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偏振相关的压应变量子阱增益芯片
1
作者 段宜江 陈超 +10 位作者 孙晶晶 张建伟 刘朝晖 陈鹏 周寅利 吴昊 张卓 刘天娇 张大勇 宁永强 王立军 《发光学报》 北大核心 2025年第10期1940-1947,共8页
半导体增益芯片作为外腔半导体激光器(ECSL)的有源介质,其功率、偏振相关性及线宽展宽因子等特性直接决定着激光器的核心性能。为提高半导体增益芯片的偏振消光比,降低激光器中模式竞争引入的噪声,本文研究了量子阱厚度、量子阱应变对横... 半导体增益芯片作为外腔半导体激光器(ECSL)的有源介质,其功率、偏振相关性及线宽展宽因子等特性直接决定着激光器的核心性能。为提高半导体增益芯片的偏振消光比,降低激光器中模式竞争引入的噪声,本文研究了量子阱厚度、量子阱应变对横电(TE)、横磁(TM)模式材料增益的影响,并同时探究了有源区长度对增益芯片功率及自发辐射谱的影响。通过在InGaAs/AlGaAs量子阱中引入压应变,提高了TE与TM模式之间的材料增益差,实现了具有明显偏振相关性的850 nm波段半导体增益芯片,最高偏振消光比为9.58 dB,最大自发发射光谱带宽28.72 nm,最高输出功率28.53 mW。该工作为量子精密测量、相干激光雷达与相干光通信等领域所需的窄线宽、线偏振激光器提供了偏振特性显著的有源增益介质。 展开更多
关键词 增益芯片 外腔半导体激光器 量子阱 偏振消光比 线偏振
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InGaAsP多量子阱激光二极管及其组件的γ辐射效应 被引量：11
2
作者 黄绍艳 刘敏波 +3 位作者 王祖军 唐本奇 肖志刚 张勇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1024-1028,共5页
本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×104Gy。结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性I、-V特性及中心波长基本未变化。... 本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×104Gy。结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性I、-V特性及中心波长基本未变化。而多量子阱激光二极管组件因包含光学窗口、耦合透镜及光纤等附属光学元件,这些附属元件受γ辐照后光学性能下降,最终导致激光二极管组件输出光功率随总剂量增大而下降,停止辐照后,不需加偏置,在室温下即能发生退火,使得斜率效率逐渐回升。 展开更多
关键词 多量子阱激光二极管 Γ射线 辐射效应
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准连续大功率二维层叠量子阱激光器列阵 被引量：5
3
作者 肖建伟 刘宗顺 +5 位作者 刘素平 方高瞻 胡长虹 李秀芳 鲁琳 徐素娟 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1998年第8期1-3,共3页
研究了大功率列阵器件的量子阱结构、材料生长、列阵结构、隔离技术与封装技术，研制出６条层叠ＧａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ量子阱激光器列阵，其峰值功率为４０４Ｗ（２０Ｈｚ，２００μｓ），电－光转换效率高达４３．３％。
关键词 量子阱激光器 列阵 大功率 半导体激光器 器件
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一种模数混合的PGC解调方案 被引量：6
4
作者 宫铭举 邓越 +3 位作者 乔东海 邵敏 李国新 杨富强 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第5期538-540,共3页
分析了相位载波（PGC）技术的模拟数字混合解调方案，提出了一种改进的模拟数字混合系统。此系统可降低采样频率，消除寄生调幅的影响，同时克服了因载波漂移带来的解调困难。采用多量子阱激光器作为光源，使载波信号工作在较高的频率... 分析了相位载波（PGC）技术的模拟数字混合解调方案，提出了一种改进的模拟数字混合系统。此系统可降低采样频率，消除寄生调幅的影响，同时克服了因载波漂移带来的解调困难。采用多量子阱激光器作为光源，使载波信号工作在较高的频率范围（0-20MHz），从而提高了系统带宽和动态范围。试验表明，通过该方案建立的系统满足解调要求。由于较低的采样频率，该方案适合时分复用的光纤传感器阵列。 展开更多
关键词 相位载波 模拟数字混合系统 采样频率 载波频率 寄生调幅 多量子阱激光器
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808nm量子阱激光器电流调制特性的实验研究 被引量：5
5
作者 来引娟 余建华 +1 位作者 韩树荣 李瑞宁 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期8-10,共3页
本文首次对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器 ( 80 8nm)的低频 ( 10 0Hz～ 2 0KHz)电流调制特性进行了实验研究。结果表明 :激光发射的接通延迟时间、阈值电流、正脉冲的占空比、平均功率。
关键词 量子阱激光器 直接电流调制 调制响应 实验
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量子阱半导体激光器的光束质量 被引量：3
6
作者 王绍民 赵道木 +3 位作者 吕章德 周国泉 黄富泉 徐锦心 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期483-486,共4页
本文给出了一种非截取地收集非傍轴激光束 ,并把它变换成傍轴光束的方法 ,将之运用到量子阱半导体激光器的实验中发现了一些重要的现象 .经过测量和计算得到它垂直于结方向的等效光束质量原子 M2y 明显小于 1 。
关键词 量子阱 半导体激光器 光束质量 量子光学 傍轴激光束 非傍轴激光束
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SCH量子阱激光器的混沌同步通信研究 被引量：5
7
作者 黄良玉 方锦清 任君玉 《广西大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2007年第1期46-49,共4页
首先对光电子反馈及光电子注入式SCH量子阱激光器的混沌动力学行为进行了研究,然后采用光电子反馈及光电子注入式SCH量子阱激光器分别作为发射系统和接收系统进行混沌同步及同步通信的数值模拟研究.理论及数值模拟研究表明,利用SCH量子... 首先对光电子反馈及光电子注入式SCH量子阱激光器的混沌动力学行为进行了研究,然后采用光电子反馈及光电子注入式SCH量子阱激光器分别作为发射系统和接收系统进行混沌同步及同步通信的数值模拟研究.理论及数值模拟研究表明,利用SCH量子阱激光器进行混沌同步通信,可取得良好的通信效果.另外,采用本激光系统进行通信,有利于克服其他系统只能传输小信号的问题. 展开更多
关键词 SCH量子阱激光器 混沌同步 通信
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提高超大光腔波导结构半导体激光器功率效率的设计考虑 被引量：2
8
作者 周坤 何林安 +8 位作者 李弋 贺钰雯 杜维川 刘晟哲 张亮 胡耀 宋梁 高松信 唐淳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期958-964,共7页
对976 nm波段超大光学腔结构半导体激光器的外延和谐振腔设计进行了数值研究。在量子阱层的下方和上方设计了模式控制层,以抑制快轴高阶模的激射。通过能带结构的调控抑制了电子泄漏,调控使得电子势垒从p波导层到p包层增加。优化后的外... 对976 nm波段超大光学腔结构半导体激光器的外延和谐振腔设计进行了数值研究。在量子阱层的下方和上方设计了模式控制层,以抑制快轴高阶模的激射。通过能带结构的调控抑制了电子泄漏,调控使得电子势垒从p波导层到p包层增加。优化后的外延结构内部损耗为0.66 cm^(-1),内部量子效率为0.954,远场发散角半高全宽为17.4°。对于谐振腔设计,提出了沿谐振腔线性电流分布结构,以减少空间烧孔效应,这使激光器在20 A时功率提高了1.0 W。采用超大光学腔外延结构的4 mm腔长、100μm发光区宽度的单管芯片,在25°C连续电流注入下,21 W输出功率时达到约71%的高功率效率。 展开更多
关键词 量子阱激光器 超大光腔 载流子泄露 效率
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808nm大功率半导体量子阱激光器锁相列阵 被引量：3
9
作者 肖建伟 杨国文 +7 位作者 徐俊英 徐遵图 张敬明 庄芳婕 李秉臣 毕可奎 郑婉华 陈良惠 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1994年第1期9-12,共4页
在材料研究和器件特性分析的基础上，采用分子束外延方法（ＭＢＥ），成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）大功率半导体激光器锁相列阵，最大线性输出功率为１... 在材料研究和器件特性分析的基础上，采用分子束外延方法（ＭＢＥ），成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）大功率半导体激光器锁相列阵，最大线性输出功率为１．５Ｗ（室温，连续），激射波长８０８±４ｎｍ，光－电转换效率最高达６２％，器件寿命考核（２５℃，ＣＷ）超过１０００小时无明显退化。 展开更多
关键词 量子阱激光器 锁相列阵
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852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性 被引量：6
10
作者 徐华伟 宁永强 +4 位作者 曾玉刚 张星 秦莉 刘云 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期640-646,共7页
为了提高852 nm半导体激光器的温度稳定性,理论计算了InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的增益,模拟对比并研究了不同量子阱的增益峰值和峰值波长随温度的漂移。结果显示,采用In0.15Ga0.74-Al0.11As作为852 nm半导体激光器的量子... 为了提高852 nm半导体激光器的温度稳定性,理论计算了InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的增益,模拟对比并研究了不同量子阱的增益峰值和峰值波长随温度的漂移。结果显示,采用In0.15Ga0.74-Al0.11As作为852 nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的温度稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了压应变In0.15Ga0.74Al0.11As单量子阱852 nm半导体激光器,实验测得波长随温度漂移的数值为0.256 nm/K,实验测试结果验证了理论计算结果。 展开更多
关键词 激光器 ALGAINAS 量子阱 数值模拟
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基于THz QCL和THz QWP的数字通信演示系统 被引量：5
11
作者 陈镇 谭智勇 +1 位作者 王长 曹俊诚 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第10期2796-2799,2852,共5页
随着无线通信速率需求的增加和材料生长、器件工艺制作水平的提高,太赫兹(THz)通信已成为未来高速无线通信系统发展的一个重要方向。介绍了太赫兹通信的特点以及国际上太赫兹通信系统的发展现状,并报导了一种利用太赫兹量子级联激光器(T... 随着无线通信速率需求的增加和材料生长、器件工艺制作水平的提高,太赫兹(THz)通信已成为未来高速无线通信系统发展的一个重要方向。介绍了太赫兹通信的特点以及国际上太赫兹通信系统的发展现状,并报导了一种利用太赫兹量子级联激光器(THz QCL)作为发射源,太赫兹量子阱探测器(THz QWP)作为接收器的太赫兹数字通信演示系统。该系统采用On-Off-Key(OOK)调制和直接强度检测方式,通信频点为3.9 THz,通信距离为2.2 m,传输速率可达1 Mbps以上。最后探讨了该系统的带宽限制因素及其在通信速率方面的潜力。 展开更多
关键词 太赫兹通信 太赫兹量子级联激光器 太赫兹量子阱探测器
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InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究 被引量：5
12
作者 章蓓 王若鹏 +4 位作者 丁晓民 杨志坚 戴伦 崔晓明 王舒民 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期253-256,共4页
利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子阱微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用，反映了微盘的微腔特征．
关键词 微盘激光器 半导体激光器 量子阱 异质结 铟镓磷
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量子阱半导体激光器调制特性和噪声的电路模拟 被引量：2
13
作者 毛陆虹 郭维廉 +1 位作者 陈弘达 吴荣汉 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第1期38-42,共5页
给出一种量子阱半导体激光器 (QWLD)小信号等效电路模型 ,可以作为含有QWLD系统计算机辅助设计的模型。模型包括QWLD的高速调制特性和噪声 ,对QWLD的调制特性和噪声进行了模拟 ,并对比了已发表的模拟和实验结果。
关键词 量子阱半导体激光器 电路模型 调制 噪声
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大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究 被引量：1
14
作者 潘教青 黄柏标 +4 位作者 张晓阳 任忠祥 秦晓燕 朱宝富 李先林 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期707-710,共4页
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm^2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet)。
关键词 金属有机物化学气相沉积 生长中断 应变缓冲层 应变量子阱激光器 INGAAS/GAAS量子阱
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太赫兹量子阱探测器研究进展 被引量：5
15
作者 张真真 符张龙 +1 位作者 王长 曹俊诚 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期103-109,共7页
太赫兹量子阱探测器具有皮秒级的响应时间和1 GHz以上的高速调制性能,是太赫兹快速成像和高速无线通信应用领域非常有前景的探测器。文章综述了太赫兹量子阱探测器的探测原理和设计方法、器件主要性能指标和基于该探测器的应用技术研究... 太赫兹量子阱探测器具有皮秒级的响应时间和1 GHz以上的高速调制性能,是太赫兹快速成像和高速无线通信应用领域非常有前景的探测器。文章综述了太赫兹量子阱探测器的探测原理和设计方法、器件主要性能指标和基于该探测器的应用技术研究进展。研究表明,基于太赫兹量子阱探测器的快速成像系统可以获得物体的细节信息,有望用于安全检查和无损检测领域;太赫兹量子阱探测器还可用于高速无线通信的探测端,为未来6G高速无线通信应用提供了有效的技术途径。 展开更多
关键词 太赫兹量子阱探测器 太赫兹量子级联激光器 太赫兹通信 太赫兹成像
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高功率905nm InGaAs隧道结串联叠层半导体激光器 被引量：4
16
作者 李辉 曲轶 +2 位作者 张剑家 辛德胜 刘国军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2517-2520,共4页
设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200μm、腔长800μm的半导体激光器。两隧道结激光器在脉冲宽度1... 设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200μm、腔长800μm的半导体激光器。两隧道结激光器在脉冲宽度100ns,重复频率10kHz,30A工作电流下输出功率达到80 W,峰值发射波长为905.6nm,器件的阈值电流为0.8A,水平和垂直方向的发散角分别为7.8°和25°。 展开更多
关键词 高功率 应变量子阱 隧道结 半导体激光器
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InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1054nm激光器中的应用 被引量：2
17
作者 刘安平 韩伟峰 +1 位作者 黄茂 罗庆春 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1665-1667,共3页
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱... 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱动电流为50 mA时测得该应变量子阱光谱半宽为1.6nm,发射波长为1 054 nm。实验表明:通过优化工艺条件和采用应变缓冲层等手段,改善了应变量子阱质量,该结果应用于1 054 nm激光器的制备,取得了较好的结果。 展开更多
关键词 金属有机物 化学气相淀积 应变量子阱 半导体激光器
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大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器（英文） 被引量：7
18
作者 廖永平 张宇 +6 位作者 杨成奥 黄书山 柴小力 王国伟 徐应强 倪海桥 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期672-675,共4页
通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000... 通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000Hz,占空比为5%的脉冲工作模式下,最大激射功率为2.278W. 展开更多
关键词 大功率 激光二极管 中红外 量子阱
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单量子阱激光器小信号调制时的啁啾噪声 被引量：1
19
作者 阎敏辉 陈建平 +1 位作者 李欣 张励 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2001年第2期143-146,共4页
量子阱激光器具有良好的小信号调制频率响应 ,能作为高速光通信光源采用直接调制方式进行信号传输。与普通半导体激光器一样 ,直接调制将引起啁啾 ,从而影响光纤通信系统的性能。文中对小信号调制下单量子阱激光器的啁啾特性进行了研究... 量子阱激光器具有良好的小信号调制频率响应 ,能作为高速光通信光源采用直接调制方式进行信号传输。与普通半导体激光器一样 ,直接调制将引起啁啾 ,从而影响光纤通信系统的性能。文中对小信号调制下单量子阱激光器的啁啾特性进行了研究和分析。得出了啁啾幅度和啁啾相位与调制频率的关系。对考虑与不考虑啁啾两种情况下 ,光脉冲在常规光纤中传输时的色散特性进行了模拟分析 。 展开更多
关键词 单量子阱激光器 啁啾 信号调制 噪声
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应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用 被引量：7
20
作者 俞波 盖红星 +6 位作者 韩军 邓军 邢艳辉 李建军 廉鹏 邹德恕 沈光地 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期81-84,共4页
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A... 使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件。 展开更多
关键词 光电子学 半导体激光器 应变量子阱 金属有机化学气相淀积
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