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p-Si单晶低表面复合速度的获得
1
作者
颜永美
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期1045-1050,共6页
提出减低 p- Si单晶表面复合速度参数值的两个行而有效的方法 ,解释了其不同的作用机理 .实验表明 ,经 HF腐蚀处理过的 p- Si单晶 ,自然晾干的表面复合速度测算值比红外灯烘干的测算值低 1个量级以上 ;而对于同一 p- Si单晶 ,置于氮气...
提出减低 p- Si单晶表面复合速度参数值的两个行而有效的方法 ,解释了其不同的作用机理 .实验表明 ,经 HF腐蚀处理过的 p- Si单晶 ,自然晾干的表面复合速度测算值比红外灯烘干的测算值低 1个量级以上 ;而对于同一 p- Si单晶 ,置于氮气氛围之中的测算值要比大气之中的测算值低
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关键词
p-si单晶
低表面复合速度
半导体
表面性质
电学性能
氟化氢腐蚀
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职称材料
题名
p-Si单晶低表面复合速度的获得
1
作者
颜永美
机构
厦门大学物理学系
出处
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期1045-1050,共6页
文摘
提出减低 p- Si单晶表面复合速度参数值的两个行而有效的方法 ,解释了其不同的作用机理 .实验表明 ,经 HF腐蚀处理过的 p- Si单晶 ,自然晾干的表面复合速度测算值比红外灯烘干的测算值低 1个量级以上 ;而对于同一 p- Si单晶 ,置于氮气氛围之中的测算值要比大气之中的测算值低
关键词
p-si单晶
低表面复合速度
半导体
表面性质
电学性能
氟化氢腐蚀
Keywords
p-type Si single crystal
low surface recombin ation velocity
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p-Si单晶低表面复合速度的获得
颜永美
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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