光电池非线性区PN结光生伏特效应的研究 被引量：5

1

作者 杜梅芳 姜志进 《上海理工大学学报》 CAS 北大核心 2002年第1期65-67,72,共4页

根据光电池线性区应用叠加定理建立的PN结光生伏特效应理论,阐述了PN结光生伏特效应在光电池非线性区的应用.

关键词 光生伏特效应 光电池 非线性 PN结

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采用光生伏特效应的LED芯片在线检测方法研究 被引量：4

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作者 李恋 李平 +3 位作者 文玉梅 尹飞 毋玉芬 张鑫 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期454-458,共5页

基于pn结的光生伏特效应,本文研究了一种非接触式LED芯片在线检测方法。通过测量pn结光生伏特效应在引线支架中产生的光生电流,检测LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间的电气连接状态。通过分析pn结光生伏特效应的等效电路,详细论... 基于pn结的光生伏特效应,本文研究了一种非接触式LED芯片在线检测方法。通过测量pn结光生伏特效应在引线支架中产生的光生电流,检测LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间的电气连接状态。通过分析pn结光生伏特效应的等效电路,详细论述了半导体材料的各种参数及等效电路中各电参数与支架上流过的光生电流的关系。实验对各种不同颜色的LED样品进行了测量。研究表明,该方法可以实现LED芯片的在线检测,有较大的应用价值。 展开更多

关键词 LED芯片 光生伏特效应 在线检测 等效电路

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LCoS芯片p-n结光生电流理论分析

3

作者 欧毅 李大勇 刘明 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期24-28,共5页

LCoS中像素有源驱动电路受到光照后会在p-n结上产生光生漏电流,而光生漏电流的产生会引起LCoS的图像对比度退化,直接影响其成像质量。从光学和半导体器件物理两方面出发,分析了光生漏电流的产生机理,指出了影响漏电流大小的主要因素是... LCoS中像素有源驱动电路受到光照后会在p-n结上产生光生漏电流,而光生漏电流的产生会引起LCoS的图像对比度退化,直接影响其成像质量。从光学和半导体器件物理两方面出发,分析了光生漏电流的产生机理,指出了影响漏电流大小的主要因素是入射光功率和挡光层的厚度。以Al膜作为挡光层材料,实际测量了不同厚度Al膜在可见光范围内的反射率,并在测量数据的基础上分别计算了不同情况下的光生电流的大小。当Al膜厚度为50nm时,光生电流最大仅为5.15×10-10A,可以抑制光生漏电流的产生,满足了LCoS的实际使用时的要求。 展开更多

关键词 LCOS p-n结 光生漏电流 挡光层

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份菁／铝肖特基势垒光生伏特的温度效应

4

作者 黄颂羽 张亚娣 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期268-273,共6页

测定了１６０－３２０Ｋ范围内铝／份菁／银有机太阳电池的光电流、光电压的温度效应。光电流和转换效率随温度的上升而上升；光电压在低于２２３Ｋ时呈下降，高于２２３Ｋ时呈上升；当温度高于２９３Ｋ时，三者均趋于饱和。在温度低于... 测定了１６０－３２０Ｋ范围内铝／份菁／银有机太阳电池的光电流、光电压的温度效应。光电流和转换效率随温度的上升而上升；光电压在低于２２３Ｋ时呈下降，高于２２３Ｋ时呈上升；当温度高于２９３Ｋ时，三者均趋于饱和。在温度低于２２３Ｋ时热离子发射电流起主导作用，高于２２３Ｋ时杂质离子复合电流起主导作用。 展开更多

关键词 份菁 肖特基势垒 光生伏特 温度效应 太阳能电池

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高温超导体上的光生伏特效应

5

作者 毛桂芬 王德煌 +2 位作者 王兰萍 林金龙 王国文 《量子电子学报》 CAS CSCD 1992年第1期109-110,共2页

高温超导体的光电子学由于其有助于超导电性的解释和诱人的应用前景而受重视。我们首次在YBa₂Cu₃O_7-δ样品与金属针接触的结上观测到光生伏特效应。样品的临界温... 高温超导体的光电子学由于其有助于超导电性的解释和诱人的应用前景而受重视。我们首次在YBa₂Cu₃O_7-δ样品与金属针接触的结上观测到光生伏特效应。样品的临界温度T_c=92K,置于液氮杜瓦中,温度可变（77K至室温）。金属针材料用了铂、钨、铜和金,它们的热电势和逸出功各不相同。光源用45mW的He—Ne激光器,光照在结的位置上。针和超导体的引线连到数字微伏表上,测量中以针的那端作零电压参考; 展开更多

关键词 高温超导体 伏特效应 数字微伏表 热电势 温差电势 金属针 北京大学 光电子学 光生伏特 临界温

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Mg:Fe:LiNbO_3晶体的光折变和光生伏特效应

6

作者 温金珂 汪洪 +2 位作者 朱亚平 唐燕生 王华馥 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1989年第3期222-224,共3页

本文研究了富锂 LiNbO_3:Mg:Fe 晶体的光折变和光生伏特效应,并与 LiNbO_3:Fe 和 LiNbO_3:Mg 晶体进行了比较。研究结果表明,富锂 LiNbO_3:Mg:Fe 晶体的光折变性能、光生伏特电流和光电导均与富锂 LiNbO_3:Mg 相近,而与 LiNbO_3:Fe 的... 本文研究了富锂 LiNbO_3:Mg:Fe 晶体的光折变和光生伏特效应,并与 LiNbO_3:Fe 和 LiNbO_3:Mg 晶体进行了比较。研究结果表明,富锂 LiNbO_3:Mg:Fe 晶体的光折变性能、光生伏特电流和光电导均与富锂 LiNbO_3:Mg 相近,而与 LiNbO_3:Fe 的差别很大。 展开更多

关键词 铌酸锂 晶体 光折变 光生伏特效应

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硅p-n结太阳电池对DF激光的响应 被引量：9

7

作者 江厚满 程湘爱 李文煜 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期21-24,共4页

　对硅p n结太阳电池在DF激光辐照下的响应进行了理论和实验研究。推导了p n结反向饱和电流随温度的近似变化关系。根据该近似关系,计算了太阳电池在DF激光辐照过程中输出电压的变化曲线。计算结果和实验结果之间取得了比较好的一致性。

关键词 响应 硅p-n结太阳电池 p-n结反向饱和电流 DF激光 光伏效应 温度效应

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也谈P—N结光生伏打效应

8

作者 忻贤坤 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期14-15,49,共3页

关键词 p-n结 光生伏打效应 半导体

全文增补中

关于“PN结光生伏打效应”：与刘忠厚及徐坚两同志商榷

9

作者 孔繁建 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期16-17,36,共3页

关键词 p-n结 光生伏打效应 半导体

全文增补中

磁场下Bi-2223/Ag异质结的光伏效应研究

10

作者 楚庄 韩琳 +2 位作者 刘志勇 宋桂林 常方高 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第5期854-860,共7页

在连续紫色激光(λ=405nm)辐照下,30K到120K的温度范围内,对Bi-2223/Ag异质结在0T到9T的外加磁场作用下的光伏效应进行了研究。发现60K和120K的温度比较特殊,异质结在不同光强辐照下测得的开路电压(Voc)对外加磁场的变化基本无响应。经... 在连续紫色激光(λ=405nm)辐照下,30K到120K的温度范围内,对Bi-2223/Ag异质结在0T到9T的外加磁场作用下的光伏效应进行了研究。发现60K和120K的温度比较特殊,异质结在不同光强辐照下测得的开路电压(Voc)对外加磁场的变化基本无响应。经研究确认在外加磁场的作用下,60K以下时,Bi-2223/Ag异质结的内建电场源于金属与超导体之间的临近效应。其方向由超导体指向金属银电极。120K以上时,异质结的内建电场源于金属与超导体之间形成的类P-N结,方向由金属银电极指向超导体。60K到120K之间的温度范围内,内建电场源于临近效应和类P-N结两种机制的竞争。 展开更多

关键词 Bi-2223/Ag异质结 光生电压效应 内建电场 磁场

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描述光伏效应的新解析模型 被引量：4

11

作者 江厚满 程湘爱 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期177-180,共4页

对陆启生等人提出的描述光伏效应的解析模型涉及的边界条件进行了讨论 ,提出了一个适用性更宽的解析模型。通过对新模型、陆的模型以及另一个解析模型的比较 ,对前两个模型能够描述光伏型光电探测器在强光辐照时的信号饱和效应的原因进... 对陆启生等人提出的描述光伏效应的解析模型涉及的边界条件进行了讨论 ,提出了一个适用性更宽的解析模型。通过对新模型、陆的模型以及另一个解析模型的比较 ,对前两个模型能够描述光伏型光电探测器在强光辐照时的信号饱和效应的原因进行了解释。 展开更多

关键词 光伏效应 解析模型 信号饱和效应 边界条件 光电探测器 半导体 能带结构 p-n结

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电沉积法制备ZnO薄膜的结构与光电性能研究 被引量：4

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作者 李丹 沈鸿烈 +2 位作者 鲁林峰 黄海宾 李斌斌 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第3期414-417,共4页

以硝酸锌和硝酸钾混和溶液为电解液，采用两电极体系在SnO2：F（FTO）片和p-Si（100）衬底上用不同沉积电压制备了c轴取向的ZnO薄膜。用X-射线衍射、扫描电子显微镜和分光光度计分析了薄膜的相结构，晶粒尺寸和光吸收特性。发现薄膜的（... 以硝酸锌和硝酸钾混和溶液为电解液，采用两电极体系在SnO2：F（FTO）片和p-Si（100）衬底上用不同沉积电压制备了c轴取向的ZnO薄膜。用X-射线衍射、扫描电子显微镜和分光光度计分析了薄膜的相结构，晶粒尺寸和光吸收特性。发现薄膜的（002）衍射峰强度随着沉积电压的增加而显著增强；薄膜中晶粒为典型的六方柱状结构，且基本与衬底垂直，晶粒尺寸为200-400nm；薄膜的光学禁带宽度为3．34eV。光照时，ZnO／Si异质结二极管呈明显的光生电流效应。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 电沉积 异质结二极管 光生电流效应

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多晶硅表面周期性微结构的激光制备与性能研究 被引量：1

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作者 李甜甜 孙耀宁 +3 位作者 张丽 王国建 贾天代 冯爱新 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期102-110,共9页

为了减小多晶硅表面入射光的反射率,提高太阳能电池的光电效率,利用紫外纳秒激光器在多晶硅表面制备不同深度、不同间距的微凹坑点阵绒面,研究织构形貌对反射率及光电转换效率的影响。通过激光频率的改变实现微凹坑深度的变化,通过微凹... 为了减小多晶硅表面入射光的反射率,提高太阳能电池的光电效率,利用紫外纳秒激光器在多晶硅表面制备不同深度、不同间距的微凹坑点阵绒面,研究织构形貌对反射率及光电转换效率的影响。通过激光频率的改变实现微凹坑深度的变化,通过微凹坑排布方式的改变实现微凹坑间距的变化;使用光纤光谱仪测量多晶硅表面反射率并通过激光共聚焦显微镜观察微凹坑形貌;在PC1D软件中建立多晶硅入射光反射模型并模拟不同点阵间距下的多晶硅短路电流和开路电压,计算光电转换效率和填充因子。研究表明,不同频率(300 kHz、200 kHz、150 kHz、50 kHz)和点阵排布方式(300×300、310×310、350×350、400×400)对多晶硅表面的反射率和光电转换效率影响显著,随着频率增大,多晶硅试样反射率先减小后增加最后保持稳定;随着点阵排布密集程度增加,多晶硅试样光电转换效率逐渐提高。实验结果显示当激光频率为150 kHz,点阵分布为400×400时,多晶硅表面微凹坑成型较好,表面平均反射率为3.32%,多晶硅电池的效率为18.80%,相较于未制绒多晶硅电池提高25.9%。 展开更多

关键词 表面织构 脉冲激光 反射率 多晶硅 光生伏特效应

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CuPc-G-PAn/Perylenes异质结太阳电池性能研究 被引量：8

14

作者 封伟 韦玮 +1 位作者 曹猛 吴洪才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期384-390,共7页

对聚苯胺材料进行染料接枝改性 ,将其用作异质结光伏电池的 p型材料 ,制作出结构为导电玻璃 /酞菁铜接枝聚苯胺 (p型 ) / (n型 ) /Al)简写为 ITO/Cu Pc- G- PAn(p型 ) / (n型 ) /A1 )的有机 p- n异质结光伏电池。该电池在 37.2 W/m2... 对聚苯胺材料进行染料接枝改性 ,将其用作异质结光伏电池的 p型材料 ,制作出结构为导电玻璃 /酞菁铜接枝聚苯胺 (p型 ) / (n型 ) /Al)简写为 ITO/Cu Pc- G- PAn(p型 ) / (n型 ) /A1 )的有机 p- n异质结光伏电池。该电池在 37.2 W/m2 的碘钨灯照射下 ,开路电压 Voc=80 2 m V,短路电流 Isc=41μA/cm2 ,填充因子 FF =58 ,能量转换效率大约为 0 .51 ,它比聚苯胺及肖特基电池大得多。通过测量其电流—电压 J— V和电容—电压 C— V特性 ,研究了其光伏效应及电学性能。J— V特性表明 ,二极管的曲线因子约为 6.3,比 1大得多 ;C— V特性表明 ,在 Cu Pc- G- PAn/界面处的耗尽层约为 2 31 nm,从 p/n层的光吸收谱可知 ,光激活层在 Cu Pc- G- PAn/界面处 ,它们分别与 ITO及铝形成欧姆接触。 展开更多

关键词 性能 光伏效应 有机p-n异质结 太阳电池

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中-位四(邻-硝基苯基)四苯并卟啉合锡(Ⅳ)配合物的光敏化作用 被引量：1

15

作者 杨水彬 蔡乃才 +1 位作者 任建国 秦子斌 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1996年第2期115-120,共6页

本文报道中位 -四 (邻 -硝基苯基 )四苯并卟啉合锡 ( )配合物 (简记为 Sn( ) TP(o- NO2 )TBPCl2 或 Sn( ) TBP)的光谱特征及其光敏化作用。在本工作的光电化学电池中 ,经该化合物修饰的 n- Ti O2 电极和 Pt电极 ,对紫外可见光的敏化作... 本文报道中位 -四 (邻 -硝基苯基 )四苯并卟啉合锡 ( )配合物 (简记为 Sn( ) TP(o- NO2 )TBPCl2 或 Sn( ) TBP)的光谱特征及其光敏化作用。在本工作的光电化学电池中 ,经该化合物修饰的 n- Ti O2 电极和 Pt电极 ,对紫外可见光的敏化作用 ,前者的响应时间为 1 0秒 ,最大光生电压为39m V,后者的响应时间为 48秒 ,最大光生电压为 1 2 m V;对可见光的敏化作用 ,前者的响应时间为 7秒 ,最大光生电压为 2 2 m V,后者的响应时间为 35秒 ,最大光生电压为 7m V。 展开更多

关键词 四苯并卟啉 光敏化作用 光生伏特效应 锡配合物

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单晶硅电池对不同波长色光响应程度的研究 被引量：2

16

作者 刘建科 王浩 李冠强 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2016年第2期165-168,共4页

以氙灯为光源,经五种不同的滤色片进行滤光并对每一种光用光谱仪进行测定并与标准谱比对,然后分别照射在太阳能电池片上,通过调节氙灯的电源及光源与电池片之间的距离控制不同的光照强度,测量其开路电压、短路电流及最大输出功率.通过... 以氙灯为光源,经五种不同的滤色片进行滤光并对每一种光用光谱仪进行测定并与标准谱比对,然后分别照射在太阳能电池片上,通过调节氙灯的电源及光源与电池片之间的距离控制不同的光照强度,测量其开路电压、短路电流及最大输出功率.通过这些数据来计算太阳能电池的其他参数,并以波长为基础对每一种参数进行分析对比,得出了太阳能电池对这五种不同波长单色光的光电响应情况.结果表明波长为577nm的单色光响应情况最为显著,并且伴随着光强的增加,其效率增长速度也随之增加. 展开更多

关键词 单晶硅电池 单色光波长 光强特性曲线 光生伏特效应

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基于S7-200提高光伏发电系统效率研究 被引量：1

17

作者 王颖龄 王磊 +1 位作者 高健 庄建军 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2017年第4期51-55,共5页

在研究光伏发电的背景基础上,设计出一种提高光电转换效率的光伏跟踪系统。该系统以西门子S7-200为主控制器,使光伏电池阵列能跟踪光源的移动、运动到与光源正对的位置,从而使光伏电池方阵获取最大的有效光照面积,达到提高光伏输出效率... 在研究光伏发电的背景基础上,设计出一种提高光电转换效率的光伏跟踪系统。该系统以西门子S7-200为主控制器,使光伏电池阵列能跟踪光源的移动、运动到与光源正对的位置,从而使光伏电池方阵获取最大的有效光照面积,达到提高光伏输出效率的目的。 展开更多

关键词 光生伏特效应 光伏跟踪 光电转换效率

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基于多权重混合分布模型的光伏出力波动特性研究 被引量：2

18

作者 王振浩 康佳 +3 位作者 裴哲义 成龙 董存 雷震 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期278-287,共10页

建立光伏发电理论出力模型,通过求取其实际出力和衰减理论出力差值提取光伏出力的随机性分量,采用不同单一概率密度函数对随机性分量进行拟合,并分析拟合结果存在较大偏差的原因。为降低拟合偏差,采用基于二分K均值聚类的权重值划分方法... 建立光伏发电理论出力模型,通过求取其实际出力和衰减理论出力差值提取光伏出力的随机性分量,采用不同单一概率密度函数对随机性分量进行拟合,并分析拟合结果存在较大偏差的原因。为降低拟合偏差,采用基于二分K均值聚类的权重值划分方法,提出三权重混合t Location-scale概率密度函数模型以描述光伏出力波动量的数字特征。最后通过Matlab仿真结果与指标值验证所提出模型拟合效果的优异性。 展开更多

关键词 光生伏特效应 随机性变量 概率密度函数 聚类算法

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水光互补技术

19

《电力工程技术》 北大核心 2023年第6期F0002-F0002,共1页

光伏发电利用光生伏特效应,将太阳能转化为电能。光伏发电具有波动性和间歇性,水光互补技术将光伏电站发出的电,通过输电线路接入水电站,利用水电优异的调节性能平抑光伏输出功率的波动性和间歇性,从而消除光伏发电对电网的影响。

关键词 光生伏特效应 水光互补 光伏发电 光伏电站 调节性能 线路接入 波动性 输出功率

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半导体光学材料及制备

20

《中国光学》 EI CAS 1997年第6期64-65,共2页

O472.3 97063951MPS结构中的光生伏特现象=Photovaltaic effectin MPS structure[刊,中]/王燕,云峰,廖显伯,孔光临(中科院半导体研究所.北京(100083))∥物理学报.—1996,45(10).

关键词 半导体 光生伏特 制备 光学材料 物理学报 静态性质 中科院 掩埋异质结 闪锌矿结构 研究所

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