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一种基于相变存储器的高速读出电路设计
被引量：
4
1
作者
李晓云
陈后鹏
+3 位作者
雷宇
李喜
王倩
宋志棠
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第8期936-942,共7页
通过对相变存储器中的读出电路进行改进,以提升存储器的读出速度;通过降低读出电路中灵敏放大器输出端电压摆幅,使得输出端电压提早到达交点,显著减小了读出时间;同时,基于中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)40 nm的互补金属氧化物半导...
通过对相变存储器中的读出电路进行改进,以提升存储器的读出速度;通过降低读出电路中灵敏放大器输出端电压摆幅,使得输出端电压提早到达交点,显著减小了读出时间;同时,基于中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)40 nm的互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片制造工艺,利用8 Mb相变存储器芯片对改进的新型高速读出电路进行验证,并对新型电路的数据读出正确性进行仿真分析.结果表明:在读Set态相变电阻(执行Set操作后的低电阻)时,新型电路与传统读出电路的读出时间均小于1 ns;在读Reset态相变电阻(执行Reset操作后的高电阻)时,新型电路相比传统读出电路的读出速度提高了35.0%以上.同时,采用蒙特卡洛仿真方法所得Reset态相变电阻的读出结果表明:在最坏的情况下,相比传统读出电路的读出时间(111 ns),新型电路的读出时间仅为58 ns;新型电路在最低Reset态相变电阻(RGST=500 kΩ)时的读出正确率仍可达98.8%.
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关键词
相变存储器
读出电路
灵敏放大器
位线箝位电路
高速
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职称材料
题名
一种基于相变存储器的高速读出电路设计
被引量：
4
1
作者
李晓云
陈后鹏
雷宇
李喜
王倩
宋志棠
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
信息功能材料国家重点实验室
中国科学院大学
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第8期936-942,共7页
基金
国家重点研发计划(2017YFA0206101)
中国科学院战略性先导科技专项(XDA09020402)
+3 种基金
国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003)
国家自然科学基金项目(61376006,61401444,61504157,61622408)
上海市科学技术委员会项目(17DZ2291300)
上海市青年科技英才扬帆计划(19YF1456100)
文摘
通过对相变存储器中的读出电路进行改进,以提升存储器的读出速度;通过降低读出电路中灵敏放大器输出端电压摆幅,使得输出端电压提早到达交点,显著减小了读出时间;同时,基于中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)40 nm的互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片制造工艺,利用8 Mb相变存储器芯片对改进的新型高速读出电路进行验证,并对新型电路的数据读出正确性进行仿真分析.结果表明:在读Set态相变电阻(执行Set操作后的低电阻)时,新型电路与传统读出电路的读出时间均小于1 ns;在读Reset态相变电阻(执行Reset操作后的高电阻)时,新型电路相比传统读出电路的读出速度提高了35.0%以上.同时,采用蒙特卡洛仿真方法所得Reset态相变电阻的读出结果表明:在最坏的情况下,相比传统读出电路的读出时间(111 ns),新型电路的读出时间仅为58 ns;新型电路在最低Reset态相变电阻(RGST=500 kΩ)时的读出正确率仍可达98.8%.
关键词
相变存储器
读出电路
灵敏放大器
位线箝位电路
高速
Keywords
phase-change
random
access
memory
(
pcram
)
read circuit
sense amplifier(SA)
bit line clamp circuit
high-speed
分类号
TN702 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种基于相变存储器的高速读出电路设计
李晓云
陈后鹏
雷宇
李喜
王倩
宋志棠
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
4
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
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