p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件技术研究 被引量：4

1

作者 李立华 熊伯俊 +4 位作者 杨超伟 李雄军 万志远 赵鹏 刘湘云 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期534-539,共6页

As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R_(0)A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势。介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、... As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R_(0)A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势。介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件,对器件的响应率、NETD、暗电流及R_(0)A等性能参数进行测试分析。测试结果表明,器件的有效像元率在99.78%~99.9%之间,器件的NETD均小于21 mK。实现了p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件的有效制备。 展开更多

关键词 碲镉汞红外探测器 p-on-n长波器件 焦平面性能测试 NETD 暗电流

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碲镉汞p-on-n光伏器件优化掺杂的理论计算 被引量：4

2

作者 李向阳 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期71-73,共3页

从理论上考虑了碲镉汞长波光电二极管的主要电流机制 ,并采用合适的参数对R0 A进行了计算 .结果表明 ,由于隧道电流的限制 ,对于一定的衬底浓度 ,选择 p区掺杂的浓度不宜过大 ,反之亦然 .计算得到了优化掺杂浓度与衬底浓度的关系和相应的R0

关键词 碲镉汞光电二极管 p-on-n型 优化设计 理论计算 电流机制 光伏器件 长波红外探测器

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碲镉汞 p^+-on-n长波异质结探测器的研究 被引量：10

3

作者 叶振华 吴俊 +4 位作者 胡晓宁 巫艳 王建新 李言谨 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期423-426,共4页

报道了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+onn异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件.根据IV实验结果和... 报道了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+onn异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件.根据IV实验结果和暗电流理论,拟合计算和分析了各种暗电流机制对器件性能的影响,且获得了器件的响应光谱和探测率. 展开更多

关键词 异质结 焦平面器件 碲镉汞 MBE 暗电流 器件性能 湿法腐蚀 长波 结焦 工艺

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甚长波碲镉汞红外焦平面探测器 被引量：1

4

作者 李雄军 邹雷 +9 位作者 赵鹏 杨超伟 熊伯俊 王向前 张应旭 刘艳珍 李红福 赵榆松 张绍裕 李立华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期818-824,共7页

采用砷离子注入p-on-n平面结技术制备了77 K工作温度下截止波长分别为13.23μm和14.79μm、像元中心距为25μm的甚长波640×512探测器,并对其基本性能和暗电流进行了测试和分析。结果表明,对于截止波长为13.23μm的甚长波640×5... 采用砷离子注入p-on-n平面结技术制备了77 K工作温度下截止波长分别为13.23μm和14.79μm、像元中心距为25μm的甚长波640×512探测器,并对其基本性能和暗电流进行了测试和分析。结果表明,对于截止波长为13.23μm的甚长波640×512(25μm),器件量子效率为55%,NETD平均值为21.5 mK,有效像元率为99.81%;对于截止波长为14.79μm的甚长波640×512(25μm),器件量子效率为45%,NETD平均值为34.6 mK,有效像元率为99.28%。这两个甚长波器件在液氮温度下的R_(0)A分别为19.8Ω·cm^(2)和1.56Ω·cm^(2),达到了“Rule07”经验表达式的预测值,器件噪声主要受散粒噪声限制,显示出了较好的器件性能。 展开更多

关键词 甚长波 p-on-n 碲镉汞 焦平面探测器 R0A

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p-on-n HgCdTe红外探测器机理分析与性能计算 被引量：6

5

作者 曾戈虹 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第5期249-258,共10页

根据HgCdTe材料特性和p-on-n HgCdTe红外探测器结构,建立了p-on-n HgCdTe红外探测器三维数理模型。通过对三维理论模型的求解,得到探测器内部载流子的输运特性,实现了对不同波段、不同工作温度p-on-n HgCdTe红外探测器探测率的理论计算... 根据HgCdTe材料特性和p-on-n HgCdTe红外探测器结构,建立了p-on-n HgCdTe红外探测器三维数理模型。通过对三维理论模型的求解,得到探测器内部载流子的输运特性,实现了对不同波段、不同工作温度p-on-n HgCdTe红外探测器探测率的理论计算。计算结果表明:p-on-n HgCdTe红外探测器优异的高灵敏度和高温特性,能在红外短波、中波和长波3个波段上全面满足未来红外系统对高性能红外探测器的需求。 展开更多

关键词 p-on-n HgCdTe 器件模型 理论计算 红外探测器 高性能红外系统

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长波光伏碲镉汞材料上的欧姆接触

6

作者 赵鸿燕 鲁正雄 +1 位作者 赵岚 成彩晶 《红外技术》 CSCD 北大核心 2005年第3期260-262,共3页

碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一。利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞材料上做了接触性能研究,通过实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出In与n型和p型HgCdTe材料间的接触... 碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一。利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞材料上做了接触性能研究,通过实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出In与n型和p型HgCdTe材料间的接触电阻率分别为3.25×10-4?·cm2、8.95×10-4?·cm2。 展开更多

关键词 碲镉汞材料 欧姆接触 光伏 长波 HGCDTE材料 接触电阻率 工艺因素 器件性能 基础问题 接触性能 性能研究 P型 In

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回熔过程对HgCdTe长波红外光伏探测器的I-V性能的影响 被引量：1

7

作者 孙柏蔚 胡晓宁 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期221-224,共4页

对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的I-V性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数,分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因。文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-... 对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的I-V性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数,分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因。文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-复合电流、缺陷辅助隧道电流和直接隧道电流组成。从拟合得到的器件参数中可以发现回熔过程中产生了大量的缺陷,导致缺陷辅助隧道电流、产生复合电流显著增加,器件反偏电阻减小,I-V性能变差。与离子注入后退火器件的性能变化相比,推测导致器件回熔后性能下降的原因是ZnS钝化层受热不稳定。 展开更多

关键词 光电子学 HgCdTe长波器件 回熔 暗电流

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长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究

8

作者 林占文 韩福忠 +5 位作者 耿松 李雄军 史琪 王海澎 王向前 蒋俊 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第7期668-672,711,共6页

本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表... 本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表明:对长波HgCdTe材料表面进行氢化处理能有效降低MIS器件的界面态、改善二极管器件性能,同时能够增大焦平面器件的信号响应度、减小盲元率。该研究对改善长波HgCdTe/钝化层的界面态以及提高长波HgCdTe器件性能提供了依据。 展开更多

关键词 长波碲镉汞 氢化处理 AFM 界面电学特性 I-V 焦平面器件测试

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InAsSb应力层超晶格长波红外光电探测器

9

作者 师庆华 《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第5期39-40,共2页

用InAs_<sub>1-x</sub>Sb_x/InSb（x=0.82-0.85）应力层超晶格（SLS＇s）制备了长波红外光电二极管。这些探测器具有的宽光谱响应扩展到≥10μm波段,在10μm处的可探测率为1&#... 用InAs_<sub>1-x</sub>Sb_x/InSb（x=0.82-0.85）应力层超晶格（SLS＇s）制备了长波红外光电二极管。这些探测器具有的宽光谱响应扩展到≥10μm波段,在10μm处的可探测率为1×10⁹cm·Hz1/2/W。本文介绍的光电二极管是迄今报导的波长最长的Ⅲ-Ⅴ族光电器件。 展开更多

关键词 长波红外 INASSB 光电探测器 超晶格 探测率 光电器件 红外探测 光谱响应 响应率 扩散长度

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8～12μm超晶格量子阱红外探测材料与器件的新进展

10

作者 陈世达 《红外技术》 CSCD 1993年第2期1-5,共5页

超晶格材料与量子阱器件的发展提供了一条实现8～12μm红外探测的新途径,作者曾介绍过GaAs-GaAlAs n型光导多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件及HgTe-CdTe超晶格材料,本文将补充GaAs-GaAlAs p型光导... 超晶格材料与量子阱器件的发展提供了一条实现8～12μm红外探测的新途径,作者曾介绍过GaAs-GaAlAs n型光导多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件及HgTe-CdTe超晶格材料,本文将补充GaAs-GaAlAs p型光导多量子阱和光伏(或称Kastalsky)型红外探测器;以GaAs或InGaAs为基极的红外热电子晶体管(IHET);Ga_(1-x)Al_xSb-AlSb超晶格材料和Ge_xSi_(1-x)-Si量子阱材料与内光电子发射红外探测器。这些都是目前研制长波红外材料与器件的热点。 展开更多

关键词 超晶格红外探测材料 量子阱器件 长波红外探测器 红外热电子晶体管

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碲镉汞高温红外探测器组件进展 被引量：9

11

作者 陈军 习中立 +3 位作者 秦强 邓功荣 罗云 赵鹏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第1期16-22,共7页

高工作温度红外探测器组件是第三代红外探测器技术的重要发展方向,可用于高工作温度红外探测器的基础材料主要有锑基和碲镉汞两大类。介绍了昆明物理研究所在高工作温度红外焦平面探测器组件方面的最新研究进展,其中基于碲镉汞材料p-on-... 高工作温度红外探测器组件是第三代红外探测器技术的重要发展方向,可用于高工作温度红外探测器的基础材料主要有锑基和碲镉汞两大类。介绍了昆明物理研究所在高工作温度红外焦平面探测器组件方面的最新研究进展,其中基于碲镉汞材料p-on-n技术研制的高工作温度中波640×512探测器组件在150 K温区性能优异,探测器的噪声等效温差(NETD)小于20 mK,配置了高效动磁式线性制冷机的高温探测器组件(IDDCA结构),质量小于270 g,探测器组件光轴方向长度小于70 mm(F4),室温环境下组件稳态功耗小于2.5 Wdc,降温时间小于80 s,声学噪声小于27 dB,探测器光轴方向自身振动力最大约1.1 N。目前正在进行环境适应性和可靠性验证,完成后就可实现商用量产。 展开更多

关键词 高工作温度器件 碲镉汞 锑砷铟 p-on-n

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高质量HgCdTe薄膜的液相外延生长 被引量：4

12

作者 马庆华 陈建才 +1 位作者 姬荣斌 杨宇 《红外技术》 CSCD 北大核心 2005年第1期42-44,共3页

用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外廷(LPE)方法在碲锌 镉(Cd1-yZnyTe,y=0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-xCdxTe(x=0.2)薄膜材料,通过适当的生长条件 得到组分均匀、结构完整、表面形貌良好的长波碲镉汞薄膜。... 用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外廷(LPE)方法在碲锌 镉(Cd1-yZnyTe,y=0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-xCdxTe(x=0.2)薄膜材料,通过适当的生长条件 得到组分均匀、结构完整、表面形貌良好的长波碲镉汞薄膜。测试结果表明本方法生长的HgCdTe薄 膜能满足目前研制红外焦平面器件的要求。 展开更多

关键词 液相外延生长 红外焦平面器件 碲镉汞 衬底 CDTE薄膜 高质量 长波 固态 表面形貌 薄膜材料

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