VO_(2)薄膜材料的变温光学性质及1550 nm激光防护性能研究

1

作者 段嘉欣 江林 +6 位作者 郑国彬 丁长春 黄敬国 刘奕 高艳卿 周炜 黄志明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期150-157,共8页

具有半导体-金属态相变性质的二氧化钒材料可用于光电探测器的激光致盲防护。本文报道了基于磁控溅射法制备二氧化钒薄膜材料的结构、形貌特性,以及在不同温度下的光学性质。使用椭偏光谱法测量了20~100℃下可见-近红外波段二氧化钒材... 具有半导体-金属态相变性质的二氧化钒材料可用于光电探测器的激光致盲防护。本文报道了基于磁控溅射法制备二氧化钒薄膜材料的结构、形貌特性,以及在不同温度下的光学性质。使用椭偏光谱法测量了20~100℃下可见-近红外波段二氧化钒材料的椭偏参数,利用Gaussian、Lorentz模型获取了薄膜在相变前的光学性质,结合Drude模型拟合获取了材料在相变后的光学特性,获取了材料在300~1700 nm之间的变温折射率和消光系数等参数。变功率下1550 nm红外激光透射率的实验测试研究表明,VO_(2)薄膜样品的相变阈值功率为12 W/cm^(2),相变前后透射率由51%减小到15%~17%,开关率为69%。 展开更多

关键词 激光防护 二氧化钒薄膜 半导体-金属态相变 红外光学性质

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧化钒薄膜的结构、性能及制备技术的相关性 被引量：18

2

作者 袁宁一 李金华 林成鲁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期572-575,共4页

氧化钒薄膜及其在微电子和光电子领域中的应用已成为国际上新颖功能材料研究的热点之一。本文综述了V2 O5和VO2 薄膜电学性能与薄膜组分和结构的相关性 。

关键词 氧化钒薄膜 相变 热电阻温度系数 功能材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶粒尺寸对氧化钒薄膜电学与光学相变特性的影响 被引量：6

3

作者 梁继然 胡明 +3 位作者 阚强 陈涛 梁秀琴 陈弘达 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期58-62,74,共6页

采用直流对靶磁控溅射方法制备氧化钒薄膜,通过改变热处理温度获得了具有不同晶粒尺寸的相变特性氧化钒薄膜,对氧化钒薄膜相变过程中电阻和红外光透射率随温度的突变性能进行研究。结果表明:经300℃和360℃热处理后,薄膜内二氧化钒原子... 采用直流对靶磁控溅射方法制备氧化钒薄膜,通过改变热处理温度获得了具有不同晶粒尺寸的相变特性氧化钒薄膜,对氧化钒薄膜相变过程中电阻和红外光透射率随温度的突变性能进行研究。结果表明:经300℃和360℃热处理后,薄膜内二氧化钒原子分数达到40%,氧化钒薄膜具有绝缘体-金属相变特性,薄膜的晶粒尺寸分别为50nm和100nm;经360℃热处理后,氧化钒薄膜表面变得致密,晶粒之间出现了联并;电学和光学相变特性的表征结果表明,电学与光学相变温度随晶粒尺寸的增加而减小;电学相变持续的温度宽度为30℃,而光学相变持续的温度宽度仅为8℃,相变持续的温度宽度保持不变。 展开更多

关键词 氧化钒薄膜 晶粒尺寸 光学相变

在线阅读 下载PDF 职称材料

工业VO_2薄膜的电阻突变及其稳定性 被引量：3

4

作者 杨绍利 徐楚韶 +1 位作者 陈厚生 胡再勇 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期925-930,共6页

以工业V2 O5为原料 ,采用热分解法和还原法制备工业VO2 薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明 :1)VO2 薄膜的电阻突变达到了 2 .0～ 3.4个数量级 ,突变温度约为 35℃ ,比纯VO2 薄膜突变温... 以工业V2 O5为原料 ,采用热分解法和还原法制备工业VO2 薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明 :1)VO2 薄膜的电阻突变达到了 2 .0～ 3.4个数量级 ,突变温度约为 35℃ ,比纯VO2 薄膜突变温度约低 33℃ ;2 )石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级比普通玻璃上的大 ;3)H2 还原法制备的VO2 薄膜电阻突变数量级比N2 热分解法制备的大 ;4)在自然放置条件下短时间内VO2 薄膜可承受连续、反复多次的电阻突变 ,其突变数量级降低不多 ,突变温度滞后几乎没有变化 ;5 )同等条件下石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级降低较小。 展开更多

关键词 V2O5 VO2 薄膜 M-S相变 电阻突变 稳定性 热分解法 还原法 二氧化钒 金属—半导体相变

在线阅读 下载PDF 职称材料

纳秒激光作用下二氧化钒薄膜相变特性 被引量：6

5

作者 李宏哲 盛传祥 +5 位作者 厉申博 顾国华 任侃 陈钱 何伟基 袁国亮 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期290-294,共5页

采用脉冲激光沉积法制备了VO2薄膜,应用X射线衍射和X射线光电子能谱分析表明样品为多晶薄膜。采用泵浦-探针方法研究了二氧化钒薄膜的相变特性,实验结果表明当激光重复频率为160 Hz时,样品最小相变响应为12ns,相变恢复时间与激光能量按... 采用脉冲激光沉积法制备了VO2薄膜,应用X射线衍射和X射线光电子能谱分析表明样品为多晶薄膜。采用泵浦-探针方法研究了二氧化钒薄膜的相变特性,实验结果表明当激光重复频率为160 Hz时,样品最小相变响应为12ns,相变恢复时间与激光能量按照自然指数关系变化。仿真结果表明当激光能量一定时,二氧化钒薄膜相变恢复时间与衬底材料的热导率、热扩散系数有关。 展开更多

关键词 二氧化钒 脉冲激光沉积 光开关 相变响应

在线阅读 下载PDF 职称材料

二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性 被引量：6

6

作者 谢太斌 李金华 +3 位作者 谢建生 但迪迪 范利宁 袁宁一 《红外技术》 CSCD 北大核心 2005年第5期393-398,共6页

掺杂能明显改变二氧化钒薄膜的相变温度,影响其电学和光学性质。研究表明:W、Mo等大尺寸原子掺杂可以有效降低相变温度,而Al、P等小尺寸原子掺杂则使相变温度升高。综述、比较了不同掺杂方法和掺杂元素对相变、相变滞豫、电阻和透射性... 掺杂能明显改变二氧化钒薄膜的相变温度,影响其电学和光学性质。研究表明:W、Mo等大尺寸原子掺杂可以有效降低相变温度,而Al、P等小尺寸原子掺杂则使相变温度升高。综述、比较了不同掺杂方法和掺杂元素对相变、相变滞豫、电阻和透射性能的影响,介绍了用离子束增强沉积方法对二氧化钒薄膜掺杂改性的优点。综合分析表明,通过对二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性,将相变温度降至室温附近,可以大大提高薄膜的室温电阻温度系数。 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 掺杂改性 相变

在线阅读 下载PDF 职称材料

掺杂与热处理温度对VO_2薄膜性能的影响 被引量：16

7

作者 吴卫和 王德平 +1 位作者 黄文 秦建中 《建筑材料学报》 EI CAS CSCD 2006年第5期548-554,共7页

应用无机溶胶-凝胶法在玻璃基片上制得VO2薄膜样品,并研究了真空热处理温度和掺杂对VO2薄膜光电性能的影响.结果表明:在350,400,450℃真空热处理温度下得到的VO2薄膜,其相变温度大约都在65℃,其中400℃真空热处理温度下得到的VO2薄膜表... 应用无机溶胶-凝胶法在玻璃基片上制得VO2薄膜样品,并研究了真空热处理温度和掺杂对VO2薄膜光电性能的影响.结果表明:在350,400,450℃真空热处理温度下得到的VO2薄膜,其相变温度大约都在65℃,其中400℃真空热处理温度下得到的VO2薄膜表现出明显的电阻突变现象;在VO2薄膜中掺入W6+,Mo6+,Cu2+(原子比均为2%),VO2薄膜的相变温度得到有效降低,但是掺杂会使VO2薄膜的光学透过性降低. 展开更多

关键词 无机溶胶—凝胶法 二氧化钒薄膜 掺杂 相变

在线阅读 下载PDF 职称材料

射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响 被引量：3

8

作者 梁继然 胡明 +3 位作者 梁秀琴 阚强 陈涛 陈弘达 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期847-851,共5页

采用射频磁控溅射方法,结合氮气氛退火处理工艺制备二氧化钒薄膜,研究溅射功率对氧化钒薄膜电阻温度性能的影响.利用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对薄膜的结晶结构和成分进行了分析,利用四探针测试仪测试了样品的电阻温度特性.实验... 采用射频磁控溅射方法,结合氮气氛退火处理工艺制备二氧化钒薄膜,研究溅射功率对氧化钒薄膜电阻温度性能的影响.利用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对薄膜的结晶结构和成分进行了分析,利用四探针测试仪测试了样品的电阻温度特性.实验结果表明,在保持优化氧分压和热处理工艺条件不变的情况下,氧化钒薄膜的方块电阻随溅射功率的升高逐渐下降;经450,℃热处理后,氧化钒薄膜出现了明显的半导体-金属相变特性,相变的幅度随溅射功率的增加而逐渐下降;在溅射功率为150,W时,获得了相变幅度接近3个数量级的高性能二氧化钒薄膜. 展开更多

关键词 二氧化钒 溅射功率 相变 磁控溅射 薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

相变光透射特性具有窗口结构的VO_2薄膜 被引量：3

9

作者 卢勇 林理彬 +1 位作者 廖志君 何捷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期107-109,共3页

利用无机溶胶凝胶法制备出具有优良热致相变光学特性的ＶＯ２薄膜，通过改变制备过程中的条件，发现在一定的制备参数下，可得到光透射特性具有窗口形状的热致相变薄膜，该类薄膜相变前后在６００～８５０ｎｍ范围出现显著透光度窗口状... 利用无机溶胶凝胶法制备出具有优良热致相变光学特性的ＶＯ２薄膜，通过改变制备过程中的条件，发现在一定的制备参数下，可得到光透射特性具有窗口形状的热致相变薄膜，该类薄膜相变前后在６００～８５０ｎｍ范围出现显著透光度窗口状变化现象。利用ＸＲＤ、ＸＰＳ对相变光学特性具有窗口结构的薄膜和具有典型相变特性的薄膜进行对比分析，结果显示利用无机溶胶－凝胶法得到的薄膜表面没有衬底离子出现，衬底扩散离子主要存在于薄膜和衬底界面之间。通过对引起相变过程中光透射窗口状变化的原因进行讨论，得到薄膜在相变过程中出现透射光谱窗口状的变化是来源于Ｖ３＋和衬底扩散离子Ｎａ＋的共同作用。 展开更多

关键词 热致相变 光学性质 光学材料 二氧化钒薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

激光防护中VO_2薄膜的最佳膜厚计算 被引量：1

10

作者 徐凯 路远 +2 位作者 凌永顺 乔亚 唐聪 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期959-963,共5页

为实现 VO2薄膜在激光防护应用中的最佳膜厚设计，采用椭圆偏振法测试分别得到 Si基底 VO2薄膜低温半导体态与高温金属态的光学常数，基于具有吸收特性薄膜的透射率计算理论，结合 VO2薄膜用于激光防护的需求，计算得到适用于激光防护... 为实现 VO2薄膜在激光防护应用中的最佳膜厚设计，采用椭圆偏振法测试分别得到 Si基底 VO2薄膜低温半导体态与高温金属态的光学常数，基于具有吸收特性薄膜的透射率计算理论，结合 VO2薄膜用于激光防护的需求，计算得到适用于激光防护的最佳膜厚。为验证计算方法准确性，根据入射激光波长10．6μm 为例计算的最佳膜厚，采用直流磁控溅射法在 Si 基底上制备具有相应膜厚的薄膜，利用傅里叶变换红外光谱测试分析了该薄膜的红外透射率相变特性，结果表明其红外透射率具有明显相变特性，3～5μm 波段的红外透射率对比值达到99％，λ＝10．6μm 处相变前后的红外透射率分别为67．2％、4．2％，与理论计算透射率66．4％、3．3％误差较小，实测透射率对比值为93．8％，与理论预期95％基本相符，表明理论计算方法具有一定的准确性，根据最佳膜厚算法设计的 VO2薄膜适合应用于红外探测器的激光防护研究。 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 激光防护 最佳膜厚 磁控溅射法 红外相变特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

室温相变氧化钒薄膜的制备及其CO2激光毁伤试验

11

作者 乔亚 路远 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1137-1142,共6页

军事目标的抗强激光毁伤是亟待解决的热点难点问题,利用氧化钒的相变特性进行激光防护是当前这一领域的热点之一。本文采用直流磁控溅射加后续热处理的方法在普通玻璃基底上制备了氧化钒薄膜,通过测量其电阻温度特性曲线来观测其相变特... 军事目标的抗强激光毁伤是亟待解决的热点难点问题,利用氧化钒的相变特性进行激光防护是当前这一领域的热点之一。本文采用直流磁控溅射加后续热处理的方法在普通玻璃基底上制备了氧化钒薄膜,通过测量其电阻温度特性曲线来观测其相变特性,并利用功率为8.9 W、光斑直径为4.4 mm的二氧化碳连续激光分别照射用作基底的普通玻璃和制备的相变氧化钒薄膜样品进行激光毁伤试验。试验数据显示该薄膜的相变温度约为30°C,薄膜的双向光谱反射率在相变前后分别为13.48%和76.4%,用作基底的玻璃在激光照射7.5 s后破碎,而制备的薄膜样品在照射38 s后才破碎。这表明本文制备的室温相变氧化钒薄膜在相变后具有高反射特性,从而具有一定的抗强激光毁伤能力。 展开更多

关键词 激光防护 氧化钒薄膜 相变 磁控溅射

在线阅读 下载PDF 职称材料

低温热氧化处理温度与时间对氧化钒薄膜性能的影响

12

作者 梁继然 胡明 刘志刚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期43-47,共5页

采用直流对靶磁控溅射氧化钒薄膜再附加热氧化处理的方式进行金属－半导体相变特性氧化钒薄膜的制备，研究了低热处理温度下热处理温度与时间对氧化钒薄膜组分、晶体结构和相变性能的影响。新制备的氧化钒薄膜为V2O3和VO的混合相。经30... 采用直流对靶磁控溅射氧化钒薄膜再附加热氧化处理的方式进行金属－半导体相变特性氧化钒薄膜的制备，研究了低热处理温度下热处理温度与时间对氧化钒薄膜组分、晶体结构和相变性能的影响。新制备的氧化钒薄膜为V2O3和VO的混合相。经300℃／1h热处理后，薄膜内出现单斜结构VO2，薄膜具有相变特性；保持热处理时间不变，升高热处理温度至360℃，薄膜表面变得致密，致密的薄膜表面阻碍了氧气与薄膜内部V2O3和VO的反应，VO2成分含量与300℃／1h处理时的含量接近；增加热处理温度并延长热处理时间，如热处理条件为320℃／3h时，薄膜内VO2成分大量增多，电阻值变化幅度超过两个数量级；在300～360℃的热处理温度区间内，薄膜内V2O3和VO不断向VO2转变，相变性能变好，但对VO2的单斜金红石结构没有影响。 展开更多

关键词 相变氧化钒薄膜 低温热处理 直流对靶磁控溅射

在线阅读 下载PDF 职称材料

空气环境下制备相变特性VO_2薄膜

13

作者 刘洋 徐晓峰 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期743-746,共4页

提出了一种制备相变特性VO2薄膜的简易方法.将制备好的金属钒薄膜置于440℃空气下氧化处理,获得相变温度为60℃的单斜VO2薄膜,薄膜方块电阻值在60～85℃范围内变化量达2.2个数量级.X射线衍射分析(XRD)表明薄膜的主要成分为单斜相VO2.探... 提出了一种制备相变特性VO2薄膜的简易方法.将制备好的金属钒薄膜置于440℃空气下氧化处理,获得相变温度为60℃的单斜VO2薄膜,薄膜方块电阻值在60～85℃范围内变化量达2.2个数量级.X射线衍射分析(XRD)表明薄膜的主要成分为单斜相VO2.探索了此工艺的一般性规律,分析高价态钒对薄膜相变的影响. 展开更多

关键词 VO2薄膜 相变 空气环境 氧化 方块电阻

在线阅读 下载PDF 职称材料

掺杂与退火温度对VO_2薄膜性能的影响

14

作者 周序乐 唐振方 彭舒 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2008年第3期75-78,共4页

采用真空蒸发法在普通玻璃表面制备了VO2薄膜,研究了退火温度和掺杂对薄膜表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能的影响.结果表明:经400℃、420℃、450℃、500℃退火得到的VO2薄膜其表面形貌和晶体结构存在明显的差异,其中420℃退火... 采用真空蒸发法在普通玻璃表面制备了VO2薄膜,研究了退火温度和掺杂对薄膜表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能的影响.结果表明:经400℃、420℃、450℃、500℃退火得到的VO2薄膜其表面形貌和晶体结构存在明显的差异,其中420℃退火后的薄膜结晶形态良好,主要成分是VO2,在65℃左右表现出明显的电阻突变,常温下在波长1700nm附近薄膜的光透过率达59.9%;在VO2薄膜中掺入W6+,相变温度有所降低,但掺杂使薄膜光透过率降低. 展开更多

关键词 真空蒸发 VO2薄膜 掺杂 相变 光透过率

在线阅读 下载PDF 职称材料

二氧化钒薄膜智能窗的研究进展 被引量：7

15

作者 王超 赵丽 +5 位作者 王世敏 董兵海 万丽 许祖勋 梁子辉 宋成杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第A01期257-262,272,共7页

二氧化钒具有良好的半导体-金属相变特性,在常温下,二氧化钒的晶体结构为单斜晶系结构(M相),随着温度的升高达到相变温度,二氧化钒的晶型变成四方晶红石结构(R相),当温度降低到相变温度时,二氧化钒的晶型又变回单斜晶系结构(M相)。这种... 二氧化钒具有良好的半导体-金属相变特性,在常温下,二氧化钒的晶体结构为单斜晶系结构(M相),随着温度的升高达到相变温度,二氧化钒的晶型变成四方晶红石结构(R相),当温度降低到相变温度时,二氧化钒的晶型又变回单斜晶系结构(M相)。这种典型可逆热色特征,使二氧化钒成为当前建筑用智能窗材料的最佳选择。综述了近些年来制备VO_2薄膜的几种常用方法,并针对VO_2薄膜在热色智能窗应用方面存在的主要问题,从掺杂和复合薄膜结构两方面总结了提高VO_2薄膜性能的改进工艺,为推进VO_2薄膜智能窗的进一步研究提供了依据。 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 可逆热色 相变 智能窗 节能

在线阅读 下载PDF 职称材料

磁控溅射和热还原退火法制备VO_2薄膜及其性能 被引量：2

16

作者 张元元 李合琴 +1 位作者 胡仁杰 李辉 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期34-37,共4页

文章采用直流反应磁控溅射和热还原退火法制备VO2薄膜,研究了退火温度与时间对该薄膜相变和性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、红外光谱仪、LCR精密电桥对薄膜的形貌、结构组分、光学性能和变温电阻进行了测试与分... 文章采用直流反应磁控溅射和热还原退火法制备VO2薄膜,研究了退火温度与时间对该薄膜相变和性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、红外光谱仪、LCR精密电桥对薄膜的形貌、结构组分、光学性能和变温电阻进行了测试与分析。实验结果表明,溅射法制备的VO2薄膜主要为V2O5相,经过500℃/120min氢气热还原退火后,薄膜逐步转变为VO2相,电阻突变可达到2个数量级。 展开更多

关键词 氧化钒薄膜 磁控溅射 热还原退火法 电阻温度系数 相变

在线阅读 下载PDF 职称材料

搀杂二氧化钒薄膜研究进展 被引量：4

17

作者 范蕾蕾 耿浩然 丁留伟 《现代制造工程》 CSCD 北大核心 2009年第5期126-128,共3页

掺杂能明显改变二氧化钒(VO2)薄膜的相变温度,提高薄膜的电阻温度系数(TCR)。研究表明,W、Mo等大尺寸原子掺杂可以降低相变温度,相反Al、P小尺寸原子掺杂则使相变温度升高。综述掺杂改性的一般方法,各种不同掺杂元素对VO2薄膜相变、电... 掺杂能明显改变二氧化钒(VO2)薄膜的相变温度,提高薄膜的电阻温度系数(TCR)。研究表明,W、Mo等大尺寸原子掺杂可以降低相变温度,相反Al、P小尺寸原子掺杂则使相变温度升高。综述掺杂改性的一般方法,各种不同掺杂元素对VO2薄膜相变、电学性能和光学性能的影响,介绍掺杂VO2的最新研究进展,并为扩大其应用领域探讨今后的研究方向。 展开更多

关键词 VO2薄膜 掺杂改性 相变

在线阅读 下载PDF 职称材料

磁控溅射氧化钒薄膜的研究进展 被引量：5

18

作者 夏国宏 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期7-9,26,共4页

氧化钒因其优秀的相变特性和电阻开关特性而广受关注,在氧化钒薄膜多种制备工艺中,磁控溅射法优势明显。本文总结了近年来国内外研究者对磁控溅射法制备氧化钒薄膜的基础工艺研究成果,概述了不同溅射工艺对二氧化钒薄膜结晶特性及光学... 氧化钒因其优秀的相变特性和电阻开关特性而广受关注,在氧化钒薄膜多种制备工艺中,磁控溅射法优势明显。本文总结了近年来国内外研究者对磁控溅射法制备氧化钒薄膜的基础工艺研究成果,概述了不同溅射工艺对二氧化钒薄膜结晶特性及光学、电学性能的影响,并对相关机理进行了简要分析。相关结论对氧化钒薄膜的性能提高和应用扩展有一定的指导意义。 展开更多

关键词 氧化钒 薄膜 相变特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧化钒薄膜制备工艺现状及发展 被引量：1

19

作者 卫琛浩 朱军 +2 位作者 唐洋洋 韩梅 赵霞 《中国有色冶金》 北大核心 2015年第3期75-78,共4页

我国钒产业发展迅速,开发钒新材料是钒产业可持续发展的重要途径。氧化钒薄膜具有从半导体到金属态的可逆性相变性能,其作为热敏材料具有广阔的应用前景。本文分析了常见氧化钒薄膜制备工艺的特点及应用情况,指出存在的问题,对我国氧化... 我国钒产业发展迅速,开发钒新材料是钒产业可持续发展的重要途径。氧化钒薄膜具有从半导体到金属态的可逆性相变性能,其作为热敏材料具有广阔的应用前景。本文分析了常见氧化钒薄膜制备工艺的特点及应用情况,指出存在的问题,对我国氧化钒薄膜制备工艺的发展提出了建议。 展开更多

关键词 薄膜 钒氧化物 可逆相变 材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶格畸变对VO2相变温度的影响 被引量：1

20

作者 林铁贵 张玉芬 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期57-61,共5页

采用高功率脉冲磁控溅射在石英玻璃基片上成功制备了具有明显金属-绝缘体转变特性的多晶VO2薄膜,其最低相变温度仅为32℃。X射线衍射结果表明沉积薄膜的晶体结构均为存在明显晶格畸变的VO2(M),且薄膜(011)晶面间距越接近相变后VO2(R)(1... 采用高功率脉冲磁控溅射在石英玻璃基片上成功制备了具有明显金属-绝缘体转变特性的多晶VO2薄膜,其最低相变温度仅为32℃。X射线衍射结果表明沉积薄膜的晶体结构均为存在明显晶格畸变的VO2(M),且薄膜(011)晶面间距越接近相变后VO2(R)(110)晶面的晶面间距,相变温度越低。根据试验结果,利用从头算分子动力学分别对VO2金属-绝缘体相变过程的晶体结构与态密度演化规律进行了研究。结果表明:随计算温度升高,不同(011)晶面间距绝缘态超胞的晶体结构均逐渐由VO2(M)向VO2(R)转变,同时伴随着禁带宽度的逐渐降低,最终转变为费米能级完全被电子占据的金属态;初始VO2(M)超胞(011)面的晶面间距与相变后VO2(R)(110)面的晶面间距之差越小,费米能级附近的禁带宽度也越小,这可能是导致VO2金属-绝缘体转变温度降低的本质物理原因。 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 从头算分子动力学 晶格畸变 相变温度

在线阅读 下载PDF 职称材料