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用中间层为非活性金属FeNi/Cu的Si_3N_4陶瓷与Ni的扩散连接
被引量：
13
1
作者
陈铮
顾晓波
+1 位作者
李国安
方芳
《焊接学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期25-28,共4页
采用非活性金属中间层FeNi/Cu在高、低真空条件下进行了Si3 N4 陶瓷与Ni的扩散连接 ,然后对部分接头进行了热等静压 (HIP)后处理 ,测定了连接接头的四点弯曲强度 ,用扫描电镜 (SEM)、电子探针 (EPMA)和X射线衍射仪 (XRD)对连接界面区域...
采用非活性金属中间层FeNi/Cu在高、低真空条件下进行了Si3 N4 陶瓷与Ni的扩散连接 ,然后对部分接头进行了热等静压 (HIP)后处理 ,测定了连接接头的四点弯曲强度 ,用扫描电镜 (SEM)、电子探针 (EPMA)和X射线衍射仪 (XRD)对连接界面区域进行了分析。结果表明 ,采用非活性金属中间层扩散连接Si3 N4 陶瓷与Ni,在高真空和低真空条件下均能获得高强度连接 ,连接界面处没有形成Ni-Si化合物反应层 ,连接时间对接头强度的影响不明显。上述特征与用活性金属中间层连接时的情况截然不同。本文的连接方法有着重要的工程应用前景。
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关键词
陶瓷-金属连接
扩散连接
中间层
界面反应
连接强度
热等静压
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职称材料
用急冷Al基合金作中间层对Si_3N_4进行扩散焊连接的研究
2
作者
翟阳
任家烈
《航空材料学报》
EI
CAS
CSCD
1993年第4期44-51,共8页
本文研制了急冷及普通Al基中间层材料,并对其性能及其在对Si_3N_4陶瓷进行扩散焊时用作中间层进行了研究。结果表明:Al基中间层经急冷凝固处理后组织细小,成分均匀,硬度高,熔点低。接头的剪切强度试验结果表明:在同一扩散焊工艺条件下,...
本文研制了急冷及普通Al基中间层材料,并对其性能及其在对Si_3N_4陶瓷进行扩散焊时用作中间层进行了研究。结果表明:Al基中间层经急冷凝固处理后组织细小,成分均匀,硬度高,熔点低。接头的剪切强度试验结果表明:在同一扩散焊工艺条件下,急冷中间层接头的剪切强度明显高于普通中间层接头的剪切强度。其中急冷Al-Si-In-Ti-Zn-Mg中间层接头在扩散焊温度为475℃时(保温时间30min,压力为15MPa),强度最高(50MPa)。随着扩散焊温度的提高,接头剪切强度明显下降。断口分析表明:接头均断在界面附近。界面附近的富In相是接头强度的薄弱环节。随着扩散焊温度的提高,富In相尺寸增大,接头强度下降。急冷Al基中间层扩散焊连接Si_3N_4陶瓷的机制是:活性元素Ti向界面扩散富集并与Si_3N_4发生化学反应,生成界面相TiN,同时中间层中的Al也向界面富集并与Si_3N_4发生化学反应,生成AIN界面相。
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关键词
急冷
中间层
扩散焊
连接技术
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职称材料
题名
用中间层为非活性金属FeNi/Cu的Si_3N_4陶瓷与Ni的扩散连接
被引量：
13
1
作者
陈铮
顾晓波
李国安
方芳
机构
华东船舶工业学院
华中科技大学
华南理工大学
出处
《焊接学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期25-28,共4页
基金
华中科技大学塑性成形与模具国家重点实验室开放课题资助项目
文摘
采用非活性金属中间层FeNi/Cu在高、低真空条件下进行了Si3 N4 陶瓷与Ni的扩散连接 ,然后对部分接头进行了热等静压 (HIP)后处理 ,测定了连接接头的四点弯曲强度 ,用扫描电镜 (SEM)、电子探针 (EPMA)和X射线衍射仪 (XRD)对连接界面区域进行了分析。结果表明 ,采用非活性金属中间层扩散连接Si3 N4 陶瓷与Ni,在高真空和低真空条件下均能获得高强度连接 ,连接界面处没有形成Ni-Si化合物反应层 ,连接时间对接头强度的影响不明显。上述特征与用活性金属中间层连接时的情况截然不同。本文的连接方法有着重要的工程应用前景。
关键词
陶瓷-金属连接
扩散连接
中间层
界面反应
连接强度
热等静压
Keywords
ceramic metal
joining
diffusion
bonding
interlayer
non active metal
interfacial reaction
joint strength
hot isotherm press (HIP)
分类号
TG453.9 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
用急冷Al基合金作中间层对Si_3N_4进行扩散焊连接的研究
2
作者
翟阳
任家烈
机构
清华大学焊接教研室
出处
《航空材料学报》
EI
CAS
CSCD
1993年第4期44-51,共8页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文研制了急冷及普通Al基中间层材料,并对其性能及其在对Si_3N_4陶瓷进行扩散焊时用作中间层进行了研究。结果表明:Al基中间层经急冷凝固处理后组织细小,成分均匀,硬度高,熔点低。接头的剪切强度试验结果表明:在同一扩散焊工艺条件下,急冷中间层接头的剪切强度明显高于普通中间层接头的剪切强度。其中急冷Al-Si-In-Ti-Zn-Mg中间层接头在扩散焊温度为475℃时(保温时间30min,压力为15MPa),强度最高(50MPa)。随着扩散焊温度的提高,接头剪切强度明显下降。断口分析表明:接头均断在界面附近。界面附近的富In相是接头强度的薄弱环节。随着扩散焊温度的提高,富In相尺寸增大,接头强度下降。急冷Al基中间层扩散焊连接Si_3N_4陶瓷的机制是:活性元素Ti向界面扩散富集并与Si_3N_4发生化学反应,生成界面相TiN,同时中间层中的Al也向界面富集并与Si_3N_4发生化学反应,生成AIN界面相。
关键词
急冷
中间层
扩散焊
连接技术
Keywords
rapid solidification interlayer diffusion bonding joining
分类号
TG453.9 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用中间层为非活性金属FeNi/Cu的Si_3N_4陶瓷与Ni的扩散连接
陈铮
顾晓波
李国安
方芳
《焊接学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
13
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职称材料
2
用急冷Al基合金作中间层对Si_3N_4进行扩散焊连接的研究
翟阳
任家烈
《航空材料学报》
EI
CAS
CSCD
1993
0
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职称材料
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