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量子阱结构对GaInP/Ga(In)As/Ge电池的光谱响应改善
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作者 许军 刘海港 +3 位作者 王帅 孙强 孙彦铮 王保民 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期113-114,共2页
采用MOCVD工艺制备具有应变平衡量子阱结构GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池的方法,及量子阱结构对中间电池的光谱响应的改善,从而使GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池各子电池电流匹配设计更为合理,揭示了量子阱结构提高GaInP/Ga(In)As/Ge... 采用MOCVD工艺制备具有应变平衡量子阱结构GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池的方法,及量子阱结构对中间电池的光谱响应的改善,从而使GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池各子电池电流匹配设计更为合理,揭示了量子阱结构提高GaInP/Ga(In)As/Ge三结级联太阳电池光电转换效率的可能性。 展开更多
关键词 周期应变平衡量子阱结构 三结级联太阳电池 电流匹配 光谱响应 量子效率
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