高材料的耐熔铝腐蚀性,其含量提高是有益的;TiB_2的作用是保证材料具有合适的电阻率。还指出要获得具有优良耐熔铝腐蚀性的BAT瓷,各相的晶粒结晶完整、均匀、粒径较粗以及低的气孔率是有益的。 展开更多

关键词 氮化硼 氮化铝 二硼化钛 复相陶瓷

在线阅读 下载PDF 职称材料

反应蒸发制备nmSi-SiO_x发光薄膜

14

作者 张仕国 樊瑞新 +2 位作者 邓晓清 袁骏 陈伟 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 1999年第5期331-335,共5页

报道了用真空反应蒸发制备nmSi/SiOx 薄膜 ,制备出含有不同纳米尺寸硅颗粒的薄膜 ,研究了不同条件下得到的nmSi SiOx 薄膜的结构和组分。实验发现以SiO为蒸发源制备的薄膜能够实现光致发光。初步分析nmSi SiOx 薄膜发光机制可能是由纳... 报道了用真空反应蒸发制备nmSi/SiOx 薄膜 ,制备出含有不同纳米尺寸硅颗粒的薄膜 ,研究了不同条件下得到的nmSi SiOx 薄膜的结构和组分。实验发现以SiO为蒸发源制备的薄膜能够实现光致发光。初步分析nmSi SiOx 薄膜发光机制可能是由纳米硅量子效应引起的 ,界面效应和缺陷对薄膜PL可能没有贡献 。 展开更多

关键词 反应蒸发 发光 薄膜 纳米硅 氧化硅

在线阅读 下载PDF 职称材料

过渡层ZrO_2对不同沉积厚度TiO_2薄膜结构的影响

15

作者 杜玉军 杨陈 惠迎雪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期146-147,共2页

TiO2作为高介电常数材料已被广泛研究。为了防止TiO2与Si基底发生反应,在Si与TiO2之间加入与TiO2结构相似热稳定性好的ZrO2作为过渡层。改变TiO2薄膜厚度,并在900℃对薄膜进行1h退火处理。通过XRD分析显示,随着TiO2厚度减小,各衍射峰强... TiO2作为高介电常数材料已被广泛研究。为了防止TiO2与Si基底发生反应,在Si与TiO2之间加入与TiO2结构相似热稳定性好的ZrO2作为过渡层。改变TiO2薄膜厚度,并在900℃对薄膜进行1h退火处理。通过XRD分析显示,随着TiO2厚度减小,各衍射峰强度逐渐降低,但各峰位及其相对强度无明显变化。通过SEM可以发现,热处理前各薄膜均无裂纹和孔洞。热处理后,TiO2厚度为150nm及80nm的薄膜平整光滑无裂纹孔洞,晶粒排列致密晶界清晰,当TiO2厚度降为30nm时,薄膜仍平整光滑,只在晶界上出现因热处理而产生的缩孔。 展开更多

关键词 TIO2薄膜 ZrO2过渡层 电子束蒸发 薄膜厚度 薄膜结构

在线阅读 下载PDF 职称材料

反应蒸发沉积的纳米硅氧化硅薄膜的发光及其氧的存在形态

16

作者 樊瑞新 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期103-107,共5页

通过改变蒸发源、衬底温度和氧的流量 ,用反应蒸发法制备了不同晶粒尺寸的Si/SiOx 薄膜。用X射线衍射、X光电子能谱和红外光谱分别测试了薄膜的结构、组分及氧在薄膜中的存在形态。实验发现氧的存在形态与蒸发条件密切相关 :对以硅为蒸... 通过改变蒸发源、衬底温度和氧的流量 ,用反应蒸发法制备了不同晶粒尺寸的Si/SiOx 薄膜。用X射线衍射、X光电子能谱和红外光谱分别测试了薄膜的结构、组分及氧在薄膜中的存在形态。实验发现氧的存在形态与蒸发条件密切相关 :对以硅为蒸发源的样品 ,衬底温度较低时 ,以间隙氧形态存在。随着衬底温度的升高 ,SiOx 量逐渐增多 ,间隙氧逐渐减少 ,72 0℃以上产生SiO2 。氧流量的增加有利于间隙氧的生成和氧含量的增加 ;对以SiO为蒸发源的样品 ,衬底温度较低时 ,主要以间隙氧的形态存在 ,同时存在SiO2 和SiOx。随着衬底温度的升高 ,有利于SiOx 和SiO2 的增加。 80 0℃退火后 ,SiOx 增多 ,同时产生大量SiO2 白硅石。荧光光谱表明 :薄膜的发光跟氧的存在形态密切相关 ,其可能原因是纳米硅被大量宽禁带的SiO2 或SiOx基体包裹所产生的量子效应。 展开更多

关键词 纳米硅-氧化硅 光致发光 薄膜 硅材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

反应冷凝和蒸发模型及其在反应精馏中的应用 被引量：1

17

作者 叶建初 郑艳梅 沙勇 《化学工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期163-166,176,共5页

为考察反应精馏过程中反应和分离间的耦合现象,建立了连续反应冷凝和反应蒸发模型。通过利用该模型对甲基叔戊基醚(TAME)合成反应精馏过程,考察了惰性组分的存在与不存在2种情况下,不同反应强度Da数对该过程的影响。指出了该反应精馏过... 为考察反应精馏过程中反应和分离间的耦合现象,建立了连续反应冷凝和反应蒸发模型。通过利用该模型对甲基叔戊基醚(TAME)合成反应精馏过程,考察了惰性组分的存在与不存在2种情况下,不同反应强度Da数对该过程的影响。指出了该反应精馏过程合理的塔结构形式、合适的反应强度范围、甲醇的过量程度以及产物组成状况。 展开更多

关键词 反应精馏 反应冷凝 反应蒸发 反应强度

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅(001)衬底上生长的ZnO薄膜的AFM研究 被引量：2

18

作者 章建隽 杨爱龄 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期39-42,共4页

对采用电子束反应蒸镀方法在低温下在硅 (0 0 1)衬底上外延生长的ZnO薄膜的表面构像进行了原子力显微镜 (AFM)观察 ,分析研究不同的衬底温度对薄膜表面形貌及结构特性的影响。在 2 5 0℃衬底温度下获得的ZnO薄膜 ,膜表面平整 ,结构致密 ... 对采用电子束反应蒸镀方法在低温下在硅 (0 0 1)衬底上外延生长的ZnO薄膜的表面构像进行了原子力显微镜 (AFM)观察 ,分析研究不同的衬底温度对薄膜表面形貌及结构特性的影响。在 2 5 0℃衬底温度下获得的ZnO薄膜 ,膜表面平整 ,结构致密 ,表面平均不平整度小于 3nm ,说明在该衬底温度下获得的ZnO薄膜是高透明度、高质量。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 原子力显微镜 AFM 电子束反应蒸镀 氧化锌 硅(001) 表面形貌 结构特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

纳米结构Si表面增强拉曼散射特性研究

19

作者 崔绍晖 符庭钊 +2 位作者 王欢 夏洋 李超波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期481-487,共7页

为了实现低成本高灵敏度的表面增强拉曼散射效应,制备了一种基于硅表面纳米结构的表面增强拉曼散射效应(SERS)衬底。首先利用低能反应离子注入的方法对单晶硅进行表面处理,制作高陡值度的墙壁结构。然后采用电子束蒸发的方式在硅片表面... 为了实现低成本高灵敏度的表面增强拉曼散射效应,制备了一种基于硅表面纳米结构的表面增强拉曼散射效应(SERS)衬底。首先利用低能反应离子注入的方法对单晶硅进行表面处理,制作高陡值度的墙壁结构。然后采用电子束蒸发的方式在硅片表面蒸镀银膜,高密度的银纳米点阵列出现在侧壁表面,形成大量的热点。实验采用罗丹明6G(R6G)作为探针分子进行表征,发现获得最强拉曼信号的银膜厚度为40 nm,R6G的探测极限能达到10^(-14)mol/L;同时分析衬底的重复性和稳定性,发现在614 cm^(-1)和1 650 cm^(-1)处的拉曼信号特征峰的相对标准偏差分别达到12.3%和14.3%,保存一个月的衬底测得的拉曼信号强度保持不变。本研究提供了一种操作简单、成本低的制备高灵敏度增强拉曼效应衬底的方法,制备的衬底具有高信号可重复性和高稳定性的优点。 展开更多

关键词 表面增强拉曼散射效应 反应离子注入 银纳米点 电子束蒸发 低成本

在线阅读 下载PDF 职称材料

废旧MoSi_(2)回收产物烧结制备Fe_(2)(MoO_(4))_(3)的组织形貌和性能

20

作者 孔歌 蔡小平 冯培忠 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期255-263,共9页

采用热蒸发法回收废旧MoSi_(2)氧化煅烧产物MoO_(3),以回收MoO_(3)粉末与Fe_(2)O_(3)为原料,经反应烧结制备Fe_(2)(MoO_(4))_(3)。讨论了MoSi_(2)完全氧化所需的时间和温度,并研究了Fe_(2)(MoO_(4))_(3)材料的组织形貌、线收缩率、体积... 采用热蒸发法回收废旧MoSi_(2)氧化煅烧产物MoO_(3),以回收MoO_(3)粉末与Fe_(2)O_(3)为原料,经反应烧结制备Fe_(2)(MoO_(4))_(3)。讨论了MoSi_(2)完全氧化所需的时间和温度,并研究了Fe_(2)(MoO_(4))_(3)材料的组织形貌、线收缩率、体积密度和光谱学性能。结果表明:废旧MoSi_(2)材料粉末经500℃煅烧120 min以上时间即可完全氧化。在MoO_(3)与Fe_(2)O_(3)反应烧结过程中,烧结温度越高,MoO_(3)与Fe_(2)O_(3)反应越完全,所制备的Fe_(2)(MoO_(4))_(3)材料空隙随之增多,线收缩率升高,体积密度降低。与纯Fe_(2)(MoO_(4))_(3)材料相比,Fe_(2)(MoO_(4))_(3)和MoO_(3)复合相的光生电子–空穴对更不易复合,理论光催化活性更高。以亚甲基蓝为染料,纯Fe_(2)(MoO_(4))_(3)对其具有良好的吸附性能,而Fe_(2)(MoO_(4))_(3)和MoO_(3)复合相则表现出优异的光催化性能,且Fe_(2)(MoO_(4))_(3)和MoO_(3)复合相的光催化降解循环稳定性最好。 展开更多

关键词 废旧MoSi_(2)回收 热蒸发 反应烧结 显微组织 光催化降解

在线阅读 下载PDF 职称材料