PLD方法制备的纳米Fe/Al薄膜的结构及应力分析 被引量：4

1

作者 王锋 李俊 +3 位作者 李国俊 吴卫东 唐永健 孙卫国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1387-1390,共4页

采用PLD方法制备了Fe/Al合金薄膜,研究了Fe/Al合金薄膜的物相、结构、应力等。研究表明薄膜的沉积速率随着衬底温度的升高而降低。原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑,均方根粗糙度小于1 nm。等离子体发射谱(ICP)表明F... 采用PLD方法制备了Fe/Al合金薄膜,研究了Fe/Al合金薄膜的物相、结构、应力等。研究表明薄膜的沉积速率随着衬底温度的升高而降低。原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑,均方根粗糙度小于1 nm。等离子体发射谱(ICP)表明Fe/Al原子比为1∶1。X射线小角衍射(XRD)分析表明薄膜中的物相是Al0.5Fe0.5,Al0.5Fe0.5晶体具有简单立方结构(SC),晶格常数为0.297 nm,平均晶粒尺寸为81.74 nm,平均微畸变为0.007 6。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积(pld) Fe/Al合金薄膜 原子力显微镜(AFM) X射线衍射(XRD)

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Zn_(0．9)Mg_(0．1)O:Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究 被引量：3

2

作者 陈志强 方国家 +2 位作者 李春 盛苏 赵兴中 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期707-712,共6页

利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0．9Mg0．1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜．采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响．结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄... 利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0．9Mg0．1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜．采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响．结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa 的真空400℃退火2h后,其电阻率由8．12×10-4Ω·cm减小到4．74×10-4Ω·cm,禁带宽度则由原来的3．83eV增加到3．90eV.退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度,增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象． 展开更多

关键词 ZnMgO:Ga膜 脉冲激光沉积 沉积温度 真空退火

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激光频率对用PLD法生长氧化锌薄膜特性的影响 被引量：2

3

作者 吴木生 叶志清 +2 位作者 王根生 邓海东 欧阳桂仓 《江西师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2008年第1期55-57,共3页

用脉冲激光沉积法(PLD)在硅(100)衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜.分析了不同激光频率下薄膜的结晶状况,通过对薄膜的PL谱的测试,分析了不同激光频率下薄膜的发光特性状况,同时进行了薄膜结构的测试.结果显示:激光频率为3 Hz的样... 用脉冲激光沉积法(PLD)在硅(100)衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜.分析了不同激光频率下薄膜的结晶状况,通过对薄膜的PL谱的测试,分析了不同激光频率下薄膜的发光特性状况,同时进行了薄膜结构的测试.结果显示:激光频率为3 Hz的样品结晶质量较高,具有很高的c轴择优取向,同时发光性能达到相对优化. 展开更多

关键词 脉冲激光沉积法 氧化锌 X射线衍射 激光频率 光致发光

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PLD法生长高质量ZnO薄膜及其光电导特性研究 被引量：2

4

作者 边继明 李效民 +1 位作者 赵俊亮 于伟东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期701-706,共6页

采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射 (XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌．结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加, ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得... 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射 (XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌．结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加, ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善．优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀．以不同暗电阻的ZnO薄膜为材料,利用剥离(lift-off)技术制备了MSM 结构ZnO光电导型紫外探测器．紫外光照射前后的I—V特性测试表明ZnO薄膜产生非常明显的光电导现象,分析了其光电响应机理． 展开更多

关键词 ZNO薄膜 脉冲激光沉积 光电导紫外探测器 光电响应机理

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PLD非晶碳－聚酰亚胺复合薄膜的场致电子发射

5

作者 李运钧 姚宁 +2 位作者 何金田 王建恩 张兵临 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 1996年第S2期43-45,共3页

利用脉冲激光沉积技术在高电导率衬底上，制备了非晶碳－聚酰亚胺复合薄膜，首次观察到非晶碳－聚酰亚胺复合薄膜具有较低的电子发射阈值电场和较高的发射电流密度．利用透明导电阳极技术，确定阴极电子发射位置。

关键词 脉冲激光沉积(pld) 非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜 场致电子发射

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电介质表面金属功能图案激光加工技术研究进展

6

作者 肖荣诗 魏佳硕 +1 位作者 崔梦雅 黄婷 《航空制造技术》 北大核心 2025年第1期22-35,共14页

电介质表面金属功能图案在航空航天、消费电子、柔性传感等领域的需求日益增长。激光加工作为一种无需掩膜的柔性制造技术,具有加工精度高、非接触式加工、制造效率高等优点,可以在多种电介质表面实现金属功能图案的直接制造,近年来发... 电介质表面金属功能图案在航空航天、消费电子、柔性传感等领域的需求日益增长。激光加工作为一种无需掩膜的柔性制造技术,具有加工精度高、非接触式加工、制造效率高等优点,可以在多种电介质表面实现金属功能图案的直接制造,近年来发展迅速。按照自上而下和自下而上的技术路线,分别概述激光刻蚀、选择性激光烧结、脉冲激光沉积、激光诱导化学液相沉积、激光诱导化学气相沉积、激光辅助化学镀6种激光加工技术的原理和优势,及它们在电介质表面加工金属功能图案的最新研究进展,并总结相应的技术瓶颈和未来发展趋势。 展开更多

关键词 激光加工 金属功能图案 激光刻蚀 选择性激光烧结(SLS) 脉冲激光沉积(pld) 激光诱导化学液相沉积(LCLD) 激光诱导化学气相沉积(LCVD) 激光辅助化学镀(LEP)

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取向对PLD法制备BiFeO_3薄膜性能的影响

7

作者 黄艳芹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第13期1932-1935,共4页

以快速等离子烧结法(SPS)制备的BiFeO3块体为靶材,用激光脉冲沉积(PLD)法在不同衬底上制备了BiFeO3(100)/LaNiO3(100)/Si(100)、BiFeO3(111)/LaNiO3(111)/SrTiO3(111)、BiFeO3(110)/Pt/TiO2/SiO2/Si、BiFeO3(110)LaNiO3(110)/Pt/TiO2/Si... 以快速等离子烧结法(SPS)制备的BiFeO3块体为靶材,用激光脉冲沉积(PLD)法在不同衬底上制备了BiFeO3(100)/LaNiO3(100)/Si(100)、BiFeO3(111)/LaNiO3(111)/SrTiO3(111)、BiFeO3(110)/Pt/TiO2/SiO2/Si、BiFeO3(110)LaNiO3(110)/Pt/TiO2/SiO2/Si不同择优取向的薄膜,并对薄膜进行了XRD和SEM分析。X射线衍射结果表明,BiFeO3薄膜外延沉积在导电层衬底上,并且它们具有相同的高度取向。SEM分析表明,薄膜上的晶粒是柱状形态,表面光滑致密且颗粒分布非常均匀,晶粒的边界和尺寸也能被清晰地观察到。通过铁电铁磁性能研究,BiFeO3(111)择优取向性能最佳。SrTiO3衬底上(111)取向的BiFeO3薄膜铁电剩余极化值达到了30.3μC/cm2,漏电流为1.0×10-3 A/cm2,饱和磁化强度为20.0kA/m。 展开更多

关键词 BIFEO3薄膜 铁电铁磁性 激光脉冲沉积(pld)

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PLD法制备透明ZnO薄膜的主要点缺陷研究

8

作者 赵志娟 丁玲红 张伟风 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第2期260-262,265,共4页

采用脉冲激光沉积(PLD)法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。为研究ZnO薄膜内部主要点缺陷,我们用(002)ZnO单晶与ZnO薄膜作对比,并进行了霍尔测试、X线衍射(XRD)和光学透射谱等基本表征。霍尔测量得到的高的霍尔迁移率及XRD图表明,制备的ZnO... 采用脉冲激光沉积(PLD)法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。为研究ZnO薄膜内部主要点缺陷,我们用(002)ZnO单晶与ZnO薄膜作对比,并进行了霍尔测试、X线衍射(XRD)和光学透射谱等基本表征。霍尔测量得到的高的霍尔迁移率及XRD图表明,制备的ZnO薄膜结晶良好,具有沿c轴高度择优取向。同时,ZnO薄膜衍射峰相对于单晶向大角度方向发生了漂移。透射谱表明,ZnO薄膜在可见光区透过率为75%,吸收带边相对于单晶发生蓝移。各种表征手段证明PLD法制备的ZnO薄膜主要点缺陷为Zn填隙(Zni)。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积(pld) 点缺陷 ZNO薄膜 ZNO单晶 Zni

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脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜的膜厚分布特征

9

作者 刘宇伦 唐子媚 +7 位作者 鲁姣 翁瑶 陆珊珊 莫祖康 谢武林 何欢 符跃春 沈晓明 《广西科学》 CAS 2017年第6期556-560,567,共6页

【目的】探究脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜时薄膜的厚度分布规律,以便于能够改善薄膜的均匀性。【方法】在实际情况中,靶材和基片并不平行,取任一无限小面积元近似作为平行靶材时的情况来分析,研究此处各项等效参数即可得到该处的... 【目的】探究脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜时薄膜的厚度分布规律,以便于能够改善薄膜的均匀性。【方法】在实际情况中,靶材和基片并不平行,取任一无限小面积元近似作为平行靶材时的情况来分析,研究此处各项等效参数即可得到该处的膜厚。【结果】当靶材与基片的倾斜角为0°时,靶材激光照射点处的法线与基片相交处的膜厚度最大,以该点为中心,基片两侧膜厚呈对称分布,且越远离基片中心点,膜的厚度越小;当靶材与基片的倾斜角不为0°时,基片左右两侧膜厚不对称分布,靠近靶材一侧的薄膜厚度大于远离靶材一侧的薄膜厚度,倾斜角越大,两侧膜厚的差异越大,膜厚最大的点不在基片中心处,而是偏向靠近靶材的一端,倾斜角越大,偏离越明显。靶基距增大,所形成的膜厚度均匀性提高,但与靶基距较小时相比,相同时间内沉积的膜厚度要低得多。【结论】PLD制备InGaN薄膜过程中,基片各处上的薄膜受倾斜角和靶基距的影响,厚度不均匀,存在一个厚度分布。 展开更多

关键词 INGAN 太阳电池 pld 膜厚分布

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激光在硅基底沉积类金刚石膜的光学应用 被引量：8

10

作者 程勇 郭延龙 +3 位作者 王淑云 米朝伟 丁方正 万强 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第5期875-878,共4页

研究了氧气氛和掺硅对类金刚石（DLC）膜性能的影响机理。采用飞秒激光烧蚀石墨靶材,通过氧气氛、掺硅和离轴平移旋转等技术,在硅基底上镀制出比传统工艺透过率、硬度、附着力和稳定性等性能更优的无氢DLC膜。实验验证了随着氧气氛压强... 研究了氧气氛和掺硅对类金刚石（DLC）膜性能的影响机理。采用飞秒激光烧蚀石墨靶材,通过氧气氛、掺硅和离轴平移旋转等技术,在硅基底上镀制出比传统工艺透过率、硬度、附着力和稳定性等性能更优的无氢DLC膜。实验验证了随着氧气氛压强的增大,样片透过率先增大后减小,存在一个最佳气压（2 Pa）。并且掺硅有助于改善DLC膜的性能,掺硅量也存在一个最佳值。在3-5μm波段,正面镀DLC膜、背面镀普通增透膜的硅红外窗口的平均透过率≥91.7%,DLC膜的纳米硬度高达40-50 GPa,且通过军标规定的高温、低温、湿热、盐雾、重摩擦等环境实验,满足光学窗口工程应用的要求。 展开更多

关键词 激光沉积 类金刚石膜 硅基底 光学应用

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脉冲激光沉积法沉积类金刚石薄膜的实验研究 被引量：6

11

作者 罗乐 赵读亮 +3 位作者 储雅琼 汪毅 马跃 陶汝华 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期759-763,共5页

为了研究脉冲激光沉积法中衬底温度和距离对类金刚石薄膜的影响,首先温度保持在200℃,靶和衬底间的距离分别取25.0 mm和30.0 mm来沉积类金刚石膜。其次温度保持在400℃,距离分别取25.0 mm和30.0 mm来沉积类金刚石膜。用Raman光谱仪对薄... 为了研究脉冲激光沉积法中衬底温度和距离对类金刚石薄膜的影响,首先温度保持在200℃,靶和衬底间的距离分别取25.0 mm和30.0 mm来沉积类金刚石膜。其次温度保持在400℃,距离分别取25.0 mm和30.0 mm来沉积类金刚石膜。用Raman光谱仪对薄膜的微观结构进行检测,用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行检测。实验结果表明:距离增加或者温度升高都会导致类金刚石薄膜的密度和sp^3/sp^2的比值减小,薄膜中石墨晶粒的数量增多和体积增大。近距离时温度的变化和低温时距离的变化对薄膜微观结构产生的影响更明显。距离和温度的变化对类金刚石薄膜的表面形貌也产生显著的影响。 展开更多

关键词 激光技术 脉冲激光沉积法 类金刚石薄膜 微观结构 表面形貌

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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究 被引量：6

12

作者 李庚伟 吴正龙 +3 位作者 杨锡震 杨少延 张建辉 刘志凯 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期174-179,共6页

利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析 .用该法可生长出正化学比的ZnO ,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙 ,工艺还有待进一步改进 .

关键词 ZnO/Si异质结构 X射线光电子能谱 氧离子束辅助 薄膜 激光器

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光溅射镀膜均匀性的优化模拟 被引量：4

13

作者 王晟 叶景峰 +3 位作者 刘晶儒 白婷 叶锡生 王立君 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1543-1546,共4页

为了改善脉冲激光溅射沉积大面积薄膜的均匀性,发展了基片离轴旋转的扫描技术.根据基片离轴旋转的基本原理和等离子体羽空间余弦分布规律,建立了径向膜厚分布公式.数值模拟了各种因素对基片离轴旋转扫描沉积薄膜均匀性的影响.分析表明,... 为了改善脉冲激光溅射沉积大面积薄膜的均匀性,发展了基片离轴旋转的扫描技术.根据基片离轴旋转的基本原理和等离子体羽空间余弦分布规律,建立了径向膜厚分布公式.数值模拟了各种因素对基片离轴旋转扫描沉积薄膜均匀性的影响.分析表明,优化粒子束中心与基片中心偏置距离、溅射点与基片的距离是改善基片离轴旋转扫描镀膜均匀性的主要途径.同时也考虑了电机转速、镀膜时间和激光重频的影响.通过参量优化,当均匀度要求在95%时,计算得到薄膜的最大半径超过40mm. 展开更多

关键词 薄膜 基片离轴旋转扫描 均匀性 脉冲激光镀膜

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ZnS薄膜脉冲激光沉积及其发光特性 被引量：9

14

作者 纠智先 张兵临 姚宁 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期620-624,共5页

综述了ZnS的发光机制 ,脉冲激光沉积 (PLD)制备薄膜的原理、特点 ,分析了在用PLD制备ZnS过程中各主要沉积条件对成膜质量的影响 ,展望了ZnS薄膜的应用前景。

关键词 脉冲激光沉积 ZNS薄膜 等离子体 纳米材料

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脉冲激光沉积法制备ZnO基薄膜研究进展 被引量：12

15

作者 董伟伟 陶汝华 方晓东 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期1-9,共9页

作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ半导体材料, ZnO具有优良的光学和电学性能,在紫外光发射器件、自旋功能器件、气体探测器、表面声波器件等领域有着广阔的应用前景。首先介绍了ZnO材料和脉冲激光溅射法的一些相关内容,然后从材料制备角度着重阐述... 作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ半导体材料, ZnO具有优良的光学和电学性能,在紫外光发射器件、自旋功能器件、气体探测器、表面声波器件等领域有着广阔的应用前景。首先介绍了ZnO材料和脉冲激光溅射法的一些相关内容,然后从材料制备角度着重阐述了目前利用脉冲激光沉积法(PLD)制备ZnO基薄膜的若干重要研究方向,例如p型掺杂、 p-n结的制备、 Mg掺杂、 Cd掺杂和磁性离子掺杂等。 展开更多

关键词 激光技术 半导体材料 脉冲激光沉积法 ZnO基薄膜

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短脉冲XeCl激光动力学模型及辉光抽运设计 被引量：4

16

作者 任韧 陈长乐 +5 位作者 朱世华 徐进 金克新 王永仓 袁孝 宋宙模 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期434-437,448,共5页

以薄膜沉积、外延生长及后续的光刻、激光与物质的相互作用、等离子体研究为目的 ,研究了XeCl动力学模型及辉光实现。采用辉光脉冲放电方法 ,实现了激光输出 ,根据动力学方程、XeCl激光四能级模型 ,计算了Xe Cl反应速率及密度。结果表... 以薄膜沉积、外延生长及后续的光刻、激光与物质的相互作用、等离子体研究为目的 ,研究了XeCl动力学模型及辉光实现。采用辉光脉冲放电方法 ,实现了激光输出 ,根据动力学方程、XeCl激光四能级模型 ,计算了Xe Cl反应速率及密度。结果表明 ,辉光放电稳定 ,激光脉宽短 ,功率高 ,辉光放电体积大 ,激光脉宽 18ns,单脉冲能量4 5 0mJ ,矩形光斑 2cm× 1cm ,束散角 3mrad。动力学分析和系统模型成立 。 展开更多

关键词 XECL准分子激光 纳秒放电 脉冲激光沉积技术 辉光放电

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脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能 被引量：4

17

作者 彭真 阴生毅 +3 位作者 郑强 王欣欣 王宇 李阳 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第3期754-757,共4页

为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求,该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaOSc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线,并探讨了发射机制。结果表明,在1100?C工作温度下,该阴极的零场发射... 为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求,该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaOSc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线,并探讨了发射机制。结果表明,在1100?C工作温度下,该阴极的零场发射电流密度达到305.5 A/cm2;阴极表面形成的Ba-Sc-Sr-O活性层是阴极获得高发射性能的主要原因。文章还利用半导体模型解释了该阴极的非正常肖特基效应。 展开更多

关键词 钪型阴极 半导体模型 脉冲激光沉积 非正常肖特基效应

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飞秒激光沉积β-FeSi_2／Si半导体膜及光学性能研究 被引量：2

18

作者 周幼华 陆培祥 +2 位作者 杨光 杨义发 郑启光 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期545-549,共5页

采用飞秒脉冲激光沉积法在Si(100)和Si(111)单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜;用X射线衍射(XRD),场扫描电镜(FESEM),能谱仪(EDX),傅立叶红外拉曼谱仪(FTRIS)研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能．观察到了β-FeSi2在Si... 采用飞秒脉冲激光沉积法在Si(100)和Si(111)单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜;用X射线衍射(XRD),场扫描电镜(FESEM),能谱仪(EDX),傅立叶红外拉曼谱仪(FTRIS)研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能．观察到了β-FeSi2在Si单晶基片上的生长与晶面取向有关的证据,并在室温(20℃)下观测到β-FeSi2薄膜的光致发光,其发光波长为1．53μm;在氩离子514nm激光的激发下,在192．0和243．9cm-1等位置观察到β-FeSi2的拉曼散射峰． 展开更多

关键词 Β-FESI2 飞秒 脉冲激光沉积法(pld) 光致发光

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脉冲激光沉积BNT和KNN系陶瓷薄膜的比较研究 被引量：3

19

作者 陆雷 肖定全 +2 位作者 赁敦敏 张永彬 朱建国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1349-1354,共6页

利用脉冲激光沉积技术(PLD),在不同的制备工艺条件下,分别在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)系列的Bi0.5(Na0.7K0.2Li0.1)0.5TiO3(BNKLT)和K0.5Na0.5NbO3(KNN)系列的Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3(KNNLT)无铅... 利用脉冲激光沉积技术(PLD),在不同的制备工艺条件下,分别在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)系列的Bi0.5(Na0.7K0.2Li0.1)0.5TiO3(BNKLT)和K0.5Na0.5NbO3(KNN)系列的Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3(KNNLT)无铅压电陶瓷薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构及表面形貌进行了比较研究。研究结果表明:薄膜的衬底温度、沉积室的氧气压力和薄膜的热处理温度对BNT和KNN薄膜结构和形貌都有较大影响,且影响程度不同;在最佳制备工艺参数下,利用PLD制备的BNT和KNN无铅压电陶瓷薄膜都具有精细的表面结构。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 BNT KNN 无铅压电薄膜

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脉冲激光制备ZnO压敏电阻薄膜 被引量：8

20

作者 王豫 安承武 +1 位作者 戴星 白彦东 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第5期358-360,F004,共4页

利用脉冲激光沉积技术，在光学玻璃基片上制备了性能良好的ＺｎＯ压敏多晶薄膜，其非线性系数α≥６，压敏转折电压约为３．５Ｖ。对不同制备条件下沉积样品的ＸＲＤ分析表明，形成非线性的决定因素是其中存在ＺｎＯ相，Ｚｎ７Ｓｂ２Ｏ... 利用脉冲激光沉积技术，在光学玻璃基片上制备了性能良好的ＺｎＯ压敏多晶薄膜，其非线性系数α≥６，压敏转折电压约为３．５Ｖ。对不同制备条件下沉积样品的ＸＲＤ分析表明，形成非线性的决定因素是其中存在ＺｎＯ相，Ｚｎ７Ｓｂ２Ｏ１２尖晶石相及富Ｂｉ相，这与体材料的结论一致。我们发现。 展开更多

关键词 压敏电阻 薄膜 脉冲激光沉积 氧化锌

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