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大功率偏振不敏感O波段SOA芯片的制备
1
作者 杜圆圆 林中晞 +1 位作者 吴林福生 苏辉 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第10期139-146,共8页
为应对O波段半导体光放大器(SOA)实现偏振不敏感特性与高增益性能协同优化的挑战,开发了一种基于应变补偿量子阱与渐变脊宽波导结构的新型芯片。张应变量子阱虽可通过价带重构补偿模式增益差异,但会削弱TE主导增益路径,导致整体性能受... 为应对O波段半导体光放大器(SOA)实现偏振不敏感特性与高增益性能协同优化的挑战,开发了一种基于应变补偿量子阱与渐变脊宽波导结构的新型芯片。张应变量子阱虽可通过价带重构补偿模式增益差异,但会削弱TE主导增益路径,导致整体性能受限。为此,文中器件采用五阱四垒InGaAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构,将1310 nm处偏振相关增益(PDG)抑制至1 dB以下;在保证输入/输出光斑椭圆度≥80%的情况下,设计锥形渐变脊宽波导延缓增益饱和效应,使输出功率达22.86 dBm。文中研究通过能带-波导协同设计攻克了SOA偏振敏感性与功率输出的兼容性难题,显著提升了链路光功率余量,延长了传输距离,满足了弱光改造、基站拉远等应用场景的需要。 展开更多
关键词 O波段半导体光放大器 偏振不敏感 大功率 张应变量子阱 渐变式宽波导
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InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响 被引量：3
2
作者 于永芹 黄柏标 +7 位作者 尉吉勇 潘教青 周海龙 齐云 陈文澜 秦晓燕 张晓阳 任忠祥 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期345-349,共5页
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效... 本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因。 展开更多
关键词 InGaAs/AlGaAs量子阱 量子尺寸效应 MOCVD 应变效应 金属有机物化学气相淀积 铟钙砷化合物 铝钙砷
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生长温度和结构参数对InGaAs／GaAs量子阱光学特性的影响 被引量：6
3
作者 贾国治 姚江宏 +2 位作者 舒永春 邢晓东 皮彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期325-329,共5页
研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试,分析表明I... 研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试,分析表明In含量<0.2,生长温度低于560℃时,In含量和InGaAs层量子阱的厚度对In偏析、脱附和In-Ga互混基本没有影响。 展开更多
关键词 应变量子阱 偏析 脱附 光致发光谱
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GaInAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算 被引量：10
4
作者 晏长岭 秦莉 +6 位作者 宁永强 张淑敏 王青 赵路民 刘云 王立军 钟景昌 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期29-31,共3页
讨论了GaInAs/GaAs应变量子阱结构的应变效应 ,给出了量子阱层的临界厚度随In组份的变化关系。由克龙尼克 -潘纳模型计算了GaInAs/GaAs应变量子阱的量子化能级 ,给出了cl -hhl跃迁对应的发射波长随阱宽和In组份的变化关系曲线 ,并与实... 讨论了GaInAs/GaAs应变量子阱结构的应变效应 ,给出了量子阱层的临界厚度随In组份的变化关系。由克龙尼克 -潘纳模型计算了GaInAs/GaAs应变量子阱的量子化能级 ,给出了cl -hhl跃迁对应的发射波长随阱宽和In组份的变化关系曲线 ,并与实验测量的GaInAs/GaAs量子阱的发射波长进行了比较 ,基本一致。与此同时 ,对GaInAs/GaAs应变量子阱向长波长方向的发展也进行了计算分析 。 展开更多
关键词 应变量子阱 量子化能级 跃迁 长波长 色散关系
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852nm半导体激光器量子阱设计与外延生长 被引量：17
5
作者 徐华伟 宁永强 +2 位作者 曾玉刚 张星 秦莉 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期590-597,共8页
设计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,用于解决852nm半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题。基于理论模型,计算并模拟对比了InAlGaAs,InGaAsP,InGaAs和GaAs量子阱的增益及其增益峰值波长随温... 设计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,用于解决852nm半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题。基于理论模型,计算并模拟对比了InAlGaAs,InGaAsP,InGaAs和GaAs量子阱的增益及其增益峰值波长随温度的漂移,结果显示,采用In0.15Al0.11Ga0.74As作为852nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的波长温漂稳定性。使用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)外延生长了In0.15Al0.11Ga0.74As/Al0.3Ga0.7As有源区,通过反射各向异性谱(RAS)在线监测和PL谱研究了InAlGaAs/AlGaAs界面的外延质量,实验证明了通过降低生长温度和在InAlGaAs/AlGaAs界面处使用中断时间,可以有效抑制In析出,从而获得InAlGaAs/AlGaAs陡峭界面。最后,采用优化后的外延生长条件,研制出了InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。实验测试结果显示,其光谱半高宽为1.1nm,斜率效率为0.64W/A,激射波长随温度漂移为0.256nm/K。理论计算结果与实验测试结果相吻合,证明器件性能满足在高温环境下工作的要求。 展开更多
关键词 半导体激光器 应变量子阱 外延生长 波长漂移 反射各向异性谱
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应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用 被引量：7
6
作者 俞波 盖红星 +6 位作者 韩军 邓军 邢艳辉 李建军 廉鹏 邹德恕 沈光地 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期81-84,共4页
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A... 使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件。 展开更多
关键词 光电子学 半导体激光器 应变量子阱 金属有机化学气相淀积
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LP－MOCVD生长InGaAs／InP应变量子阱的研究 被引量：3
7
作者 刘宝林 杨树人 +2 位作者 陈佰军 王本忠 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1994年第4期313-318,共6页
本文研究了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ对不同ｘ值的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ／ＩｎＰ生长条件，并且生长了压缩应变为０．５％三个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构，利用７７ＫＰＬ光谱分析了能级同阱宽的关系，实现最窄阱宽为４．４ｎｍ... 本文研究了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ对不同ｘ值的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ／ＩｎＰ生长条件，并且生长了压缩应变为０．５％三个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构，利用７７ＫＰＬ光谱分析了能级同阱宽的关系，实现最窄阱宽为４．４ｎｍ，最小全半高峰宽为１７．０ｍｅｖ。 展开更多
关键词 应变 量子阱 化学汽相沉积 砷铟镓
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不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱 被引量：3
8
作者 孔令民 蔡加法 +2 位作者 李明 吴正云 沈文忠 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期115-118,共4页
本文采用表面光伏谱方法，对不同组分及阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量．利用形变势模型理论计算，对样品的表面光伏谱进行指认，理论与实验符合得很好．
关键词 表面光伏谱 应变量子阱 形变势模型 光电器件 砷化镓 铟
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高功率905nm InGaAs隧道结串联叠层半导体激光器 被引量：4
9
作者 李辉 曲轶 +2 位作者 张剑家 辛德胜 刘国军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2517-2520,共4页
设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200μm、腔长800μm的半导体激光器。两隧道结激光器在脉冲宽度1... 设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200μm、腔长800μm的半导体激光器。两隧道结激光器在脉冲宽度100ns,重复频率10kHz,30A工作电流下输出功率达到80 W,峰值发射波长为905.6nm,器件的阈值电流为0.8A,水平和垂直方向的发散角分别为7.8°和25°。 展开更多
关键词 高功率 应变量子阱 隧道结 半导体激光器
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1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器设计与制作 被引量：3
10
作者 马宏 易新建 +2 位作者 金锦炎 杨新民 李同宁 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期191-195,共5页
基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ... 基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ,用此材料制作的器件指标为激射波长 :1 2 80 nm≤λ≤ 1 3 2 0 nm,阈值电流 :Ith( 2 5℃ )≤ 1 5m A,Ith( 85℃ )≤ 3 0 m A,量子效率变化 :Δηex( 2 5℃～ 85℃ )≤ 1 .0 d B,线性功率 :P0 ≥ 1 0 m 展开更多
关键词 ALGAINAS 应变补偿 量子阱 低压金属有机化学气相外延 半导体激光器 设计 制作 致冷器 铝镓铟砷化合物
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AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究 被引量：3
11
作者 盖红星 李建军 +5 位作者 韩军 邢艳辉 邓军 俞波 沈光地 陈建新 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期85-89,共5页
采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线... 采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益。进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势。 展开更多
关键词 光电子学 应变量子阱 光增益 AlInGaAs 半导体激光器
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InGaAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算 被引量：8
12
作者 宋晏蓉 华玲玲 +1 位作者 张鹏 张晓 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期565-569,共5页
为了进一步优化半导体激光器的性能,讨论了影响激光器中许多参数的能带结构.以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,利用有限差分法对考虑价带混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量精确求解,得到导带和价带的能带结构图.计算结果表明,... 为了进一步优化半导体激光器的性能,讨论了影响激光器中许多参数的能带结构.以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,利用有限差分法对考虑价带混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量精确求解,得到导带和价带的能带结构图.计算结果表明,应变改变了传统无应变量子阱激光器中轻的导带有效质量与非常重的价带有效质量之间的巨大不对称性,更有利于提高激光器的性能. 展开更多
关键词 应变量子阱 能带结构 6×6Luttinger-Kohn哈密顿量 有限差分法
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应变补偿多量子阱价带结构Kohn-Luttinger Hamiltonian方程的能量表象求解方法 被引量：1
13
作者 马春生 田丰收 +1 位作者 孙洪波 刘式墉 《量子电子学报》 CAS CSCD 2000年第1期36-42,共7页
本文提出一种多阱能量表象方法用来分析应变补偿多量子阶的价带结构．这一方法是把应变补偿多量子阶的价带厂点ｚ方向重轻空穴的能量本征函数作为基矢量建立能量表象，把非Г点的重轻空穴的能量本征函数按这些基矢量进行傅里叶级数展开... 本文提出一种多阱能量表象方法用来分析应变补偿多量子阶的价带结构．这一方法是把应变补偿多量子阶的价带厂点ｚ方向重轻空穴的能量本征函数作为基矢量建立能量表象，把非Г点的重轻空穴的能量本征函数按这些基矢量进行傅里叶级数展开，带入Ｋｏｈｎ－ＬｕｔｔｉｎｇｅｒＨａｍｉｌｔｏｎｉａｎ（ＫＬＭ）方程中得到相应的能量特征矩阵，进而得到其非Г点的重轻空穴的能量本征值和相应的本征矢．与ｋ·ｐ方法相比，这一方法的优点在于能够有效地分析出阱数和阱间距离对应变补偿多量子阱的能带结构产生的影响，并且所得的能量特征矩阵的阶数要小得多，很容易在微机上进行运算． 展开更多
关键词 多量子阱 应变 补偿 KLM方程 价带结构 能量表象
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大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究 被引量：1
14
作者 潘教青 黄柏标 +4 位作者 张晓阳 任忠祥 秦晓燕 朱宝富 李先林 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期707-710,共4页
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm^2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet)。
关键词 金属有机物化学气相沉积 生长中断 应变缓冲层 应变量子阱激光器 INGAAS/GAAS量子阱
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MOCVD的InGaAs／GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究 被引量：1
15
作者 王小军 郑联喜 +3 位作者 王启明 庄婉如 黄美纯 郑婉华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期190-200,共11页
本文中利用ＭＯＣＶＤ方法得到了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子阱材料，４．３ｎｍ量子阱１０ＫＰＬＦＷＨＭ仅为３．４９ｍｅＶ．通过对样品荧光谱在变激发强度，变温时的峰位、峰形研究，我们发现，合金组分起伏散射是样... 本文中利用ＭＯＣＶＤ方法得到了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子阱材料，４．３ｎｍ量子阱１０ＫＰＬＦＷＨＭ仅为３．４９ｍｅＶ．通过对样品荧光谱在变激发强度，变温时的峰位、峰形研究，我们发现，合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因，因而是ＭＯＣＶＤ生长中应该首先解决的问题，实验结果还表明，在讨论低温ＰＬ谱形时，必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程． 展开更多
关键词 应变 量子阱 光致发光 MOCVD
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LP—MOCVD研制InGaAs／InP应变量子阱LD 被引量：1
16
作者 刘宝林 杨树人 +4 位作者 陈伯军 王本忠 安海岩 秦福文 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第5期434-438,共5页
本文指出在ＬＰ—ＭＯＣＶＤ生长过程中，采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ—ｎ结结位，给出了采用ＤＥＺｎ和Ｈ＿２Ｓ做掺杂源在ＩｎＰ材料中ｐ... 本文指出在ＬＰ—ＭＯＣＶＤ生长过程中，采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ—ｎ结结位，给出了采用ＤＥＺｎ和Ｈ＿２Ｓ做掺杂源在ＩｎＰ材料中ｐ型和ｎ型杂质溶度和ｐ－ｎ结控制的条件，并研制出有源区阱层ＩｎＧａＡｓ与ＩｎＰ存在０．５％压缩应变量子阱激光器，这一结构ＬＤ实现室温脉冲激射，得到峰值功率为１０６ｍＷ以上，阈值电流密度为２．６ｋＡ／ｃｍ２。 展开更多
关键词 MOCVD 量子阱 激光器 INGAAS
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高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵 被引量：6
17
作者 刘迪 宁永强 +2 位作者 张金龙 张星 王立军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期2147-2153,共7页
为提高垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率,对具有3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱结构,发射波长为977nm的VCSEL列阵进行了研究。对量子阱结构进行了优化,选择具有更宽带隙的GaAsP作为势垒材料,计算了In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P... 为提高垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率,对具有3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱结构,发射波长为977nm的VCSEL列阵进行了研究。对量子阱结构进行了优化,选择具有更宽带隙的GaAsP作为势垒材料,计算了In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08量子阱的带阶。对采用In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08和In0.2Ga0.8As/GaAs两种量子阱结构的器件的输出功率进行了理论模拟和比较分析。分别测试了上述两个列阵器件的脉冲峰值功率并利用由开启电压、阈值电流和串联电阻决定的p参数评估了列阵器件的输出性能。实验结果表明,当注入电流为110A时,发光面积为0.005cm2的In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.084×4VCSEL列阵获得了123 W的脉冲峰值功率,比具有相同发光面积的In0.2Ga0.8As/GaAs列阵器件的脉冲峰值功率大13%,前者相应的功率密度和斜率效率分别为45.42kW/cm2和1.11W/A。连续和脉冲工作下的p值分别为15和13,表明器件在两种工作条件下都具有相对较好的输出性能。得到的结果证明,包含3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱的4×4VCSEL列阵器件能够获得较高的功率输出。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器列阵 峰值功率 功率密度 InGaAs/GaAsP应变量子阱
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InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究 被引量：1
18
作者 孔令民 蔡加法 +3 位作者 林雪娇 杨克勤 吴正云 沈文忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期549-553,共5页
分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,... 分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子 声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果。 展开更多
关键词 InGaAs/GaAs应变量子阱 光谱研究 时间分辨谱 光致发光谱 光伏谱 半导体材料 砷化镓 砷镓铟化合物 形态势模型
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InGaAs(S)/InP应变量子阱能带计算和有源区材料的选择 被引量：3
19
作者 刘宝林 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1993年第2期114-120,共7页
本文利用K·P能带理论和形变势模型计算了应变对量子阱结构能带及能级的影响,提出了在压缩应变情况下,当固定发射波长时,利用InGaAsP做阱材料可对应变大小和阱宽进行独立控制,克服了应变较大时InGaAs阱材料阱宽较窄的困难。在伸张... 本文利用K·P能带理论和形变势模型计算了应变对量子阱结构能带及能级的影响,提出了在压缩应变情况下,当固定发射波长时,利用InGaAsP做阱材料可对应变大小和阱宽进行独立控制,克服了应变较大时InGaAs阱材料阱宽较窄的困难。在伸张应变情况下,利用InGaAs做有源区较为合适。 展开更多
关键词 应变 能带结构算法 光纤通信 材料
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InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1054nm激光器中的应用 被引量：2
20
作者 刘安平 韩伟峰 +1 位作者 黄茂 罗庆春 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1665-1667,共3页
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱... 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱动电流为50 mA时测得该应变量子阱光谱半宽为1.6nm,发射波长为1 054 nm。实验表明:通过优化工艺条件和采用应变缓冲层等手段,改善了应变量子阱质量,该结果应用于1 054 nm激光器的制备,取得了较好的结果。 展开更多
关键词 金属有机物 化学气相淀积 应变量子阱 半导体激光器
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