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(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的输运特性 被引量:3
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作者 刘红霞 宋久旭 张鹤鸣 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期520-523,共4页
建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带间隙约为0.48 eV;从其伏安特... 建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带间隙约为0.48 eV;从其伏安特性可以看出,在正负偏压下开启电压为+2.0 V和-1.6 V. 展开更多
关键词 碳纳米管 碳化硅纳米管 异质结 输运特性 非平衡格林函数
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以多晶硅线切割废料为主要原料制备碳化硅陶瓷的研究 被引量:3
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作者 周健儿 冯勇 肖卓豪 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2013年第1期61-65,共5页
以多晶硅线切割废料为主要原料、添加适量碳化硅粉,经1420℃真空烧制获得了碳化硅陶瓷材料。研究了碳化硅粉加入量对碳化硅陶瓷制品体积密度、气孔率和抗折强度等性能的影响。研究结果表明:随碳化硅粉添加量的增加,材料的气孔率逐渐增... 以多晶硅线切割废料为主要原料、添加适量碳化硅粉,经1420℃真空烧制获得了碳化硅陶瓷材料。研究了碳化硅粉加入量对碳化硅陶瓷制品体积密度、气孔率和抗折强度等性能的影响。研究结果表明:随碳化硅粉添加量的增加,材料的气孔率逐渐增大、体积密度和抗折强度则呈现先增大后变小的趋势;当碳化硅粉的加入量为10wt%时,试样的体积密度达到最大值2.25g/cm3,抗折强度达到最大值99.8 MPa。 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷 多晶硅废料 气孔率 抗折强度
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基于TCAD技术的碳化硅槽栅MOSFET器件设计 被引量:2
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作者 刘彦娟 韩迪 贾德振 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2023年第11期142-147,共6页
针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题,设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构,通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管,在不使器件的其他电学特性退化的基础上,改善器件的反向恢复特... 针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题,设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构,通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管,在不使器件的其他电学特性退化的基础上,改善器件的反向恢复特性。基于TCAD工具——ATLAS二维的半导体工艺与器件仿真软件,对碳化硅槽栅MOSFET器件的I-V特性、击穿特性以及反向恢复特性进行了研究。研究结果表明,与常规的碳化硅槽栅MOSFET器件相比,新结构的反向恢复特性明显改善,反向恢复时间减小了48.8%,反向恢复电荷减小了94.1%,反向峰值电流减小了82.4%。 展开更多
关键词 碳化硅器件 槽栅MOSFET器件 反向恢复特性 多晶硅/碳化硅异质结 半导体功率器件
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