以UV胶为纤芯本底的CdSe/ZnS量子点光纤光致荧光光谱的传光特性 被引量：6

1

作者 程成 林彦国 严金华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期888-893,共6页

制备了一种以紫外(UV)固化胶为纤芯本底的CdSe/ZnS量子点掺杂光纤.通过测量不同掺杂浓度和光纤长度下的量子点光致荧光光谱,得到了荧光峰值强度与量子点掺杂光纤浓度和长度的关系,确定了UV胶纤芯本底下的量子点的吸收系数、合适的掺杂... 制备了一种以紫外(UV)固化胶为纤芯本底的CdSe/ZnS量子点掺杂光纤.通过测量不同掺杂浓度和光纤长度下的量子点光致荧光光谱,得到了荧光峰值强度与量子点掺杂光纤浓度和长度的关系,确定了UV胶纤芯本底下的量子点的吸收系数、合适的掺杂浓度和光纤长度.结果表明:UV胶在光纤中具有吸收小、收缩率低、与石英光纤包层折射率匹配、性能稳定等特点,是一种比较理想的实验室制备量子点光纤纤芯本底的材料. 展开更多

关键词 CdSe/ZnS量子点 UV胶 量子点掺杂光纤 光致荧光光谱

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自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究 被引量：2

2

作者 孔令民 蔡加法 +2 位作者 陈主荣 吴正云 牛智川 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期208-212,共5页

在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML,的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸... 在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML,的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果. 展开更多

关键词 INAS量子点 浸润层 时间分辨谱 半导体超薄层生长技术 砷化铟

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PbSe量子点硅酸盐玻璃光纤的制备及光纤光致荧光光谱特性 被引量：6

3

作者 程成 席子扬 姚建华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期61-67,共7页

对钠硼铝硅酸盐玻璃熔体进行拉丝,再经过退火热处理,制备得到光纤直径80~130μm的PbSe量子点玻璃裸光纤.透射电镜分析发现光纤中PbSe量子点的晶粒尺寸为4.2~5.5nm,掺杂体积比约1%.对量子点光纤的柔性进行了初步测试.以980nm泵浦激光作... 对钠硼铝硅酸盐玻璃熔体进行拉丝,再经过退火热处理,制备得到光纤直径80~130μm的PbSe量子点玻璃裸光纤.透射电镜分析发现光纤中PbSe量子点的晶粒尺寸为4.2~5.5nm,掺杂体积比约1%.对量子点光纤的柔性进行了初步测试.以980nm泵浦激光作为激励源,用荧光光谱仪观测了量子点光纤的荧光发射谱.结果表明:合适的量子点光纤的退火条件跟块玻璃不同.当退火温度为500~600℃、热处理时间为5~10h时,观测到量子点光纤有强烈的荧光辐射,峰值波长位于1 300~1 450nm,半高全宽达200~330nm.光纤最佳退火温度为600℃、时间7.5h.本文得到的量子点玻璃光纤可进一步制备成玻璃基底的量子点光纤型增益器件光纤放大器、光纤激光器等. 展开更多

关键词 PbSe量子点 量子点光纤 熔融拉丝 退火热处理 光致荧光光谱

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红外PbX量子点光致发光特性研究 被引量：3

4

作者 耿蕊 张玉江 陈青山 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第2期125-129,135,共6页

利用尺寸效应调节发光波长,Pb X量子点可用于近红外波段的光致发光。实际应用中对其辐射荧光特性的检测与评估,在设计器件、开发系统、提高量子点光致发光有效利用率等方面具有重要意义。本文对比分析了不同尺寸Pb X量子点在近红外波段... 利用尺寸效应调节发光波长,Pb X量子点可用于近红外波段的光致发光。实际应用中对其辐射荧光特性的检测与评估,在设计器件、开发系统、提高量子点光致发光有效利用率等方面具有重要意义。本文对比分析了不同尺寸Pb X量子点在近红外波段的吸收、发射光谱,并对Pb X胶质量子点制成薄膜后的光致发光光谱进行了检测分析。光谱对比显示,量子点薄膜化后荧光辐射波长峰值会发生一定量的红移,全波半宽也会增大。提出一种在实际应用中检测量子点光致发光的空间分布情况并估算其效率的方法,同时利用该方法对两种Pb X量子点薄膜样品进行了检测分析。分析表明,量子点薄膜样品的光致发光功率与探测器相对样品发光表面的角度位置有关,可以反映出薄膜中量子点的分布;两种被测样品近红外激光照射下的荧光功率转换效率分别可达2.51%和2.06%,适于工程应用。 展开更多

关键词 量子点 PBX 光致发光 转换效率 光谱

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PbSe量子点荧光匹配气体吸收光谱方法研究 被引量：2

5

作者 邢笑雪 秦宏伍 商微微 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期3588-3591,共4页

PbSe量子点（PbSe-QDs）是红外波段的典型纳米材料,其具有大的玻尔半径、小的体材料禁带宽度（玻尔半径是46nm,体材料禁带宽度是0.28eV）,因此,在近红外区域,PbSe-QDs具有强大的尺寸受限效应和较高的量子产出率。本文对不同尺寸的PbSe... PbSe量子点（PbSe-QDs）是红外波段的典型纳米材料,其具有大的玻尔半径、小的体材料禁带宽度（玻尔半径是46nm,体材料禁带宽度是0.28eV）,因此,在近红外区域,PbSe-QDs具有强大的尺寸受限效应和较高的量子产出率。本文对不同尺寸的PbSe量子点的荧光光谱特性进行了研究,提出了一种通过调节PbSe量子点的量子尺寸匹配气体吸收光谱的方法。采用配位溶剂的方法制备了尺寸为4.6和6.1nm的PbSe量子点,将该PbSe量子点沉积到GaN发光芯片上并经过紫外光照处理和固化后制成了光致发光的近红外光源,其中4.6nm的PbSe-QDs的沉积厚度为671.5μm,而6.1nm的PbSe-QDs的沉积厚度为48μm。将制成的近红外光源应用到C2H2气体和NH3气体的检测实验中,实验结果表明,通过改变PbSe量子点的尺寸可以调节光源光致发光峰的位置,从而覆盖目标气体在近红外波段的吸收谱线。4.6nm的光源发射光谱包含了1 500~1 550nm之间的C2H2气体的全部的吸收谱;6.1nm的光源发射光谱包含了1 900~2 060nm之间的NH3气体的全部的吸收谱。这种利用PbSe量子点尺寸的可调性匹配对应气体吸收谱的方法是可行和有效的,具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 光致发光 PbSe量子点 近红外光源 光谱匹配

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CdS_xSe_(1-x)/ZnS(核/壳)量子点的光谱截面及其掺杂光纤的传光特性 被引量：2

6

作者 程成 黄媛 姚建华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1-8,共8页

测量了不同组份比例x的CdS_xSe_(1-x)/ZnS(核/壳)量子点的吸收谱和发射谱,确定了量子点的吸收系数、吸收截面和发射截面.量子点吸收截面随粒径的增大而增大、随x的增大而减小.采用紫外固化胶,制备了掺杂浓度为0.1~5mg/mL的CdS_(0.4)Se_(... 测量了不同组份比例x的CdS_xSe_(1-x)/ZnS(核/壳)量子点的吸收谱和发射谱,确定了量子点的吸收系数、吸收截面和发射截面.量子点吸收截面随粒径的增大而增大、随x的增大而减小.采用紫外固化胶,制备了掺杂浓度为0.1~5mg/mL的CdS_(0.4)Se_(0.6)/ZnS量子点光纤,测量了不同掺杂浓度量子点光纤中473nm泵浦功率的吸收衰减速率.吸收衰减速率和吸收截面弱关联于掺杂浓度.测量了光致荧光光谱强度随光纤长度和量子点浓度的变化.量子点光纤的光致荧光峰值强度随掺杂浓度和光纤长度变化而变化,且存在一个与最大峰值强度对应的饱和掺杂浓度和光纤长度.本文的实验结果有助于进一步构建新型的CdS_xSe_(1-x)/ZnS量子点增益型光电子器件. 展开更多

关键词 CdSxSe1-x/ZnS量子点 吸收截面 光致荧光光谱 量子点掺杂光纤 量子点光纤传光特性

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量子点的湿法腐蚀制备及尺寸分布研究

7

作者 刘兴权 万明芳 +3 位作者 陈效双 张波 陆卫 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期401-404,共4页

介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子点的方法，并用小光点光荧光的方法检测了所制备量子点的均匀性，从理论上给出量子点的尺寸分布，并结合多量子阱阱宽的涨落，分析了荧光峰的线型和展宽机制．

关键词 量子点 湿法腐蚀 荧光光谱 砷化镓 尺寸分布

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GeSi量子点的发光特性研究

8

作者 廖家欣 李西南 周庆华 《长沙电力学院学报（自然科学版）》 2004年第2期80-83,共4页

研究了在Si衬底上自组织生长Ge岛或Ge量子点的光致发光特性.用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)观察Ge岛的大小和密度,经过680℃退火30min,观察到了量子点的光致发光.

关键词 GE量子点 光致发光 PL光谱 RAMAN光谱

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溶液浓度对SiC量子点光学性能的影响及表面修饰 被引量：5

9

作者 康杰 丁紫阳 +3 位作者 孙为云 焦璨 王晓燕 宋月鹏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第8期645-649,657,共6页

采用可控化学腐蚀法制备SiC量子点,在原有腐蚀剂(氢氟酸和硝酸)的基础上添加适量的分析纯硫酸,一步法完成SiC量子点的表面修饰。采用光度计和Lince软件测量并计算了平均粒径5 nm的SiC量子点在不同溶液浓度下的光致发光谱和平均间距;采... 采用可控化学腐蚀法制备SiC量子点,在原有腐蚀剂(氢氟酸和硝酸)的基础上添加适量的分析纯硫酸,一步法完成SiC量子点的表面修饰。采用光度计和Lince软件测量并计算了平均粒径5 nm的SiC量子点在不同溶液浓度下的光致发光谱和平均间距;采用傅里叶变换红外光谱仪对SiC量子点表面的功能团进行检测,对其表面亲水性基团耦合的机理进行分析。结果表明,随着SiC量子点溶液浓度的增大(4~12μmol·L^(-1)),其光致发光强度先增大后减小,且光致发光强度峰值出现在8μmol·L-1时;SiC量子点表面形成亲水性基团的关键在于腐蚀法制备过程中超声空化环节所营造的局部高压高温环境。 展开更多

关键词 SiC量子点 浓度 光致发光强度 特征发射谱图 生物相容性

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可控化学腐蚀法制备碳化硅量子点及其表面修饰 被引量：5

10

作者 康杰 宋月鹏 +4 位作者 孙为云 丁紫阳 李连荣 焦璨 雷腾飞 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第10期1889-1895,共7页

通过可控的化学腐蚀法完成了对碳化硅量子点的制备,而后经超声空化作用及高速层析裁剪获得水相的碳化硅量子点溶液,利用化学偶联法,一步实现了SiC量子点的表面物化特性调控。通过对制备工艺参数调整前后量子点微观形貌、光谱特性的表征... 通过可控的化学腐蚀法完成了对碳化硅量子点的制备,而后经超声空化作用及高速层析裁剪获得水相的碳化硅量子点溶液,利用化学偶联法,一步实现了SiC量子点的表面物化特性调控。通过对制备工艺参数调整前后量子点微观形貌、光谱特性的表征,结果表明:腐蚀次数、腐蚀剂组分及腐蚀剂配比是影响碳化硅量子点光致发光效率的主要因素,调整腐蚀次数与腐蚀剂组分的配比,同时加入偶联剂分析纯硫酸,当以V(HF)∶V(HNO3)∶V(H2SO4)=6∶1∶1(体积比)的组分及比例腐蚀球磨后的β-SiC粉体时,制备出的水相碳化硅量子点光致发光相对强度最为理想。同时对碳化硅量子点表面巯基的形成机制与修饰稳定性进行了初步分析。 展开更多

关键词 碳化硅量子点 化学腐蚀法 微观形貌 光致发光相对强度 光谱特性 表面修饰

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图形衬底对多周期InGaAs量子点自组装生长的影响 被引量：1

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作者 张丹懿 江玉琪 +5 位作者 黄泽琛 蒋冲 赵梦秦 王一 郭祥 丁召 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第1期67-72,共6页

量子点器件技术广泛应用于量子计算和光电器件上.成核位置的均匀性、有序性和尺寸一致性,可以有效提高光电器件性能.为了实现阵列量子点的可控性,本文采用湿法刻蚀制备图形化衬底,理论上解释了铟原子在图形化衬底上成核现象,产生有序的... 量子点器件技术广泛应用于量子计算和光电器件上.成核位置的均匀性、有序性和尺寸一致性,可以有效提高光电器件性能.为了实现阵列量子点的可控性,本文采用湿法刻蚀制备图形化衬底,理论上解释了铟原子在图形化衬底上成核现象,产生有序的量子点分布特征,发现图形衬底的缺陷诱导在平台边缘和沟壑边缘成核,形成较大的量子点.在Stranski-Krastanow模式下图形衬底制备多周期量子点,发现多周期生长可以弱化台阶结构对量子点分布的限制作用. 展开更多

关键词 湿法刻蚀 多周期量子点生长 台阶结构 S-K模式 图形衬底

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多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究

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作者 陈晔 张旺 +5 位作者 李国华 朱作明 韩和相 汪兆平 周伟 王占国 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期19-23,共5页

测量了自组织多层In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点的变温光致发光谱,同时观察到来自浸润层和量子点的发光,首次直接观察到了浸润层和量子点之间的载流子热转移.分析发光强度随温度的变化发现浸润层发光的热淬灭包括两个过程:低温时... 测量了自组织多层In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点的变温光致发光谱,同时观察到来自浸润层和量子点的发光,首次直接观察到了浸润层和量子点之间的载流子热转移.分析发光强度随温度的变化发现浸润层发光的热淬灭包括两个过程:低温时浸润层的激子从局域态热激发到扩展态,然后被量子点俘获;而温度较高时则通过势垒层的X能谷淬灭.利用速率方程模拟了激子在浸润层和量子点间的转移过程。 展开更多

关键词 量子点 光致发光 浸润层 三元素化合物 半导体

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量产硅量子点的制备及其光致发光

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作者 张羽 陈家荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期124-128,共5页

高亮度硅量子点是实现硅光电子集成的关键部件,针对利用硅原子的自组织生长方法制备的硅量子点具有浓度低、发光弱等缺点,研究了利用硝酸氧化和氢氟酸腐蚀制备量产的硅量子点的方法,增加了硅量子点的浓度,从而提高了硅量子点的发光强度... 高亮度硅量子点是实现硅光电子集成的关键部件,针对利用硅原子的自组织生长方法制备的硅量子点具有浓度低、发光弱等缺点,研究了利用硝酸氧化和氢氟酸腐蚀制备量产的硅量子点的方法,增加了硅量子点的浓度,从而提高了硅量子点的发光强度。首先,通过改变硝酸和氢氟酸的浓度和反应时间,获得不同尺寸的硅量子点和过滤前后硅量子点溶液的发光峰位。其次,通过分析可知,化学腐蚀法制备的硅量子点浓度远远高于硅原子自组织生长方法制备的量子点浓度,大大地提高其光致发光强度。最后,将硅量子点加入溶胶-凝胶法制备的Si O2中,经过不同的退火温度,得到的硅量子点的发光峰位和强度不同。 展开更多

关键词 量产 硅量子点(SQD) 光致发光 化学腐蚀 热退火

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