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非制冷红外微测辐射热计的研制
被引量：
6
1
作者
刘西钉
江美玲
+3 位作者
冯晓梅
丁爱娣
梁平治
沈学础
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期459-462,共4页
采用多晶硅薄膜材料作为热敏电阻材料，以普通的ＩＣ工艺及微机械加工技术研制成功了在室温下工作的红外微测辐射热计，其多晶硅电阻温度系数为－２％℃－１，探测率Ｄ＊达２×１０８ｃｍ·Ｈｚ１／２·Ｗ－１．
关键词
多晶硅
非制冷
微测辐射热计
红外
辐射热计
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职称材料
多晶锗硅室温微测辐射热计线性阵列的研制
2
作者
董良
岳瑞峰
刘理天
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期238-243,共6页
采用超高真空气相淀积系统 ( UHVCVD)制备了多晶锗硅薄膜 ( poly-Si0 .7Ge0 .3) ,研究了它的退火特性和电阻温度特性。将多晶锗硅薄膜电阻作为微测辐射热计的敏感元件 ,采用体硅微机械加工技术制作了 8× 1桥式微测辐射热计线性阵...
采用超高真空气相淀积系统 ( UHVCVD)制备了多晶锗硅薄膜 ( poly-Si0 .7Ge0 .3) ,研究了它的退火特性和电阻温度特性。将多晶锗硅薄膜电阻作为微测辐射热计的敏感元件 ,采用体硅微机械加工技术制作了 8× 1桥式微测辐射热计线性阵列 ,优化设计的微桥由两臂支撑 ,支撑臂的长和宽分别为 2 2 0 μm和 8μm,桥面面积为 80μm× 80μm。测试结果表明 ,在 773 K黑体源 8～ 1 4μm红外辐射下 ,调制频率为 3 0 Hz时 ,阵列中各单元的电压响应率为 6.2 3 k V/W～ 6.40 k V/W,探测率为 2 .2 4× 1 0 8cm Hz1 /2 W- 1～ 2 .3 3× 1 0 8cm Hz1 /2 W- 1 ,热响应时间为2 1 .2 ms～ 2 2 .1 ms,表明了器件具有较高的性能及较好的一致性。
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关键词
多晶锗硅
室温微测辐射热计
微机械
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职称材料
题名
非制冷红外微测辐射热计的研制
被引量：
6
1
作者
刘西钉
江美玲
冯晓梅
丁爱娣
梁平治
沈学础
机构
中国科学院上海技术物理研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期459-462,共4页
文摘
采用多晶硅薄膜材料作为热敏电阻材料，以普通的ＩＣ工艺及微机械加工技术研制成功了在室温下工作的红外微测辐射热计，其多晶硅电阻温度系数为－２％℃－１，探测率Ｄ＊达２×１０８ｃｍ·Ｈｚ１／２·Ｗ－１．
关键词
多晶硅
非制冷
微测辐射热计
红外
辐射热计
Keywords
poly si
,
uncooled microbolometer
分类号
O551.1 [理学—热学与物质分子运动论]
TK113 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
多晶锗硅室温微测辐射热计线性阵列的研制
2
作者
董良
岳瑞峰
刘理天
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期238-243,共6页
基金
国家自然科学基金 ( No.5 9995 5 5 0 -1)
清华大学 985基金资助项目
文摘
采用超高真空气相淀积系统 ( UHVCVD)制备了多晶锗硅薄膜 ( poly-Si0 .7Ge0 .3) ,研究了它的退火特性和电阻温度特性。将多晶锗硅薄膜电阻作为微测辐射热计的敏感元件 ,采用体硅微机械加工技术制作了 8× 1桥式微测辐射热计线性阵列 ,优化设计的微桥由两臂支撑 ,支撑臂的长和宽分别为 2 2 0 μm和 8μm,桥面面积为 80μm× 80μm。测试结果表明 ,在 773 K黑体源 8～ 1 4μm红外辐射下 ,调制频率为 3 0 Hz时 ,阵列中各单元的电压响应率为 6.2 3 k V/W～ 6.40 k V/W,探测率为 2 .2 4× 1 0 8cm Hz1 /2 W- 1～ 2 .3 3× 1 0 8cm Hz1 /2 W- 1 ,热响应时间为2 1 .2 ms～ 2 2 .1 ms,表明了器件具有较高的性能及较好的一致性。
关键词
多晶锗硅
室温微测辐射热计
微机械
Keywords
poly
-
si
Ge
uncooled microbolometer
micromachining
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非制冷红外微测辐射热计的研制
刘西钉
江美玲
冯晓梅
丁爱娣
梁平治
沈学础
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
6
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职称材料
2
多晶锗硅室温微测辐射热计线性阵列的研制
董良
岳瑞峰
刘理天
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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职称材料
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