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pnp型SiGe HBT的制备研究 被引量:2
1
作者 王喜媛 张鹤鸣 +3 位作者 刘道广 郑娥 张静 徐婉静 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期34-36,62,共4页
从pnp型Si/SiGeHBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGeHBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1-xGex合金材料,并对Si/Si1-xGex合金材料的物理特征和异质结特性进行表征,在重庆固体电子研究所工艺线上,研制出了pnp型Si/SiGeHBT器件。器件参数... 从pnp型Si/SiGeHBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGeHBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1-xGex合金材料,并对Si/Si1-xGex合金材料的物理特征和异质结特性进行表征,在重庆固体电子研究所工艺线上,研制出了pnp型Si/SiGeHBT器件。器件参数为:Vcb0=9V,Vce0=2.5V,Veb0=5V,β=10。 展开更多
关键词 pnp型sigehbt 禁带宽度 Ge组分 能带 异质结双极晶体管
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PNP型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究 被引量:1
2
作者 王喜媛 张鹤鸣 +1 位作者 戴显英 胡辉勇 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第6期8-11,20,共5页
在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认为其它条件相同时,梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大,... 在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认为其它条件相同时,梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,本文从能带结构和势垒角度对此进行讨论。 展开更多
关键词 pnp型sigehbt 电流增益 异质结晶体管 计算机模拟 锗组分
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PNP和NPN型异质结双极晶体管的不同设计考虑
3
作者 严北平 罗晋生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期212-217,共6页
PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同,这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨论了PNP和NPN两种类型的异质结双极晶体管各自外延层的设计... PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同,这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨论了PNP和NPN两种类型的异质结双极晶体管各自外延层的设计考虑。 展开更多
关键词 异质结 双极晶体管 pnp HBT NPN
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PNP型HBT基极接触阻抗的理论估算
4
作者 张鹤鸣 严北平 戴显英 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期197-203,共7页
给出了非合金接触情况下 ,PNP型 HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律 。
关键词 pnp 异质结晶体管 比接触电阻 基极接触阻抗 集总元件模
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pnp型SiGe HBT特性与Ge组分分布的相关性
5
作者 王喜媛 张鹤鸣 +1 位作者 戴显英 胡辉勇 《微纳电子技术》 CAS 2003年第5期6-12,共7页
在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。本文就基区中Ge组分分布的三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并对结果进行讨论,发现其他条件相同时,梯形分布的pnp SiGe HBT... 在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。本文就基区中Ge组分分布的三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并对结果进行讨论,发现其他条件相同时,梯形分布的pnp SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge组分的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,而特征频率情况类似。 展开更多
关键词 pnpSiGe HBT GE组分分布 矩形分布 三角形分布 梯形分布 直流放大系数 特征频率
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国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS 被引量:1
6
作者 魏昕宇 陆妩 +6 位作者 李小龙 王信 孙静 于新 姚帅 刘默寒 郭旗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期369-374,共6页
研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad(Si)/s和0.01 rad(Si)/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad(Si)时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总... 研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad(Si)/s和0.01 rad(Si)/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad(Si)时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和。相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间。两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS),且在反偏下ELDRS更显著。并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨。 展开更多
关键词 国产pnp双极晶体管 宽总剂量范围 低剂量率损伤增强效应(ELDRS) 辐射损伤 剂量率
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钝感高能传爆药中多硝基聚苯撑测定方法研究
7
作者 白红娟 张景林 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期115-117,共3页
本文利用 75 1G型紫外分光光度计测定了钝感高能传爆药中多硝基聚苯撑的含量。该法不需要吸收曲线交点和等吸收点 ,具有较好的回归稳定性。用于测定钝感高能传爆药中多硝基聚苯撑的含量 ,其平均回收率为 10 0 .5 % (n =8,RSD =2 .5 % ) ... 本文利用 75 1G型紫外分光光度计测定了钝感高能传爆药中多硝基聚苯撑的含量。该法不需要吸收曲线交点和等吸收点 ,具有较好的回归稳定性。用于测定钝感高能传爆药中多硝基聚苯撑的含量 ,其平均回收率为 10 0 .5 % (n =8,RSD =2 .5 % ) ,标准偏差小于 0 .0 5 % (n =8) 。 展开更多
关键词 钝感 高能传爆药 多硝基聚苯 751G紫外分光光度计 实验 定量分析 HMX pnp
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RESEARCH ON THE ESTIMATE OF SAFETY AND TOXICITY OF P-NITROPHENOL SODIUM WITHA PHYSIOLOGICALLY BASED PHARMACOKINETICS MODEL
8
作者 高强 N.Kurihara +1 位作者 H.Yanagisawa O.Wada 《Chinese Medical Sciences Journal》 CAS CSCD 1997年第1期32-36,共5页
The safety and toxicity of chemicals given first to animals and finally to humans are generally estimated with a method of safe coefficient, which is scientifically a way lack of grounds. To make a change of the old m... The safety and toxicity of chemicals given first to animals and finally to humans are generally estimated with a method of safe coefficient, which is scientifically a way lack of grounds. To make a change of the old method, we designed a Physiologically Based Pharmacokinetics Medel for the estimate of safety and toxicity of chemicais. As an example,p-nitrophenol sodium (PNP-Na) is used in the research work. Studies of the PNP-Na pharmacokinetics in bodies of rat as well as humans are made, and possibilities of making use of the Model in the estimate of safety and toxicity of chemicals are discussed. 展开更多
关键词 physiologically based pharmacokinetics model (PBPK ) p-nitrophenol sodium (pnp-Na) estimation of safety of chemical
全文增补中
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