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Application of Reaction-Bonded Silicon Carbide in Manufacturing of Spacecraft Combustion Chamber
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作者 CHEN Ming-he, GAO Lin, ZHOU Jian-hua, WANG Min (College of Mechanical and Electrical Engineering, Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, Nanjing 210016, China) 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第S1期2-,共1页
Silicon carbide (SiC) ceramics is a good structural ceramics material, which have a lot of excellent properties such as superior high-temperature strength up to a temperature of 1 350 ℃, chemical stability, good resi... Silicon carbide (SiC) ceramics is a good structural ceramics material, which have a lot of excellent properties such as superior high-temperature strength up to a temperature of 1 350 ℃, chemical stability, good resistance to thermal shock and high abrasion resistance. The silicon carbide ceramics material has so far been used widely for manufacturing various components such as heat exchangers, rolls, rockets combustion chamber. Sintering of ceramics structural parts have many technological method, the reaction-bonded is one of important sintering technology of ceramics structural parts. The preparation of reaction-bonded silicon carbide (RBSC) is based on a reaction sintering process, whereby a compacted body of α-SiC and carbon (graphite) powders is heated in contact with liquid silicon or gas silicon, which impregnates the body, converting the carbon (graphite) to β-SiC which bonds the original alpha grain. This process is characterized by low temperature and a short time sintering, and being appropriate to the preparation of large size and complex-shaped components, and so on. Besides, during compacting process of reaction sintering, it can maintain a stable dimension of ceramics parts. Therefore, the method of reaction-bonded silicon carbide ceramics has been identified as a technology suitable for producing complicated and highly exact dimensions’ ceramics parts. In this paper, the method of reaction-bonded silicon carbide was applied to the manufacturing of a complex-shaped spacecraft combustion chamber of SiC ceramics. SiC and carbon powder of 4~30 μm were chosen as the raw materials, green compacts containing appropriate wt.% carbon were formed using the mold press method, sintering was performed in a graphite electric furnace under an argon atmosphere. It was introduced in detail that the technological parameters and technological flow of reaction sintering silicon carbide ceramics. At the same time, physical and mechanical experiments such as bending strength, coefficient of thermal expansion, coefficient of thermal conductivity, gastight property, heat resisting property etc. have been carried out. The results demonstrated that spacecraft combustion chamber made from reaction sintering of silicon carbide ceramics is feasible and the results of experiment is satisfactory. The strength of high-temperature structural parts made by reaction sintered SiC varied with silicon content; Under the this article testing condition, the optimum silicon content is 10.5% for the part investigated. The method of reaction sintered SiC ceramics is suitable for manufacturing of complicated spacecraft parts with a working temperature of 1 500 ℃. 展开更多
关键词 silicon carbide ceramics SPACECRAFT combustion chamber reaction bonded
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硅及硅钼合金常压反应烧结碳化硅基础研究
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作者 曹祥薇 李世建 +6 位作者 赵小康 杨光远 熊枫 杨怡婷 芮茂强 叶菁 邓腾飞 《陶瓷学报》 北大核心 2025年第1期159-166,共8页
对氩气气氛下不同熔体参与反应烧结碳化硅陶瓷进行了系统研究。结果表明:硅熔体对烧结样品的浸润作用及其所导致的物理性能变化对实验温度具有高度敏感性,其中在1530℃时抗折强度为58.6 MPa,而在1570℃时则大幅提升至317.0 MPa。硅与炭... 对氩气气氛下不同熔体参与反应烧结碳化硅陶瓷进行了系统研究。结果表明:硅熔体对烧结样品的浸润作用及其所导致的物理性能变化对实验温度具有高度敏感性,其中在1530℃时抗折强度为58.6 MPa,而在1570℃时则大幅提升至317.0 MPa。硅与炭黑之间的接触角是影响浸润深度的关键因素,而浸润深度与浸润温度呈正相关。硅钼合金浸润烧结样品在1530℃成功烧结,相对密度达到94%以上,这主要归因于钼硅合金较高的极化率,该特性有效降低了接触角。不同样品的物理性能随温度的变化改变不大,相对密度随温度升高最大增幅不超过2%,样品力学性能变化趋势相似。由于MoSi_(2)的偏析以及MoSi_(2)和SiC并不相容,样品的抗折强度和硬度低于在1570℃温度下被Si熔体反应烧结后样品。 展开更多
关键词 反应烧结 碳化硅 保护气氛 浸润 MoSi2合金
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酚醛/环氧树脂凝胶注模成型制备反应烧结碳化硅 被引量:1
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作者 凌厦厦 相宇博 +1 位作者 郑翰 吴吉光 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第4期329-333,共5页
为了探究一种低成本、环保的反应烧结碳化硅材料成型方法,以SiC细粉和微粉、酚醛树脂和环氧树脂为主要原料,四甲基氢氧化铵为分散剂,配制固相质量分数为55%,酚醛树脂质量分数分别为13.5%、18%、22.5%及27%的SiC陶瓷泥浆,采用凝胶注模成... 为了探究一种低成本、环保的反应烧结碳化硅材料成型方法,以SiC细粉和微粉、酚醛树脂和环氧树脂为主要原料,四甲基氢氧化铵为分散剂,配制固相质量分数为55%,酚醛树脂质量分数分别为13.5%、18%、22.5%及27%的SiC陶瓷泥浆,采用凝胶注模成型制成坯体,坯体经固化、800℃保温2 h热处理后,在真空条件下1760℃保温3 h制备反应烧结碳化硅材料。研究了坯体的固化机制及酚醛树脂加入量对试样显微结构、物相组成和物理性能的影响。结果表明:1)坯体固化机制为酚醛/环氧树脂中羟甲基与芳环的邻对位氢发生缩合反应交联,形成了较高强度的结合网络。2)随着酚醛树脂加入量的增加,树脂体系裂解残碳与熔融硅反应,烧后试样的常温抗折强度先增加然后降低。当酚醛树脂加入量为18%(w)时,烧后试样常温抗折强度最高,为79.9 MPa,此时试样的显气孔率和体积密度分别为1.1%、2.88 g·cm^(-3)。 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅 凝胶注模 酚醛树脂 环氧树脂
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以淀粉为填充剂的碳坯渗硅制备反应烧结碳化硅陶瓷 被引量:9
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作者 武七德 鄢永高 +2 位作者 郭兵健 李美娟 刘小磐 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期302-306,共5页
探索了一条高性能RBSC低成本制造的新途径,本研究以石油焦粉为碳质原料制坯,玉米淀粉为填充剂调整碳坯的密度,纯碳素坯经高温渗硅得到密度为3.12g/cm3,强度为580MPa的反应烧结碳化硅陶瓷.研究结果表明掺加淀粉后素坯中含有更多的微孔,... 探索了一条高性能RBSC低成本制造的新途径,本研究以石油焦粉为碳质原料制坯,玉米淀粉为填充剂调整碳坯的密度,纯碳素坯经高温渗硅得到密度为3.12g/cm3,强度为580MPa的反应烧结碳化硅陶瓷.研究结果表明掺加淀粉后素坯中含有更多的微孔,烧结体晶粒平均尺寸为2-4μm,晶粒细化是材料性能比传统RBSC材料高的原因. 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅陶瓷 填充剂 碳坯渗硅 制备方法 显微结构 材料性能
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碳化硅陶瓷和金属铌及不锈钢的扩散接合 被引量:9
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作者 冯吉才 刘玉莉 +2 位作者 张九海 奈贺正明 李学军 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1998年第1期5-7,共3页
研究了碳化硅陶瓷和金属Nb的相反应、显微组织结构和Nb2C、Nb5Si3Cx、NbC及NbSi2的形成过程。分析了反应相对接头强度的影响。试验结果表明,SiC/Nb/SiC、SiC/Nb和SiC/Nb/SUS304接头的剪切强度分别达到了187MPa、100MPa和120MPa。
关键词 扩散接合 界面反应 碳化硅陶瓷 不锈钢
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氮化硅结合碳化硅窑具材料的研制 被引量:13
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作者 王立军 高积强 +1 位作者 王永兰 金志浩 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期4-6,27,共4页
本文研究了最终氮化温度以及硅加入量对氮化硅反应结合碳化硅对材料性能的影响.通过X射线衍射仪对材料进行物相分析,发现反应温度对材料的机械性能起着重要的作用.若温度过低则反应不完全,而温度过高则生成大量β—Si_3N_4,导致强度降低... 本文研究了最终氮化温度以及硅加入量对氮化硅反应结合碳化硅对材料性能的影响.通过X射线衍射仪对材料进行物相分析,发现反应温度对材料的机械性能起着重要的作用.若温度过低则反应不完全,而温度过高则生成大量β—Si_3N_4,导致强度降低.实验结果还表明,随着硅加入量的增加。 展开更多
关键词 耐火材料 碳化硅 氮化硅 窑具
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反应烧结碳化硅的显微组织 被引量:8
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作者 黄清伟 金志浩 +1 位作者 高积强 王永兰 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期89-91,99,共4页
对不同生坯进行硅化处理后得到的反应烧结碳化硅的显微组织进行了研究.结果表明:选用αSiC+C粉的混合物作为生坯,SiC相的体积分数随生坯中wC的增加而增加,但过大的wC将使硅化后的试样出现残碳;选用碳毡作为生坯,反应烧结碳化硅的显微组... 对不同生坯进行硅化处理后得到的反应烧结碳化硅的显微组织进行了研究.结果表明:选用αSiC+C粉的混合物作为生坯,SiC相的体积分数随生坯中wC的增加而增加,但过大的wC将使硅化后的试样出现残碳;选用碳毡作为生坯,反应烧结碳化硅的显微组织特点是C/Si反应生成的碳化硅颗粒均匀细小,并呈线状分布在游离硅中;浸渍过树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗粒粗大且呈不均匀分布.X射线衍射结果也表明,反应烧结碳化硅陶瓷由游离Si、αSiC、βSiC组成。 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅 生坯 显微组织 碳化硅陶瓷
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热处理温度对反应烧结碳化硅材料组织与性能的影响 被引量:11
8
作者 黄清伟 高积强 金志浩 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2000年第1期17-19,共3页
研究了真空热处理温度对反应烧结碳化硅材料显微组织和断裂强度的影响。结果表明 :反应烧结碳化硅中的游离硅在 1 60 0℃、1 80 0℃真空热处理过程中已全部去除 ;经过 1 80 0℃真空热处理材料的强度均高于 1 60 0℃真空热处理材料的强... 研究了真空热处理温度对反应烧结碳化硅材料显微组织和断裂强度的影响。结果表明 :反应烧结碳化硅中的游离硅在 1 60 0℃、1 80 0℃真空热处理过程中已全部去除 ;经过 1 80 0℃真空热处理材料的强度均高于 1 60 0℃真空热处理材料的强度。在 1 80 0℃真空热处理过程中发生的碳化硅再结晶以及气孔形状的变化 ,是其强度较高的主要原因。 展开更多
关键词 碳化硅 反应烧结 热处理 温度 性能 陶瓷
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反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率 被引量:4
9
作者 吕振林 熊流峰 +1 位作者 高积强 金志浩 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期48-51,共4页
研究了反应烧结碳化硅及随后经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0.023Ω·cm).经1650℃和180... 研究了反应烧结碳化硅及随后经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0.023Ω·cm).经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的气孔率增加,密度降低,电阻率增加;经过1800℃除硅处理后,显微组织中还发生了β-SiC向α-SiC的转变. 展开更多
关键词 碳化硅 反应烧结 电阻率 显微组织 气孔率
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三维网络碳化硅多孔陶瓷的制备 被引量:4
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作者 张志金 于晓东 +2 位作者 王扬卫 李凯 栾志强 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期57-61,共5页
以中间相沥青添加55%(质量分数,下同)的Si粉混合物为原料,制备了含Si的炭泡沫模板。在高温反应烧结炉中,氩气气氛下1500℃保温1~6h,结合反应烧结工艺制备了碳化硅多孔陶瓷。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)对碳化硅多... 以中间相沥青添加55%(质量分数,下同)的Si粉混合物为原料,制备了含Si的炭泡沫模板。在高温反应烧结炉中,氩气气氛下1500℃保温1~6h,结合反应烧结工艺制备了碳化硅多孔陶瓷。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)对碳化硅多孔陶瓷的微观形貌、物相组成进行了观察,并对熔融Si与C的反应机理进行了探讨。结果表明:碳化硅多孔陶瓷的微观结构与炭泡沫模板的微观结构一致,烧结温度1500℃下,随着保温时间的延长,多孔陶瓷的弯曲强度先增大后减小,而孔隙率先减小后增大;在保温4h的条件下制备的碳化硅多孔陶瓷主要由β-SiC相组成,最大弯曲强度为26.2MPa,对应的孔隙率为45%。内部熔融的Si与外部熔融的Si同时与C反应生成SiC,最后两者结合在一起形成致密的SiC多孔陶瓷。 展开更多
关键词 多孔陶瓷 碳化硅 炭泡沫 反应烧结
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氧化对反应烧结碳化硅陶瓷断裂强度的影响 被引量:7
11
作者 黄清伟 吕振林 +1 位作者 高积强 金志浩 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期46-49,共4页
研究了在1300℃空气中的高温氧化对反应烧结碳化硅陶瓷室温断裂强度的影响。结果表明:反应烧结碳化硅陶瓷的室温断裂强度随氧化时间增加呈现出先升后降的变化趋势,当氧化225h时,材料的室温断裂强度最高,达334MPa。研究认为,试样表面非晶... 研究了在1300℃空气中的高温氧化对反应烧结碳化硅陶瓷室温断裂强度的影响。结果表明:反应烧结碳化硅陶瓷的室温断裂强度随氧化时间增加呈现出先升后降的变化趋势,当氧化225h时,材料的室温断裂强度最高,达334MPa。研究认为,试样表面非晶态SiO2的晶化以及氧化膜起裂是造成材料室温断裂强度变化的原因。 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅 高温氧化 断裂强度 陶瓷
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酚醛树脂对反应烧结碳化硅显微结构与性能的影响 被引量:6
12
作者 邓明进 武七德 +1 位作者 吉晓莉 王友兵 《耐火材料》 CAS 北大核心 2008年第4期267-270,共4页
以碳化硅(w(SiC)=99%,d50=5μm)、炭黑(w(C)=99.8%,d50=0.38μm)和单质硅(w(Si)=98.6%)为原料,无水乙醇(w(乙醇)=99.6%)、热塑性酚醛树脂(0.074μm、工业级)为结合剂,乌洛脱品为固化剂,以50 MPa的单向压力,分别将采用干混工艺、湿混工... 以碳化硅(w(SiC)=99%,d50=5μm)、炭黑(w(C)=99.8%,d50=0.38μm)和单质硅(w(Si)=98.6%)为原料,无水乙醇(w(乙醇)=99.6%)、热塑性酚醛树脂(0.074μm、工业级)为结合剂,乌洛脱品为固化剂,以50 MPa的单向压力,分别将采用干混工艺、湿混工艺混合、干燥后的物料压制成型为50 mm×5 mm的生坯,在N2保护下经800℃焙烧、炭化处理,有机物热降解后得到陶瓷素坯。研究了酚醛树脂在不同加入量(其质量分数分别为4%、8%、10%、12%、16%)及混练工艺(干混、湿混)对反应烧结碳化硅素坯强度和烧结体显微结构的影响,并采用SEM和光学显微镜分析了试样的显微结构和断面形貌。结果表明:当酚醛树脂加入量为12%时,采用湿混工艺可以制备出具有良好可浸渗性且抗折强度高达45 MPa的素坯,完全可以满足复杂异型件在烧成以前进行机械加工的要求,烧结体的抗折强度最高可达455 MPa。与干混工艺相比,用湿混工艺制成烧结体的显微结构更加均匀,晶粒更加细小,裂纹扩展更加曲折。 展开更多
关键词 反应烧结 碳化硅 酚醛树脂 显微结构
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碳化硅磨削亚表面损伤检测方法 被引量:9
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作者 王健 郑非非 +3 位作者 董志刚 康仁科 刘津廷 郭东明 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2015年第4期60-65,共6页
反应烧结碳化硅(reaction bonded SiC,RBSiC)有着良好的物理和机械性能,在空间光学领域应用广泛。分别采用截面显微法和角度抛光法研究了金刚石砂轮磨削反应烧结碳化硅的亚表面损伤。实验结果表明:应用截面显微法能更直观地反映出损伤... 反应烧结碳化硅(reaction bonded SiC,RBSiC)有着良好的物理和机械性能,在空间光学领域应用广泛。分别采用截面显微法和角度抛光法研究了金刚石砂轮磨削反应烧结碳化硅的亚表面损伤。实验结果表明:应用截面显微法能更直观地反映出损伤的形态和分布特征,角度抛光法测量损伤深度更为精确,亚表面损伤主要以凹坑和微裂纹的形式存在,主要发生在SiC颗粒上,且砂轮粒度对损伤影响很大。 展开更多
关键词 金刚石砂轮 磨削 亚表面损伤
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RB-SiC表面改性Si涂层的制备与性能 被引量:4
14
作者 苑永涛 刘红 +2 位作者 邵传兵 陈益超 方敬忠 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1281-1284,共4页
为了获得高质量光学表面的碳化硅反射镜,利用射频磁控溅射方法,在直径70 mm的RB-SiC基片上沉积了厚约100μm的Si改性涂层,对改性层进行超光滑加工,并对改性层的表面形貌及性能进行了测试。ZYGO表面粗糙度仪测试结果表明,抛光后Si改性涂... 为了获得高质量光学表面的碳化硅反射镜,利用射频磁控溅射方法,在直径70 mm的RB-SiC基片上沉积了厚约100μm的Si改性涂层,对改性层进行超光滑加工,并对改性层的表面形貌及性能进行了测试。ZYGO表面粗糙度仪测试结果表明,抛光后Si改性涂层表面粗糙度均方根值达到了0.496 nm;X射线衍射仪测试显示,制备Si改性涂层为多晶结构;使用拉力机做附着力测试,结果表明膜基附着力大于10.7 MPa。证明采用磁控溅射技术制备的Si改性涂层均匀、致密、附着力好,能够满足RB-SiC材料表面改性要求。 展开更多
关键词 RB-SIC 射频磁控溅射 表面改性 表面粗糙度
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添加碱式碳酸镁对多孔SiC膜支撑体性能的影响 被引量:4
15
作者 罗志勇 韩伟 +2 位作者 刘开琪 敖雯青 于晓杰 《耐火材料》 CAS 北大核心 2019年第3期170-174,共5页
为节约制作成本,降低SiC陶瓷膜支撑体烧结温度,以SiC和ρ-Al2O3为主要原料,采用碱式碳酸镁(BMC,外加质量分数分别为0、0.5%、1%和1.5%)为助烧结剂,于1300~1420℃无压烧结制备出原位反应结合SiC支撑体,并研究了BMC添加量对支撑体性能的... 为节约制作成本,降低SiC陶瓷膜支撑体烧结温度,以SiC和ρ-Al2O3为主要原料,采用碱式碳酸镁(BMC,外加质量分数分别为0、0.5%、1%和1.5%)为助烧结剂,于1300~1420℃无压烧结制备出原位反应结合SiC支撑体,并研究了BMC添加量对支撑体性能的影响。结果表明:添加BMC加剧了SiC表面氧化,使原位反应结合温度降低(<1300℃),促进SiC颗粒间颈部形成,提高了试样的强度;当BMC添加量从0.5%逐渐增加到1.5%,试样在不同温度烧后的显气孔率逐渐降低;BMC助烧剂的最佳添加量为1.0%(w),在1360℃烧后制备的多孔SiC支撑体的常温抗折强度为25.3MPa,是未添加助烧剂的2.7倍,且在1050℃风冷热震5次后,常温抗折强度保持率90%以上,热震后的常温抗折强度19MPa以上,可满足高温烟气净化用膜支撑体的指标要求。 展开更多
关键词 SIC 陶瓷膜 支撑体 碱式碳酸镁 反应结合
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氧化反应结合SiC基陶瓷的制备与性能 被引量:5
16
作者 朱玉梅 吕楠 +2 位作者 靳正国 高超 徐廷献 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2000年第1期30-34,42,共6页
本文采用反应结合制备方法,通过对坯体进行预氧化使SiC颗粒表面氧化形成SiO2,而后在烧成中与添加剂Al2O3-Y2O3反应,使坯体气孔率减少,制备了多孔SiC基陶瓷。文章探讨了坯体中SiC的氧化特征、反应结合过程和相变化以及它们对烧结体... 本文采用反应结合制备方法,通过对坯体进行预氧化使SiC颗粒表面氧化形成SiO2,而后在烧成中与添加剂Al2O3-Y2O3反应,使坯体气孔率减少,制备了多孔SiC基陶瓷。文章探讨了坯体中SiC的氧化特征、反应结合过程和相变化以及它们对烧结体性能的影响。 展开更多
关键词 陶瓷 反应结合 预氧化处理 碳化硅陶瓷
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利用硅切割废砂浆制备Si3N4结合SiC耐火材料 被引量:6
17
作者 孙媛媛 唐惠东 +1 位作者 李龙珠 孙友宝 《耐火材料》 CAS 北大核心 2012年第6期450-451,455,共3页
以光伏企业线切割硅产生的废砂浆(其w(SiC)=25%,w(Si)=60%)为主要原料,加入不同比例的SiC粉(废砂浆与SiC粉的质量比为65∶35~35∶65),加无水乙醇球磨、干燥、加PVA造粒后,以10 MPa压力(保压1 min)成型为55 mm×5 mm×5 mm的坯... 以光伏企业线切割硅产生的废砂浆(其w(SiC)=25%,w(Si)=60%)为主要原料,加入不同比例的SiC粉(废砂浆与SiC粉的质量比为65∶35~35∶65),加无水乙醇球磨、干燥、加PVA造粒后,以10 MPa压力(保压1 min)成型为55 mm×5 mm×5 mm的坯体,在1 450℃氮气气氛中烧结制备了Si3N4结合SiC耐火材料,然后检测其常温抗折强度、显气孔率、体积密度,并进行XRD分析。结果表明:烧后试样的常温抗折强度较高,最高达50.2 MPa,但致密度较低,显气孔率在31.20%~35.64%之间;烧后试样中只有SiC和Si3N4两相,单质Si已完全氮化生成了Si3N4。 展开更多
关键词 Si3N4结合SiC材料 硅切割废砂浆 反应烧结
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碳化硅陶瓷新型反应连接技术 被引量:4
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作者 张舸 赵汝成 赵文兴 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1037-1041,共5页
在碳化硅陶瓷反应连接工艺的基础上研究了一种新型的反应连接工艺,利用该工艺连接了自制的反应烧结碳化硅(RB-SiC)陶瓷。对连接的RB-SiC陶瓷样品表面初步抛光后,测试了焊缝宽度、焊缝处的显微组织结构、连接层的力学性能和高低温实... 在碳化硅陶瓷反应连接工艺的基础上研究了一种新型的反应连接工艺,利用该工艺连接了自制的反应烧结碳化硅(RB-SiC)陶瓷。对连接的RB-SiC陶瓷样品表面初步抛光后,测试了焊缝宽度、焊缝处的显微组织结构、连接层的力学性能和高低温实验后连接层对表面面形的影响。测试结果表明:利用新型反应连接工艺连接的RB-SiC陶瓷的焊缝宽度分布在54~77μm之间;焊缝处的显微组织结构非常均匀,接近基体材料;测试了10个样品的室温抗弯强度,平均值为307MPa,而且断裂都产生在母材上,说明焊缝处力学性能优异;高低温实验后,整块碳化硅陶瓷表面面形无变化,说明连接层的热学性能与母材一致,无残余应力。 展开更多
关键词 反应烧结 碳化硅陶瓷 反应连接工艺
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高密度反应烧结SiC的耐化学腐蚀性能 被引量:2
19
作者 武七德 王友兵 +2 位作者 吉晓莉 叶春燕 郑彩华 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期40-43,共4页
考察了以SiC和碳粉为主要原料制备的不同密度和游离硅含量的反应烧结SiC陶瓷的耐酸碱腐蚀性能,结果表明:游离硅含量及其分布状况是决定SiC陶瓷耐化学腐蚀性能的主要因素。密度为3.16 g/cm3的反应烧结SiC耐化学腐蚀性能显著优于密度为3.0... 考察了以SiC和碳粉为主要原料制备的不同密度和游离硅含量的反应烧结SiC陶瓷的耐酸碱腐蚀性能,结果表明:游离硅含量及其分布状况是决定SiC陶瓷耐化学腐蚀性能的主要因素。密度为3.16 g/cm3的反应烧结SiC耐化学腐蚀性能显著优于密度为3.07 g/cm3的材料。同等密度但含少量游离碳的高密度材料耐腐蚀性能更好,在98℃5%HF/5%HNO3(质量分数)中腐蚀30 h后失重量仅为中等密度材料的1/17.4。混酸腐蚀时反应烧结SiC初始1 h腐蚀量与材料中游离硅的体积含量呈线性关系,其后,高、低密度材料的腐蚀失重量的比值减小。 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅 化学腐蚀 高密度
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化学气相沉积工艺制备碳化硅晶须的研究 被引量:3
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作者 孟凡涛 杜善义 张宇民 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期131-134,138,共5页
在外加热的化学气相沉积(CVD)炉中,以H2为载气,甲基三氯硅烷(MTS)为源气,氩气为稀释气体,在反应烧结碳化硅基底上,采用CVD工艺制备了碳化硅晶须,研究了沉积温度和稀释气体对产物形貌的影响。分别用XRD、SEM分析了沉积物的相组成和形貌。... 在外加热的化学气相沉积(CVD)炉中,以H2为载气,甲基三氯硅烷(MTS)为源气,氩气为稀释气体,在反应烧结碳化硅基底上,采用CVD工艺制备了碳化硅晶须,研究了沉积温度和稀释气体对产物形貌的影响。分别用XRD、SEM分析了沉积物的相组成和形貌。SEM分析结果表明:1100℃时的沉积物完全由晶须组成,1150℃时的沉积物由晶须和部分晶粒组成;1100℃和1150℃相比,沉积温度较高时,晶须的平均直径增大;随着稀释气体的加入,在1100℃时,晶须直径的分布变窄,弯曲缺陷减少,在1150℃时晶须中颗粒沉积物明显减少。XRD分析表明,1100℃下制备的晶须为β-SiC晶须。此外,还进一步对晶须的生长机理和沉积物形貌变化的原因进行了分析。 展开更多
关键词 碳化硅晶须 化学气相沉积 VS机理 反应烧结碳化硅
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