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(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的输运特性
被引量:
3
1
作者
刘红霞
宋久旭
张鹤鸣
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期520-523,共4页
建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带间隙约为0.48 eV;从其伏安特...
建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带间隙约为0.48 eV;从其伏安特性可以看出,在正负偏压下开启电压为+2.0 V和-1.6 V.
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关键词
碳纳米管
碳化硅纳米管
异质结
输运特性
非平衡格林函数
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职称材料
以多晶硅线切割废料为主要原料制备碳化硅陶瓷的研究
被引量:
3
2
作者
周健儿
冯勇
肖卓豪
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2013年第1期61-65,共5页
以多晶硅线切割废料为主要原料、添加适量碳化硅粉,经1420℃真空烧制获得了碳化硅陶瓷材料。研究了碳化硅粉加入量对碳化硅陶瓷制品体积密度、气孔率和抗折强度等性能的影响。研究结果表明:随碳化硅粉添加量的增加,材料的气孔率逐渐增...
以多晶硅线切割废料为主要原料、添加适量碳化硅粉,经1420℃真空烧制获得了碳化硅陶瓷材料。研究了碳化硅粉加入量对碳化硅陶瓷制品体积密度、气孔率和抗折强度等性能的影响。研究结果表明:随碳化硅粉添加量的增加,材料的气孔率逐渐增大、体积密度和抗折强度则呈现先增大后变小的趋势;当碳化硅粉的加入量为10wt%时,试样的体积密度达到最大值2.25g/cm3,抗折强度达到最大值99.8 MPa。
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关键词
碳化硅陶瓷
多晶硅废料
气孔率
抗折强度
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职称材料
基于TCAD技术的碳化硅槽栅MOSFET器件设计
被引量:
2
3
作者
刘彦娟
韩迪
贾德振
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2023年第11期142-147,共6页
针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题,设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构,通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管,在不使器件的其他电学特性退化的基础上,改善器件的反向恢复特...
针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题,设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构,通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管,在不使器件的其他电学特性退化的基础上,改善器件的反向恢复特性。基于TCAD工具——ATLAS二维的半导体工艺与器件仿真软件,对碳化硅槽栅MOSFET器件的I-V特性、击穿特性以及反向恢复特性进行了研究。研究结果表明,与常规的碳化硅槽栅MOSFET器件相比,新结构的反向恢复特性明显改善,反向恢复时间减小了48.8%,反向恢复电荷减小了94.1%,反向峰值电流减小了82.4%。
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关键词
碳化硅器件
槽栅MOSFET器件
反向恢复特性
多晶硅/碳化硅异质结
半导体功率器件
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职称材料
题名
(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的输运特性
被引量:
3
1
作者
刘红霞
宋久旭
张鹤鸣
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
西安石油大学电子工程学院
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期520-523,共4页
基金
国家部委预研基金资助项目(51308040203)
文摘
建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带间隙约为0.48 eV;从其伏安特性可以看出,在正负偏压下开启电压为+2.0 V和-1.6 V.
关键词
碳纳米管
碳化硅纳米管
异质结
输运特性
非平衡格林函数
Keywords
carbon nanotube
silicon
carbide
nanotube
heterojunct
ion
transport properties
nonequilibrium Green's function
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
以多晶硅线切割废料为主要原料制备碳化硅陶瓷的研究
被引量:
3
2
作者
周健儿
冯勇
肖卓豪
机构
景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院
出处
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2013年第1期61-65,共5页
文摘
以多晶硅线切割废料为主要原料、添加适量碳化硅粉,经1420℃真空烧制获得了碳化硅陶瓷材料。研究了碳化硅粉加入量对碳化硅陶瓷制品体积密度、气孔率和抗折强度等性能的影响。研究结果表明:随碳化硅粉添加量的增加,材料的气孔率逐渐增大、体积密度和抗折强度则呈现先增大后变小的趋势;当碳化硅粉的加入量为10wt%时,试样的体积密度达到最大值2.25g/cm3,抗折强度达到最大值99.8 MPa。
关键词
碳化硅陶瓷
多晶硅废料
气孔率
抗折强度
Keywords
silicon
carbide
polysilicon
line cutting waste
porosity
flexure strength
分类号
TQ174.75 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
基于TCAD技术的碳化硅槽栅MOSFET器件设计
被引量:
2
3
作者
刘彦娟
韩迪
贾德振
机构
沈阳航空航天大学电子信息工程学院
出处
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2023年第11期142-147,共6页
基金
辽宁省科技厅资助项目(2021-BS-192)
辽宁省教育厅资助项目(LJKZ0174)
辽宁省教改资助项目(辽教办〔2021〕254号)。
文摘
针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题,设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构,通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管,在不使器件的其他电学特性退化的基础上,改善器件的反向恢复特性。基于TCAD工具——ATLAS二维的半导体工艺与器件仿真软件,对碳化硅槽栅MOSFET器件的I-V特性、击穿特性以及反向恢复特性进行了研究。研究结果表明,与常规的碳化硅槽栅MOSFET器件相比,新结构的反向恢复特性明显改善,反向恢复时间减小了48.8%,反向恢复电荷减小了94.1%,反向峰值电流减小了82.4%。
关键词
碳化硅器件
槽栅MOSFET器件
反向恢复特性
多晶硅/碳化硅异质结
半导体功率器件
Keywords
silicon
carbide
devices
trench gate MOSFET device
reverse recovery characteristics
polysilicon/silicon carbide heterojunctions
semiconductor power devices
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的输运特性
刘红霞
宋久旭
张鹤鸣
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
以多晶硅线切割废料为主要原料制备碳化硅陶瓷的研究
周健儿
冯勇
肖卓豪
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2013
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于TCAD技术的碳化硅槽栅MOSFET器件设计
刘彦娟
韩迪
贾德振
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2023
2
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职称材料
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